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公开(公告)号：CN114597271A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210086892.6
申请日：2022-01-25
Applicant: 国科大杭州高等研究院 , 浙江大学 , 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于异质结二维电子气的新型光电位置敏感探测器及其制备方法,探测器由上到下依次为：设置于四边的金属电极、CdTe层、PbTe层和BaF2衬底，CdTe层和PbTe层构成异质结，CdTe层和PbTe层的界面之间是自然形成的二维电子气，二维电子气与金属电极是欧姆接触。采用MBE的方法，生长了CdTe/PbTe异质结，其界面处自然产生高浓度高迁移率的二维电子气，得益于异质结材料自身的物理特性与二维电子气新奇的侧向光伏效应，该器件的工作波长超过可见光，工作波段也很宽，可涵盖中短红外波段，而且其线性响应度较为优异。该器件结构简单，制备方法简便可控，成本低廉，工作原理新奇独特，工作范围涵盖中短红外波段，兼具科研与实用价值。
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公开(公告)号：CN110441283A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910662363.4
申请日：2019-07-22
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种新型的碲化镓基表面增强拉曼基底及其制备方法，基底结构从下至上依次为Au层，二维薄层GaTe层和Au纳米颗粒层，二维薄层GaTe层与Au层形成的异质结构，制备方法为在SiO2/Si基底层上，通过热蒸发的方法生长Ti层和Au层，利用机械剥离的方法制备二维薄层GaTe层，并利用转移平台转移到Au层上，最后将基底浸没在HAuCl4溶液中制备Au纳米颗粒层。本发明得益于GaTe材料较高的缺陷密度，在二维薄层GaTe层上自组装形成的金纳米颗粒覆盖率能达到98％，因此能在金颗粒之间产生极强的局域表面等离激元。同时在二维薄层GaTe层下方的金层在光照下也能产生表面等离激元，增强了金纳米颗粒之间的电磁场强度，大幅提升了拉曼增强效果。
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公开(公告)号：CN105957917B
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201610436379.X
申请日：2016-06-17
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/18 , H01L21/265
Abstract: 本发明专利公开了一种基于表面等离激元的波长选择Si基光电导中远红外阻挡杂质带探测器及其制备方法，从下至上依次为高纯硅基底、高纯硅基底上低电阻率的掩埋底电极、高掺杂吸收层、杂质带阻挡层，在阻挡层上方沉积的钝化层，阻挡层上设有上电极互连区和上电极，上电极是由铝薄膜形成的正方形周期圆孔阵列，铝薄膜形成正方形周期圆孔阵列是探测器的表面等离激元结构，实现波长选择功能。上电极使用金属铝，铝的制备工艺简便成熟，价格便宜易于获得，抗锈蚀能力强，同时与器件的兼容性能好；采用剥离工艺制备金属铝正方形周期圆孔阵列，相比于腐蚀技术，可控性及实际效果更好。
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公开(公告)号：CN101514440B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200910096188.3
申请日：2009-02-19
Applicant: 浙江大学
IPC: C23C14/08 , C23C14/18 , C03C17/245
Abstract: 一种高电子迁移率氧化铟透明半导体薄膜的制备方法，采用双室高真空射频磁控溅射法，是以纯度99.99％的高纯氧化铟为靶材，玻璃等为衬底，以纯度99.99％以上的高纯氩气、氧气的一种或二种为溅射气体，在磁控溅射装置中进行溅射生长，得到具有不同电子浓度和高电子迁移率的n-型透明In2O3半导体薄膜材料。该方法具有沉积参数简单易控，制备工艺可靠，重复性好，制造成本低的优点。
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公开(公告)号：CN101924160A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010228056.4
申请日：2010-07-16
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种In2O3/PbTe异质结中红外光伏探测器制造技术，它以CdZnTe作为基底，利用分子束外延设备(MBE)在基底上生长p-型PbTe半导体单晶薄膜，利用磁控溅射设备在p-型PbTe单晶薄膜上生长n-型In2O3多晶薄膜形成pn结，使用ZnS作为绝缘保护层，经标准光刻工艺形成电极窗口，ICP干法刻蚀In2O3、湿法腐蚀ZnS和蒸镀In薄膜电极，再经过背面减薄和金丝引线制成pn结光伏探测器芯片，光谱响应在2～5μm中红外波段，芯片具有较快的响应速度的较高的响应度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1261780C
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200410067858.6
申请日：2004-11-02
Applicant: 浙江大学
Abstract: 一种MgZnO晶体薄膜光波导器件，由衬底、下包层、芯层和上包层构成，衬底采用玻璃或SiO2/Si，芯层为立方MgxZn1-xO(x＞0.5)晶体薄膜，折射率可随薄膜中Mg组分的改变实现连续可调，上、下包层可以是Mg组分比芯层高的MgyZn1-yO(y＞0.5)薄膜，也可以是SiO2薄膜，上包层也可以是空气。光波导器件是在衬底上低温物理外延生长立方MgxZn1-xO芯层和包层，并通过湿法或干法刻蚀后得到的。本发明具有制备工艺简单，成本低，波导层光学模的损耗和双折射效应小，波导层折射率连续可调等优点。
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公开(公告)号：CN107706263B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201711032642.X
申请日：2017-10-30
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种新型的锗基光电导中红外阻挡杂质带双色探测器及其制备方法。探测器由N个以下单元组成，其中一个单元是：在高纯锗基底上，从一端至另一端依次分布着掺杂至简并的电极层、杂质带阻挡层、高掺杂吸收层、掺杂至简并的电极层、高掺杂吸收层、杂质带阻挡层，其中电极层上面是金属电极层，阻挡层和吸收层上面是钝化层。本发明主要采用离子注入制备红外吸收层与电极层的技术手段成功制备了Ge基光电导中红外阻挡杂质带双色探测器。虽然该器件在性能上有很大的提升空间，但制作工艺简单，成本低廉且重复性好，在航天、天文探测等领域具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN109873047A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201910108018.6
申请日：2019-02-02
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种新型的异质结光子型红外探测器及制备方法及应用，探测器包括从下到上的基底层、异质结层和最上层位于两侧的两个电极层，异质结层是由IV-VI/II-VI族化合物半导体构成的PbTe(SnTe)/CdTe、PbTe(SnTe)/ZnTe或PbSe(SnSe)/CdSe、PbSe(SnSe)/ZnSe异质结材料研制的。本发明以PbTe/CdTe等异质结界面二维电子气结构材料为基础，制备了一种FET结构光子型红外探测器。探测器的光响应来源于PbTe的本征响应，即光谱响应波段为1.2–4.0μm。得益于二维电子气高迁移率的特点，探测器的响应时间短，小于1μs。探测器的探测率高，在2μm处达到了3×1010Jones，远高于热探测器和PbTe、PbSe单晶薄膜红外探测器。该探测器在红外焦平面阵列成像领域具有应用前景。
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公开(公告)号：CN107706263A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201711032642.X
申请日：2017-10-30
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种新型的锗基光电导中红外阻挡杂质带双色探测器及其制备方法。探测器由N个以下单元组成，其中一个单元是：在高纯锗基底上，从一端至另一端依次分布着掺杂至简并的电极层、杂质带阻挡层、高掺杂吸收层、掺杂至简并的电极层、高掺杂吸收层、杂质带阻挡层，其中电极层上面是金属电极层，阻挡层和吸收层上面是钝化层。本发明主要采用离子注入制备红外吸收层与电极层的技术手段成功制备了Ge基光电导中红外阻挡杂质带双色探测器。虽然该器件在性能上有很大的提升空间，但制作工艺简单，成本低廉且重复性好，在航天、天文探测等领域具有重要的应用前景。
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