公开(公告)号：CN100371119C

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200510073178.X

申请日：2005-06-01

Applicant: 清华大学

Inventor： 李勇 ,  龚姗姗 ,  陈旭鹏 ,  彭良强

IPC: B23H3/00 ,  B23H3/04 ,  B23H9/16

Abstract: 本发明公开了属于微细加工领域的以微小间隙电解蚀除加工为核心，将光刻和电铸工艺、精密电火花线切割加工技术融合的金属合金材料的阵列微细型孔的电化学加工工艺。采用线切割或光刻电铸工艺制作阵列微细电极，对金属合金材料进行电解蚀除加工。如需加工较小深宽比的阵列微细型孔，所述阵列微细电极之间有绝缘胶填充并将端面磨平；如需加工较大深宽比的阵列微细型孔，所述阵列微细电极之间没有绝缘胶填充，但电极侧壁上覆有绝缘薄膜。绝缘处理减小了电解加工中杂散电场的不利影响。本发明利用阵列微细电极的电化学加工工艺，辅之以脉冲电源技术、微小间隙检测和控制技术，为阵列微细型孔提供一尺寸一致性好、具有批量生产特点的制作方法。

公开(公告)号：CN1699006A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200510073178.X

申请日：2005-06-01

Applicant: 清华大学

Inventor： 李勇 ,  龚姗姗 ,  陈旭鹏 ,  彭良强

IPC: B23H3/00 ,  B23H3/04 ,  B23H9/16

Abstract: 本发明公开了属于微细加工领域的以微小间隙电解蚀除加工为核心，将光刻和电铸工艺、精密电火花线切割加工技术融合的金属合金材料的阵列微细型孔的电化学加工工艺。其方法是采用线切割或光刻电铸工艺制作阵列微细电极，对金属合金材料进行电解蚀除加工。如需加工较小深宽比的阵列微细型孔，所述阵列微细电极之间有绝缘胶填充并将端面磨平；如需加工较大深宽比的阵列微细型孔，所述阵列微细电极之间没有绝缘胶填充，但电极侧壁上覆有绝缘薄膜。绝缘处理减小了电解加工中杂散电场的不利影响。本发明利用阵列微细电极的电化学加工工艺，辅之以脉冲电源技术、微小间隙检测和控制技术，为阵列微细型孔提供一尺寸一致性好、具有批量生产特点的制作方法。