公开(公告)号：CN102219494A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201110110451.7

申请日：2011-04-29

Applicant: 浙江大学

Inventor： 邱东江 ,  范文志 ,  王俊 ,  蒋银土 ,  丁扣宝 ,  施红军 ,  翁圣

IPC: C04B35/44 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提出了一种简单快速制备高质量的、具有P型导电性CuAlO2半导体体材料的方法。将Cu2O粉末和Al2O3粉末以1：1的摩尔比配料；装入球磨罐中球磨3-5小时，获得粒径不超过300nm、混合均匀的原料粉末；再利用粉末压片机，在30MPa的静压制压力下保压1-3分钟，将混合均匀的粉末压制成直径约3cm、高度2-5mm的圆柱状靶材坯料；然后利用真空陶瓷管管式炉，在氩气保护及优化的升降温速率、保温温度和反应气压条件下烧结得到单一晶相的CuAlO2体材料。本发明制备P型CuAlO2半导体材料具有烧结时间短，产量大，产物纯度高等优点，是进一步制备高质量P型CuAlO2薄膜的理想原料，在真空镀膜领域具有很大应用前景。

公开(公告)号：CN102219494B

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201110110451.7

申请日：2011-04-29

Applicant: 浙江大学

Inventor： 邱东江 ,  范文志 ,  王俊 ,  蒋银土 ,  丁扣宝 ,  施红军 ,  翁圣

IPC: C04B35/44 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提出了一种简单快速制备高质量的、具有P型导电性CuAlO2半导体体材料的方法。将Cu2O粉末和Al2O3粉末以1：1的摩尔比配料；装入球磨罐中球磨3-5小时，获得粒径不超过300nm、混合均匀的原料粉末；再利用粉末压片机，在30MPa的静压制压力下保压1-3分钟，将混合均匀的粉末压制成直径约3cm、高度2-5mm的圆柱状靶材坯料；然后利用真空陶瓷管管式炉，在氩气保护及优化的升降温速率、保温温度和反应气压条件下烧结得到单一晶相的CuAlO2体材料。本发明制备P型CuAlO2半导体材料具有烧结时间短，产量大，产物纯度高等优点，是进一步制备高质量P型CuAlO2薄膜的理想原料，在真空镀膜领域具有很大应用前景。