公开(公告)号：CN118084476A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202311816529.6

申请日：2023-12-27

Applicant: 河南大学

Inventor： 刘献省 ,  张逸明 ,  张伟风 ,  田建军 ,  康朝阳 ,  张凤

IPC: C04B35/447 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开一种宽温区巨负热膨胀磷酸盐陶瓷材料及其烧结合成方法，属于无机非金属材料技术领域，以NH4H2PO4、Fe2O3、V2O5、Mg(OH)2为原料，按目标产物FexMg2‑xP2‑yVyO7+δ中化学计量摩尔比称取原料，研磨混合均匀，800~1000℃预烧2~5 h，再次研磨混合均匀，直接或压片后1000~1150℃烧结2~7 h得到目标产物。本发明采用Fe3+离子去部分替代Mg2P2O7中Mg2+离子，进一步V5+离子部分替代P5+离子，固相法制备出宽温区巨负热膨胀磷酸盐陶瓷材料FexMg2‑xP2O7+δ和Fe0.05Mg1.95P2‑yVyO7+0.025，热膨胀系数‑82.7×10‑6℃‑1～‑345.4×10‑6℃‑1，温区ΔT为16℃~37℃，实现了温区及热膨胀系数的调节，工艺简单，低成本，适合于工业化生产。

公开(公告)号：CN114315351B

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210079174.6

申请日：2022-01-24

Applicant: 河南大学

Inventor： 刘献省 ,  向余梦 ,  郝向凯 ,  于萍 ,  张伟风

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开一种高熵近零膨胀钒酸盐陶瓷材料及其烧结合成方法，属于无机非金属材料技术领域，以LiNO3、Fe2O3、Mg(OH)2、ZnO、CuO、NH4VO3为原料，按目标产物(LiFeMgZn)0.15Cu1.4V2O7中化学计量摩尔比称取原料，研磨混合均匀后，直接或压片后600~750℃烧结合成3~5 h得到目标产物。本发明采用四种不同离子去部分替代Cu2V2O7中Cu2+离子，固相法制备出近零热膨胀材料(LiFeMgZn)0.15Cu1.4V2O7，工艺简单，低成本，适合于工业化生产。

公开(公告)号：CN113149646B

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202110434228.1

申请日：2021-04-22

Applicant: 河南大学

Inventor： 刘献省 ,  郝向凯 ,  王孟月 ,  向余梦 ,  田建军 ,  张伟风

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高熵低热膨胀陶瓷材料及其烧结合成方法，属于无机非金属材料领域，以Fe2O3、Co2O3、Ni2O3、Al2O3、Cr2O3和MoO3、WO3粉末为原料，按目标产物(FeCoNiAlCr)0.4Mo1.5W1.5O12中化学计量摩尔比Fe:Co:Ni:Al:Cr:Mo:W=0.4:0.4:0.4:0.4:0.4:1.5:1.5称取原料，研磨混合均匀后，直接或压片后800~900℃烧结合成2~5 h得到目标产物。本发明采用固相法制备出高熵低热膨胀陶瓷材料(FeCoNiAlCr)0.4Mo1.5W1.5O12，工艺简单，成本较低，适合于工业化生产。

公开(公告)号：CN115216845B

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202210628360.0

申请日：2022-06-06

Applicant: 河南大学

Inventor： 田建军 ,  王龙生 ,  康朝阳 ,  宋业恒 ,  谷海扬 ,  庞睿 ,  申蒙娜 ,  刘献省 ,  张伟风

IPC: C30B29/46 ,  C30B1/02

Abstract: 本发明公开了一种厘米级尺寸的Co基三元绝缘体单晶及其制备方法，所述单晶材料的化学式为Ta1‑xCo1‑yTe2±z，x,y,z≦0.1。本发明采用化学气相输运法，空气环境中混合原料，在相对短的时间和相对低的温度，利用简单设备成功制备出厘米级尺寸的Co基三元绝缘体单晶TaCoTe2块体。本发明中TaCoTe2单晶属于单斜晶系，空间群为P 21/c，晶格常数为a=8.152(4)Å,b=6.264(9)Å,c=7.794(5)Å，样品为范德瓦尔兹层状晶体，最大单晶尺寸1.3 cm左右，在空气中稳定。本发明制备的Co基三元绝缘体TaCoTe2单晶材料，电输(56)对比文件黄金陵,黄宝泉.过渡金属三组元碲化物研究.福州大学学报(自然科学版).1991,(第01期),1-8.黄金陵.含第1长周期过渡金属的Nb/Ta三组元层状结构碲化物研究.中国科学B辑.2000,(第03期),193-201.

公开(公告)号：CN105977383B

公开(公告)日：2019-01-08

申请号：CN201610338043.X

申请日：2016-05-20

Applicant: 河南大学

Inventor： 张新安 ,  郑海务 ,  杨光 ,  刘献省 ,  李爽 ,  张伟风

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/05

Abstract: 本发明提供一种柔性氧化锌肖特基二极管及其制备方法，采用溶胶凝胶法，以硝酸锌有机溶液和聚四乙烯基苯酚有机溶液等试剂在具有柔性衬底的ITO导电层上形成具有较好柔性的聚四乙烯基苯酚杂化的氧化锌薄膜，并采用热蒸发镀膜法在所述聚四乙烯基苯酚杂化的氧化锌薄膜表面蒸镀贵金属层从而制得柔性氧化锌肖特基二极管。由该方法制备的聚四乙烯基苯酚杂化的氧化锌薄膜具有较高的柔韧性，使得制备的二极管具有良好的机械弯折性能和稳定的电学性能，且该方法工艺简单、原料易得。

公开(公告)号：CN105198001B

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201510744103.3

申请日：2015-11-05

Applicant: 河南大学

Inventor： 刘献省 ,  张伟风 ,  王磊 ,  杨光

IPC: C01G49/00

Abstract: 本发明属于无机非金属材料技术领域，特别公开了一种低热膨胀材料Fe2W3O12及其固相烧结方法。以Fe2O3和WO3为原料，MoO3为催化剂，按目标产物Fe2W3O12中化学计量摩尔比Fe:W=2:3称取原料，研磨混合均匀后，直接或压片后1000~1020℃烧结合成5~8 h得到目标产物。本发明采用MoO3为催化剂，固相法制备出低热膨胀材料Fe2W3O12，工艺简单，低成本，适合于工业化生产。

公开(公告)号：CN115216845A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210628360.0

申请日：2022-06-06

Applicant: 河南大学

Inventor： 田建军 ,  王龙生 ,  康朝阳 ,  宋业恒 ,  谷海扬 ,  庞睿 ,  申蒙娜 ,  刘献省 ,  张伟风

IPC: C30B29/46 ,  C30B1/02

Abstract: 本发明公开了一种厘米级尺寸的Co基三元绝缘体单晶及其制备方法，所述单晶材料的化学式为Ta1‑xCo1‑yTe2±z，x,y,z≦0.1。本发明采用化学气相输运法，空气环境中混合原料，在相对短的时间和相对低的温度，利用简单设备成功制备出厘米级尺寸的Co基三元绝缘体单晶TaCoTe2块体。本发明中TaCoTe2单晶属于单斜晶系，空间群为P 21/c，晶格常数为a=8.152(4) Å,b=6.264(9) Å,c=7.794(5) Å，样品为范德瓦尔兹层状晶体，最大单晶尺寸1.3 cm左右，在空气中稳定。本发明制备的Co基三元绝缘体TaCoTe2单晶材料，电输运表现为绝缘体行为，低温出现类电阻饱和特征。

公开(公告)号：CN107706231A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201710988060.2

申请日：2017-10-21

Applicant: 河南大学

Inventor： 张新安 ,  刘献省 ,  郑海务 ,  李爽 ,  张朋林 ,  张伟风

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/227 ,  H01L29/24 ,  H01L29/51 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 一种高稳定性氧化物半导体薄膜晶体管，包括衬底、栅电极、绝缘层、有源层和源漏电极，所述绝缘层为掺杂硼或硅的绝缘膜，所述有源层为掺杂硼或硅的半导体薄膜，一种高稳定性氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法，包括选择重掺杂硅衬底或ITO导电玻璃为衬底，同时作为栅电极；采用磁控溅射法在衬底上制备绝缘层，所述绝缘层为掺杂硼或硅的绝缘膜；采用磁控溅射在绝缘层上制备有源层，所述有源层为掺杂硼或硅的半导体薄膜；采用热蒸发镀膜法在有源层上制备金属Al薄膜作为源漏电极。本发明采用掺杂易与氧空位结合的硼（B）或硅（Si），减少绝缘层和有源层界面处的氧空位，提高薄膜晶体管的稳定性，从而提高器件的稳定性和可靠性。

公开(公告)号：CN106252278A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610824125.5

申请日：2016-09-14

Applicant: 河南大学

Inventor： 张新安 ,  张伟风 ,  李爽 ,  杨光 ,  刘献省

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L27/1259

Abstract: 本发明提供一种金属氧化物薄膜晶体管阵列的制备方法，主要步骤包括：提供所述金属氧化物薄膜晶体管阵列的各功能层前驱体溶液，采用喷雾热解法结合图案化的掩膜板，在衬底上沉积得到所述金属氧化物薄膜晶体管阵列的各功能层，所述功能层包括栅电极、栅绝缘层、有源层和源漏电极。本发明实现了金属晶体管阵列中器件之间的有效隔离，且所制备的金属氧化物薄膜晶体管阵列具有良好的电学性质。本发明不仅避开了高成本真空薄膜制备工艺，同时也避免了光刻剥离等复杂的薄膜图案化过程，具有制备工艺简单、成本低廉、适合工业化生产等优势，在大面积电子电路制造方面有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN106197022A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610557562.5

申请日：2016-07-15

Applicant: 河南大学

Inventor： 张伟风 ,  刘献省 ,  杨光

IPC: F27B17/00 ,  F27D3/00 ,  F27D1/04

CPC classification number: F27B17/00 ,  F27D1/045 ,  F27D3/1545

Abstract: 一种用以烧制陶瓷的新型柴煤电一体化高温设备，包括电控高温炉和柴煤燃烧炉，电控高温炉与柴煤燃烧炉通过烟气通道连通，电控高温炉位于柴煤燃烧炉的上方，电控高温炉用以提供烧制陶瓷所需要的温度，柴煤燃烧炉用以提供烧制陶瓷所需要的还原性气体，柴煤燃烧炉的下方设有灰渣池。本发明的有益效果在于：本发明采用柴煤电一体化设备，在烧制陶瓷时，将待烧制的坯体放入电控高温炉的炉膛内，由电控高温炉提供温度源，由柴煤燃烧炉提供气氛源（还原性气体），柴煤燃烧炉提供的气氛源通过烟气通道、气孔进入电控高温炉的炉膛内，大大提高了陶瓷的烧制品质。