一种钇铝石榴石多孔陶瓷的制备方法

    公开(公告)号:CN110002863B

    公开(公告)日:2021-10-15

    申请号:CN201910361294.3

    申请日:2019-04-30

    Abstract: 本发明公开了一种钇铝石榴石多孔陶瓷的制备方法,具体步骤是:以采用共沉淀法制备得到的超细YAG粉体为原料,添加烧结助剂二氧化硅和氧化钙,发泡剂葡萄糖,以水或无水乙醇为球磨介质进行球磨混合均匀,干燥后模压成型,得到陶瓷素坯,将陶瓷素坯置于真空管式炉中,先发泡除碳,再进行陶瓷烧结,将烧结保温后的陶瓷进行阶梯冷却降温,降至室温后获得YAG多孔陶瓷。本发明采用共沉淀粉体为原料,化学活性高,烧结温度低,通过烧结助剂体系设计,结合烧结与降温温度制度,实现了特异的晶粒发育,陶瓷晶粒均为长棒状,在生长与发泡过程中,这种长棒状结构相互交叠黏连生长,阻止裂纹扩展能力增强,机械强度大大提升。

    一种钇铝石榴石多孔陶瓷的制备方法

    公开(公告)号:CN110002863A

    公开(公告)日:2019-07-12

    申请号:CN201910361294.3

    申请日:2019-04-30

    Abstract: 本发明公开了一种钇铝石榴石多孔陶瓷的制备方法,具体步骤是:以采用共沉淀法制备得到的超细YAG粉体为原料,添加烧结助剂二氧化硅和氧化钙,发泡剂葡萄糖,以水或无水乙醇为球磨介质进行球磨混合均匀,干燥后模压成型,得到陶瓷素坯,将陶瓷素坯置于真空管式炉中,先发泡除碳,再进行陶瓷烧结,将烧结保温后的陶瓷进行阶梯冷却降温,降至室温后获得YAG多孔陶瓷。本发明采用共沉淀粉体为原料,化学活性高,烧结温度低,通过烧结助剂体系设计,结合烧结与降温温度制度,实现了特异的晶粒发育,陶瓷晶粒均为长棒状,在生长与发泡过程中,这种长棒状结构相互交叠黏连生长,阻止裂纹扩展能力增强,机械强度大大提升。

    一种高光效白光LED用阶梯式复相荧光陶瓷的制备方法

    公开(公告)号:CN110981481B

    公开(公告)日:2022-02-01

    申请号:CN201911420311.2

    申请日:2019-12-31

    Abstract: 本发明公开了一种高光效白光LED用阶梯式复相荧光陶瓷的制备方法,步骤是:将准确称量的原料粉体、MgO/MgF2及烧结助剂球磨混合、干燥过筛后煅烧,将煅烧后的混合粉体、分散剂球磨混合,加入黏结剂和增塑剂,继续球磨,分别制备含有不同浓度MgO/MgF2的混合浆料,分别除泡后再进行流延,得到含有不同浓度MgO/MgF2的流延膜片;将流延膜片按照MgO/MgF2含量由高到低叠加得到流延片,将流延片冷等静压成型,得陶瓷素坯;将陶瓷素胚排胶后真空烧结,退火并双面抛光,即得。本发明采用流延法制备出陶瓷素胚,容易实现陶瓷中二相含量由下至上减少的阶梯性变化,引入MgO/MgF2作为二相可以实现提高蓝光利用率,提高荧光输出光强度的同时可以稳定陶瓷热稳定性。

    一种高光效白光LED用阶梯式复相荧光陶瓷的制备方法

    公开(公告)号:CN110981481A

    公开(公告)日:2020-04-10

    申请号:CN201911420311.2

    申请日:2019-12-31

    Abstract: 本发明公开了一种高光效白光LED用阶梯式复相荧光陶瓷的制备方法,步骤是:将准确称量的原料粉体、MgO/MgF2及烧结助剂球磨混合、干燥过筛后煅烧,将煅烧后的混合粉体、分散剂球磨混合,加入黏结剂和增塑剂,继续球磨,分别制备含有不同浓度MgO/MgF2的混合浆料,分别除泡后再进行流延,得到含有不同浓度MgO/MgF2的流延膜片;将流延膜片按照MgO/MgF2含量由高到低叠加得到流延片,将流延片冷等静压成型,得陶瓷素坯;将陶瓷素胚排胶后真空烧结,退火并双面抛光,即得。本发明采用流延法制备出陶瓷素胚,容易实现陶瓷中二相含量由下至上减少的阶梯性变化,引入MgO/MgF2作为二相可以实现提高蓝光利用率,提高荧光输出光强度的同时可以稳定陶瓷热稳定性。

    一种锌基双钙钛矿红色荧光粉及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN110157415A

    公开(公告)日:2019-08-23

    申请号:CN201910398238.7

    申请日:2019-05-14

    Abstract: 本发明公开了一种锌基双钙钛矿红色荧光粉及其制备方法与应用,该荧光粉的化学式为:(Zn1-xEux)3BO6,其中,B=W或Mo,x为Eu3+的掺杂浓度,0.4≤x≤0.6;分别称取ZnCO3、(NH4)6Mo7O24或(NH4)10W12O41、Eu(NO3)3粉体作为反应原料,称取NH4Cl作为助熔剂,研磨直至混合均匀,研磨后的粉体置于刚玉坩埚中,放入马弗炉中在空气气氛下煅烧,煅烧温度为900~1100℃,保温时间为4~7h;自然冷却至室温,即制得。该荧光粉在近紫外(350~370nm)或蓝光(465nm)附近激发下可以发射614~617nm附近的纯正红光,发光效率高达35~42%,色纯度好,适用于制备白光LED照明器件。本发明的制备方法简单,相形成温度低,在加入助熔剂后,颗粒发育为近球形颗粒状,无需进一步球磨分级,适合在LED中封装使用。

    一种激光烧结制备Tb:Lu2O3陶瓷的方法

    公开(公告)号:CN108751991A

    公开(公告)日:2018-11-06

    申请号:CN201810939210.5

    申请日:2018-08-17

    Abstract: 本发明公开了一种激光烧结制备Tb:Lu2O3陶瓷的方法,具体是:按照化学结构式(Lu1‑xTbx)2O3中各元素的化学计量比分别称取反应原料粉体,在混合好的原料中加入柠檬酸和乙二醇并且搅拌均匀以获得前驱体;然后将前驱粉体加热处理,研磨,分阶段煅烧;在煅烧后的粉体中加入粘合剂聚乙烯醇溶液并且采用干压成型的方法将其制备成圆片状,得到素胚片;将素胚片放置在一个Lu2O3垫片上,用激光器对其进行双面烧结;最后进行研磨抛光处理,得到Tb:Lu2O3陶瓷。本发明提供的方法可以有效抑制Tb3+离子向Tb4+离子转变,提高了陶瓷内部Tb3+离子的含量,在323nm紫外光的激发下,可实现高强度的绿光发射,制备工艺简单,节能环保,制得的陶瓷样品相对密度达99.9%,透过率高,致密性好。

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