一种利用蛋白酶K对羊毛织物进行防毡缩整理的方法

    公开(公告)号:CN109972390B

    公开(公告)日:2020-02-07

    申请号:CN201910196868.6

    申请日:2019-03-15

    Applicant: 江南大学

    Abstract: 本发明公开了一种利用蛋白酶K对羊毛织物进行防毡缩整理的方法,属于毛纺行业中毛织物染整加工的应用技术领域。旨在解决普通蛋白酶防毡缩处理对羊毛强力损伤较大,对鳞片层中的角蛋白降解作用较小的问题,达到优化毛织物蛋白酶防毡缩整理的目的。优选工艺为:纯毛织物先用过氧化脲预处理,并利用壳寡糖封闭CMC,再用蛋白酶K处理羊毛织物。通过本方法处理的羊毛织物,防毡缩性能得到明显的改善,织物强力损伤下降。本发明首次将蛋白酶K引入羊毛防毡缩整理中,通过蛋白酶K对羊毛鳞片角蛋白的有效降解,达到了较好的羊毛防毡缩效果,可替代传统氯化防毡缩处理。

    一种晶体硅太阳电池的背面局部双质杂质掺杂结构及其掺杂方法

    公开(公告)号:CN106024933A

    公开(公告)日:2016-10-12

    申请号:CN201610635728.0

    申请日:2016-08-04

    Applicant: 江南大学

    Abstract: 本发明公开了一种晶体硅太阳电池的背面局部双质杂质掺杂结构及其掺杂方法,主要解决现有技术制造的背面局部单质掺杂深度和浓度不能兼得(硼扩散表面浓度远高于铝,而铝扩散深度远大于硼)、在制备掺杂源时采用旋涂、蒸镀或丝网印刷硼聚合物存在着工艺繁琐、集成度低、杂质源不纯净和存在毒害危险等问题。其实施方案是:通过PECVD方法在P型太阳电池背面钝化层上沉积掺硼氧化铝,之后通过激光辐射硅片背面局部区域以在所述区域形成硼和铝双质杂质掺杂,并在掺硼氧化铝层和钝化层的对应位置上形成开口。激光掺杂形成的双质杂质掺杂结浓度高、深度深,有助于降低背电极和硅基的接触电阻和基区纵向电阻,提高FF;此结构可匹配低方块电阻,提升短路电流。

    一种c-Si/a-Si/mc-Si太阳电池结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN106328735A

    公开(公告)日:2017-01-11

    申请号:CN201611003948.8

    申请日:2016-11-15

    Applicant: 江南大学

    Abstract: 本发明公开了一种c-Si/a-Si/mc-Si太阳电池结构及其制备方法,该结构包括N型单晶硅片,设在N型单晶硅片受光面和背光面的本征a-Si层,设在受光面本征a-Si层上的掺杂P型mc-Si层,设在背光面本征a-Si层上的掺杂N型mc-Si层,分别设在掺杂P型mc-Si层和掺杂N型mc-Si层上的ITO透明导电膜层及设在ITO透明导电膜层上的金属栅线电极。本发明的掺杂mc-Si层由本征a-Si层通过瞬间辐照退火形成。瞬间辐照退火技术把杂质掺杂和a-Si晶化两个过程合并在10~20ms之间同时完成,不仅简化了制造步骤,还使此种结构电池适用于大规模生产。更重要的是,本发明使得本征a-Si层和掺杂mc-Si层并存,发挥本征a-Si层钝化优势的同时,使用掺杂mc-Si作为发射层和背场层材料,有效地减小复合、降低串联电阻,有利于提升电池性能。

    一种利用蛋白酶K对羊毛织物进行防毡缩整理的方法

    公开(公告)号:CN109972390A

    公开(公告)日:2019-07-05

    申请号:CN201910196868.6

    申请日:2019-03-15

    Applicant: 江南大学

    Abstract: 本发明公开了一种利用蛋白酶K对羊毛织物进行防毡缩整理的方法,属于毛纺行业中毛织物染整加工的应用技术领域。旨在解决普通蛋白酶防毡缩处理对羊毛强力损伤较大,对鳞片层中的角蛋白降解作用较小的问题,达到优化毛织物蛋白酶防毡缩整理的目的。优选工艺为:纯毛织物先用过氧化脲预处理,并利用壳寡糖封闭CMC,再用蛋白酶K处理羊毛织物。通过本方法处理的羊毛织物,防毡缩性能得到明显的改善,织物强力损伤下降。本发明首次将蛋白酶K引入羊毛防毡缩整理中,通过蛋白酶K对羊毛鳞片角蛋白的有效降解,达到了较好的羊毛防毡缩效果,可替代传统氯化防毡缩处理。

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