公开(公告)号：CN112979314B

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202110418887.6

申请日：2021-04-19

Applicant: 清华大学

Inventor： 岳振星 ,  骆宇 ,  郭蔚嘉 ,  陈雨谷 ,  卞帅帅

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了属于电子功能材料与器件技术领域的一种中等介电常数高Q微波介质陶瓷材料及其制备方法。所述陶瓷材料由BaO、SrO、La2O3、TiO2和Al2O3构成，其重量百分比为：0.1％～3.0％BaO、0.1％～8.0％SrO、59％～74％La2O3、21％～30％TiO2、0.1％～7.0％Al2O3；所述陶瓷材料的介电常数为39.2～48.6、Q×f值为51600～89900GHz、谐振频率温度系数为‑0.8～‑30.3ppm/℃。与介电常数相近的微波介质陶瓷材料相比，本发明所述微波介质陶瓷材料具有更高的Q×f值和近零的谐振频率温度系数，有望用于制作介质谐振器、介质滤波器和微波电容器等高性能微波器件。

公开(公告)号：CN110590395A

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201910948300.5

申请日：2019-10-08

Applicant: 清华大学

Inventor： 岳振星 ,  陈雨谷 ,  骆宇 ,  郭蔚嘉 ,  卞帅帅

IPC: C04B38/06 ,  C04B35/462 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于微波介质陶瓷技术领域，尤其涉及一种轻质多孔高Q微波介质陶瓷及其制备方法，通过将微波介质陶瓷粉体和造孔剂按一定比例在酒精中混合球磨，干燥后过筛、干压成型、烧结，可得到气孔率为7.6％–28.3％、介电常数为56.2–82.2、Q×f值为8600–10000GHz、谐振频率温度系数为16.3–21.1ppm/℃的轻质高Q的Ba4[(Sm0.3Nd0.7)0.9Bi0.1]28/3Ti18O54微波介质陶瓷。本发明的制备方法能在保持微波介质陶瓷的谐振频率温度系数基本不变的前提下调控介电常数和Q×f值。

公开(公告)号：CN110963797B

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN201911155670.X

申请日：2019-11-22

Applicant: 清华大学

Inventor： 岳振星 ,  卞帅帅 ,  骆宇 ,  郭蔚嘉 ,  陈雨谷

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/626 ,  B28B3/00

Abstract: 本发明公开了一种高温用巨电致应变陶瓷材料，其以Bi0.5Na0.5TiO3和Bi0.1Na0.7NbO3为基体，化学组成成分为(1‑x)Bi0.5Na0.5TiO3‑xBi0.1Na0.7NbO3，其中x＝0.05‑0.2，对应x＝0.1的陶瓷材料在185℃达到单极应变最大值1.6％左右，其与目前最大的单晶的应变数值相当，超出目前的含铅或无铅的压电陶瓷，具有优异的性能。并且，其电致应变曲线具有较小的滞后性，线性度较好，可以较为精确地通过相应的电场控制材料的应变数值，有望在高温压电材料领域如汽车的电控汽油喷射系统以及高温压电致动器或马达等领域中得到应用，并且可用于高温下的精确控制致动系统。

公开(公告)号：CN110590395B

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201910948300.5

申请日：2019-10-08

Applicant: 清华大学

Inventor： 岳振星 ,  陈雨谷 ,  骆宇 ,  郭蔚嘉 ,  卞帅帅

IPC: H01B3/12 ,  C04B38/06 ,  C04B35/462 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于微波介质陶瓷技术领域，尤其涉及一种轻质多孔高Q微波介质陶瓷及其制备方法，通过将微波介质陶瓷粉体和造孔剂按一定比例在酒精中混合球磨，干燥后过筛、干压成型、烧结，可得到气孔率为7.6％–28.3％、介电常数为56.2–82.2、Q×f值为8600–10000GHz、谐振频率温度系数为16.3–21.1ppm/℃的轻质高Q的Ba4[(Sm0.3Nd0.7)0.9Bi0.1]28/3Ti18O54微波介质陶瓷。本发明的制备方法能在保持微波介质陶瓷的谐振频率温度系数基本不变的前提下调控介电常数和Q×f值。

公开(公告)号：CN110963797A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201911155670.X

申请日：2019-11-22

Applicant: 清华大学

Inventor： 岳振星 ,  卞帅帅 ,  骆宇 ,  郭蔚嘉 ,  陈雨谷

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/626 ,  B28B3/00

Abstract: 本发明公开了一种高温用巨电致应变陶瓷材料，其以Bi0.5Na0.5TiO3和Bi0.1Na0.7NbO3为基体，化学组成成分为(1-x)Bi0.5Na0.5TiO3-xBi0.1Na0.7NbO3，其中x＝0.05-0.2，对应x＝0.1的陶瓷材料在185℃达到单极应变最大值1.6％左右，其与目前最大的单晶的应变数值相当，超出目前的含铅或无铅的压电陶瓷，具有优异的性能。并且，其电致应变曲线具有较小的滞后性，线性度较好，可以较为精确地通过相应的电场控制材料的应变数值，有望在高温压电材料领域如汽车的电控汽油喷射系统以及高温压电致动器或马达等领域中得到应用，并且可用于高温下的精确控制致动系统。

公开(公告)号：CN113666737A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202110836071.5

申请日：2021-07-23

Applicant: 清华大学

Inventor： 岳振星 ,  马志宇 ,  郭蔚嘉 ,  骆宇 ,  陈雨谷

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/50 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  H01P1/20 ,  H01P7/10

Abstract: 本发明提出一种高介电常数低损耗微波介质陶瓷，其介电常数为78～80，Q×f值为13900～15200GHz，谐振频率温度系数为‑5～+5ppm/℃。在维持较高介电常数和近零谐振频率温度系数的同时提高微波介质陶瓷的Q×f值，实现介电性能指标的协同改善。

公开(公告)号：CN113354413A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202110759080.9

申请日：2021-07-05

Applicant: 清华大学

Inventor： 岳振星 ,  郭蔚嘉 ,  马志宇 ,  骆宇 ,  陈雨谷

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/46 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638 ,  C04B37/00

Abstract: 本发明公开了属于电子功能材料与器件技术领域的一种层状中高介电常数低损耗微波介质陶瓷及其制备方法。该陶瓷材料由A基片和B基片层状粘合而成，其中A基片由质量百分比为16％～17％的BaO、6.5％～45％的Sm2O3、8.5％～37％的Nd2O3、36％～40％的TiO2和0.0％～3.0％的Al2O3构成，B基片由质量百分比为21％～22％的CaO、29％～30％的Sm2O3、30％～50％的TiO2和0.0％～18％的Al2O3构成；这种微波介质陶瓷材料的介电常数为60～80，Q×f值为13000～22000GHz，谐振频率温度系数为‑5～+5ppm/℃。本发明制备的层状结构微波介质陶瓷材料的综合性能优于现有的中高介电常数微波介质陶瓷材料，制备方法避免了两种基片材料在高温下可能发生的化学反应，在介质谐振器、滤波器等微波器件制作领域有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN112979314A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202110418887.6

申请日：2021-04-19

Applicant: 清华大学

Inventor： 岳振星 ,  骆宇 ,  郭蔚嘉 ,  陈雨谷 ,  卞帅帅

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了属于电子功能材料与器件技术领域的一种中等介电常数高Q微波介质陶瓷材料及其制备方法。所述陶瓷材料由BaO、SrO、La2O3、TiO2和Al2O3构成，其重量百分比为：0.1％～3.0％BaO、0.1％～8.0％SrO、59％～74％La2O3、21％～30％TiO2、0.1％～7.0％Al2O3；所述陶瓷材料的介电常数为39.2～48.6、Q×f值为51600～89900GHz、谐振频率温度系数为‑0.8～‑30.3ppm/℃。与介电常数相近的微波介质陶瓷材料相比，本发明所述微波介质陶瓷材料具有更高的Q×f值和近零的谐振频率温度系数，有望用于制作介质谐振器、介质滤波器和微波电容器等高性能微波器件。