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公开(公告)号：CN118854448B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411365933.0
申请日：2024-09-29
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种生长Ⅲ‑Ⅴ族分枝纳米线的方法，在衬底上生长有主枝纳米线，该方法包括：将沉积新的Ⅲ族金属催化液滴附在主枝纳米线表面，驱动催化液在主枝纳米线表面从能量高的方向转移到更低表面能的方向，通过控制生长环境，使得分枝纳米线沿着能量更低的方向生长。还提供一种Ⅲ‑Ⅴ族分枝纳米线，由上述的生长Ⅲ‑Ⅴ族分枝纳米线的方法得到。可以在不引入应力和缺陷的技术上可以获得分枝纳米线，这不仅解决的了分枝纳米线生长过程中引入缺陷导致的载流子损失的问题，还可以通过控制生长条件精确控制次级纳米线生长的位置、密度。并且，生长出来的纳米线形状规则，便于与其他分枝纳米线连接形成三维结构。
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公开(公告)号：CN116207178A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310151318.9
申请日：2023-02-22
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0224
Abstract: 本发明提供一种异质半导体器件，至少包括由第一半导体材料构成的第一部件和第二半导体材料构成的第二部件，第一部件和第二部件一般为层状结构(片状结构)；所述的第一部件和第二部件分别构成所述半导体器件的第一活性区域和第二活性区域；所述的第一部件和第二部件仅通过由第三半导体材料构成的第三部件连接，减少了界面面积，进而减少了缺陷数量，能减小器件噪声，提高信噪比。
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公开(公告)号：CN116169199A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310151327.8
申请日：2023-02-22
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0216 , H01L31/0232
Abstract: 本发明提供一种雪崩二极管，通过引入第三电极，对雪崩区和吸收区的电场的调控，可以增强或减弱吸收区或者雪崩区的电场。具体的，可以增强或者降低吸收区或者雪崩区的电场强度，从而增加光子的吸收效率或者电子的雪崩概率，提升雪崩二极管对光子的探测效率、降低暗电流。
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公开(公告)号：CN118692908A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410811133.0
申请日：2024-06-21
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/308 , H01L21/3065 , H01L21/306 , H01L29/06 , B82Y40/00
Abstract: 本发明针对现有技术的不足，结合干法刻蚀、湿法腐蚀的优点，提供一种衬底的制备方法，以获得生长基底完整、图案化孔洞标准、可重复使用的衬底。所述衬底包括基底层和位于基底上的掩膜层，所述掩膜层具有竖直方向的通孔；基底层表面完整，通孔直径标准，且在100nm以内，可用于无缺陷/低缺陷纳米线的外延生长。
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公开(公告)号：CN116207183A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310151332.9
申请日：2023-02-22
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/107
Abstract: 本发明克服了现有的外延生长技术中，衬底仅仅作为衬底本身的技术偏见，创造性的将衬底作为器件的一部分，实现异质半导体器件的制备，解决现有异质半导体器件只能利用单一半导体材料特性的缺点。相比于现有异质半导体器件的制备方法，本发明将利用异质集成的两种材料的特性，从而显著提升异质器件的性能，实现异质集成器件在更多领域的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118854448A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411365933.0
申请日：2024-09-29
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种生长Ⅲ‑Ⅴ族分枝纳米线的方法，在衬底上生长有主枝纳米线，该方法包括：将沉积新的Ⅲ族金属催化液滴附在主枝纳米线表面，驱动催化液在主枝纳米线表面从能量高的方向转移到更低表面能的方向，通过控制生长环境，使得分枝纳米线沿着能量更低的方向生长。还提供一种Ⅲ‑Ⅴ族分枝纳米线，由上述的生长Ⅲ‑Ⅴ族分枝纳米线的方法得到。可以在不引入应力和缺陷的技术上可以获得分枝纳米线，这不仅解决的了分枝纳米线生长过程中引入缺陷导致的载流子损失的问题，还可以通过控制生长条件精确控制次级纳米线生长的位置、密度。并且，生长出来的纳米线形状规则，便于与其他分枝纳米线连接形成三维结构。
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公开(公告)号：CN117790264A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202410051787.8
申请日：2024-01-12
Applicant: 浙江大学
IPC: H01J31/50 , H01L27/146
Abstract: 本申请提供一种探测系统，包括：光阴极、荧光屏和雪崩型探测器；入射光光子进入光阴极激发出光电子，向荧光屏发射，激发出特定波长的光子；特定波长的光子经雪崩型探测器探测，输出电信号；该电信号经一读出电路读取后通过简单计算即可获得光信号信息。本申请通过雪崩型探测器的引入，优化了探测系统的整体结构，无需采用较大的荧光屏像元和探测器像元。本发明还提供一种像增强器，采用优化后的探测系统结构，单个像元尺寸可以做到3um，像元面积小，成像分辨率高。
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公开(公告)号：CN119317204A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411779215.8
申请日：2024-12-05
Applicant: 浙江大学
IPC: H10F30/225 , H10F77/20
Abstract: 本发明提供一种半导体光电器件，至少包括由第一半导体材料构成的衬底层和第二半导体材料构成的吸收层；吸收层和衬底层之间具有一避让空间，用于设置与所述吸收层电性连接的阳极；所述的衬底层和吸收层通过由第三半导体材料构成的连接部相连；衬底层与阴极电性连接；所述吸收层在光照下形成电子空穴对，在电场作用下分离的电子/空穴经所述连接部进入到衬底层。由于阳极设置在吸收层背面，吸收层的光照面没有遮挡，能够保证光电探测器的填充因子为100%，有效避免偏压电极带来的光损失问题。
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公开(公告)号：CN117954296A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410046928.7
申请日：2024-01-12
Applicant: 浙江大学
IPC: H01J31/50 , H01L27/146 , H01L31/107 , H04N25/67
Abstract: 本发明公开了一种光电探测装置，包括控制电路、波长转换模块和雪崩型探测器,所述波长转换模块至少包括光阴极、荧光屏，以及第一加速电场；入射光光子进入光阴极激发出光电子，在第一加速电场驱动下移动，进入荧光屏，激发出特定波长的光子；特定波长的光子经雪崩型探测器探测，并输出电信号；所述控制电路根据入射光强信号I或雪崩型探测器的输出信号，控制所述光阴极的偏压、雪崩型探测器偏压中的至少一种。本申请通过低成本的电路设置和探测器的系统改造，有效的增大了探测装置整体的动态范围，同时，由于雪崩探测器具有很大地内部增益，抑制了读出电路产生的噪声，也可以避免了由于微通道板带来的噪声，探测装置的噪声可控，提高输出信号的质量。
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公开(公告)号：CN117558847A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311275133.5
申请日：2023-09-28
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明提供了一种微/纳米结构半导体，在衬底规定出微/纳米结构半导体区域，在微/纳米结构半导体区域制备微/纳米结构；所述微/纳米结构半导体的控制方式为控制芯片独立控制单个微/纳米结构半导体区域的微/纳米结构；所述控制芯片与微/纳米结构半导体的连接方式为同一片晶圆上的内部连接或不同一片晶圆的外部连接。所述微/纳米结构半导体区域划分一个区域或多个区域阵列，并通过沟槽、氮化物、氧化物、玻璃材料、有机物等绝缘材料或结构进行隔离；所述微/纳米结构半导体区域制备有单个微/纳米结构或多个微/纳米结构阵列；所述微/纳米结构至少有两个端点电极；所述端点电极至少包含一个独立控制。
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