公开(公告)号：CN113421973B

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202110777044.5

申请日：2021-07-09

Applicant: 河南大学

Inventor： 陈冲 ,  杜青 ,  申志涛 ,  李福民 ,  李桧林

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明公开了一种spiro‑OMeTAD:硫化锑作为空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，其主要包括以下步骤：（1）将ITO基底清洗干净并吹干；（2）配制SnO2‑KCl溶液；将SnO2‑KCl溶液旋涂在ITO玻璃上；（3）将钙钛矿前驱体溶液旋涂于SnO2‑KCl层上；（4）将spiro‑OMeTAD:Sb2S3分散液旋涂于钙钛矿层上，从而得到了ITO/SnO2‑KCl/钙钛矿/spiro‑OMeTAD:Sb2S3样品；（5）真空蒸镀金电极。本发明避免了以往太阳能电池制备过程中的高温处理从而能够降低生产成本，并且还能提高太阳能电池的光电转换效率，适合卷对卷的大规模工业化生产。

公开(公告)号：CN113421973A

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN202110777044.5

申请日：2021-07-09

Applicant: 河南大学

Inventor： 陈冲 ,  杜青 ,  申志涛 ,  李福民 ,  李桧林

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明公开了一种spiro‑OMeTAD:硫化锑作为空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，其主要包括以下步骤：（1）将ITO基底清洗干净并吹干；（2）配制SnO2‑KCl溶液；将SnO2‑KCl溶液旋涂在ITO玻璃上；（3）将钙钛矿前驱体溶液旋涂于SnO2‑KCl层上；（4）将spiro‑OMeTAD:Sb2S3分散液旋涂于钙钛矿层上，从而得到了ITO/SnO2‑KCl/钙钛矿/spiro‑OMeTAD:Sb2S3样品；（5）真空蒸镀金电极。本发明避免了以往太阳能电池制备过程中的高温处理从而能够降低生产成本，并且还能提高太阳能电池的光电转换效率，适合卷对卷的大规模工业化生产。