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公开(公告)号：CN118870666A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410887536.3
申请日：2024-07-03
Applicant: 桂林电子科技大学 , 贵州装备制造职业学院
Abstract: 本发明涉及柔性电子技术领域，具体涉及一种柔性电极的封装制备方法，包括：在柔性基底上形成金属电极层；基于光刻封装工艺将保护性绝缘图层涂覆在所述柔性基底和所述金属电极层的金属上，在必要的区域形成金属导电层得到柔性电极的初始封装结构；对所述初始封装结构的焊点处进行曝光，其余部分用不透光的遮挡物盖住；并再次对所述初始封装结构的触点进行曝光，将所述焊点处遮挡住，得到柔性电极，本发明采用的光刻工艺法简单易操作，制备的电极效果良好，本发明通过对电极焊点和触点的两次曝光，解决了传统的封装光刻工艺过程定位不准确的问题。
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公开(公告)号：CN117066619A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310977944.3
申请日：2023-08-04
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B23K1/00 , C21D9/50 , C22F1/16 , B23K101/36
Abstract: 本发明公开一种微电子用Sn58Bi钎料合金微互连焊点的时效强化工艺，采用了时效强化工艺处理手段，通过探索微互连焊点在时效温度和时间变化情况下的力学性能，归纳总结出微互连焊点时效强化的时效温度和时效时间，即微互连焊点在120℃时效300h‑480h后经自然冷却，可得到强度提升的微互连焊点。本发明实现了通过调控微互连焊点中Bi相的存在状态及形态等来提升微互连焊点的剪切强度，为提升工业钎料合金热处理和电子产品可靠性提供参考，同时为电子工业带来更大的经济效益。
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公开(公告)号：CN115464300A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211067247.6
申请日：2022-09-01
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了焊料用增强材料的加工方法、复合焊料及其加工方法，对Cu粉末、Sn粉末、Ni粉末物质的量比为2.5‑3.0:3.0‑3.5:1的原料进行烧结，所述烧结步骤主要作用温度为450℃‑550℃；将含有Sn粉末、Bi粉末和近非晶态增强材料粉末的原料置280‑320℃中熔化后冷却，得到复合焊料。本发明提出了一种简单、可靠、高品质的制备近非晶态多相金属间化合物(IMC)样品的方法，这种IMC微米颗粒可成为改善SnBi焊料力学性能的一种潜在的复合材料增强体。
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公开(公告)号：CN113866214A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111113073.8
申请日：2021-09-23
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明公开一种电流作用下损耗因子测试装置及测试方法，包括控温加热炉、计算机、驱动机构、电源、第一铜丝和第二铜丝以及用于夹持试样两端的活动夹具和固定夹具，电源、第一铜丝、试样和第二铜丝形成电回路，用计算机控温加热炉在一定的频率和温度范围进行测试，同时打开电源、冷却气罐和保护气罐，计算机自带数据存储系统可以记录材料的损耗因子随温度的变化。本发明在测量材料的损耗因子随温度变化时引入了电流，实现了材料在电流作用下损耗因子的测量，弥补了以往损耗因子测试装置只能在非电场环境下测材料损耗因子的不足；因此，本发明的提出有一定的科学和工程意义，并且该方法的应用前景较广，实验装置简单，实际操作易于实现。
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公开(公告)号：CN112540100A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202011369727.9
申请日：2020-11-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于珀尔帖效应的微焊点热迁移装置及其测试方法，通过使用所述致热结构和致冷结构抵持所述试样，装置通电后进行热迁移测试，记录相应温度后使用有限元电热耦合分析，可获取试样焊点的温度梯度，从而获得可靠稳定的微焊点热迁移数据；根据珀尔帖效应改变加载电流控制焊点冷热端的温度差，得到较大的温度梯度；还可以通过控制焊点的高度得到不同的温度梯度；同时外部使用所述加固板组件夹持固定，结构简洁，解决了现有技术中的热迁移装置结构复杂、温度梯度不易控制的技术问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111885817A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010897260.9
申请日：2020-08-31
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种微焊点电迁移测试结构、制备夹具及制备方法，解决的是测试难度大、精度小的技术问题，通过采用重叠设置的第一PCB板和第二PCB板，第一PCB板和第二PCB板除横截面形状不同外，其余均完全相同且对称；第一PCB板与第二PCB板重叠的4个表面均相同且设置有至少两条铜布线，每条铜布线的两端各设有一个焊盘，在非焊盘的部分涂有用于阻焊的绿油层；同一平面的铜布线的走线角度不同；非接线端焊盘需形成微焊点阵列，微焊点阵列中的各个焊点均设有编号，焊点编号顺序为沿电流方向连续编号；第二PCB板设置有用于接入电源及测试电阻的接线端焊盘的技术方案，较好地解决了该问题，可用于微焊点电迁移测试中。
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公开(公告)号：CN116735653A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310394674.3
申请日：2023-04-13
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种微焊点电迁移测试系统和方法，所述包括差示扫描量热仪、计算机、直流电源、冷却组件和防氧化组件。差示扫描量热仪用于对微焊点温度场加载和调控，计算机用来记录和观察样品端和参比端的热流功率差随温度或时间的变化过程并施加控制，直流电源用于对微焊点的电场加载和调控，冷却组件用来对微焊点进行降温，防氧化组件用来保护加热体和防止微焊点氧化。所述方法包括：测试焊料的熔化温度和凝固温度；制备不同类型的微焊点；将微焊点固定在陶瓷坩埚中；将微焊点加热或降温到某一特定温度后通入直流电流、保温；完成微焊点的电迁移测试。本发明可实现对微焊点在不同电流强度和温度的电‑热耦合场作用下的电迁移实验。
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公开(公告)号：CN115341111A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202211004376.0
申请日：2022-08-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种Ni‑Sn系金属间化合物及其制备方法和应用。该Ni‑Sn系金属间化合物的制备方法包括：将Ni粉和Sn粉的球磨混合粉末压制成型后，再进行真空熔炼，以获得Ni‑Sn系金属间化合物。通过将Ni粉和Sn粉进行压制，使得Ni和Sn的相对位置能够固定，进而Ni和Sn在真空熔炼时，Ni和Sn能够充分进行反应，避免了在反应过程中生成Ni‑Sn金属间化合物的阻挡层，影响Ni和Sn的继续反应。因此，将熔炼获得高纯度的Ni‑Sn金属间化合物再次球磨等方式能够破碎粉末形态的Ni‑Sn金属间化合物。该方法结合了粉粉末冶金法和机械合金化法，克服了单一方法的不足和局限性，反应完全，成分单一，易于规模化生产。
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公开(公告)号：CN112255105A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011123233.2
申请日：2020-10-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种微焊点蠕变寿命测试装置及使用方法，包括支撑组件、夹紧组件和测量组件，支撑组件的底座、下支撑架和上支撑架依次连接，夹紧组件的第一夹持器和第二夹持器分别与上支撑架和下支撑架滑动连接，测量组件的挂圈安装在第二夹持器上，液体砝码通过挂绳和挂圈连接，测试系统安装在底座的一侧。通过第一夹持器和第二夹持器将试样固定，然后挂上预设重量的液体砝码，试样断裂后，液体砝码触发测试系统中的红外传感器以获得试样的蠕变寿命。本设备结构简单，并且可以对直径在0.5‑1mm之间的微焊点试样进行测试，相比于传统单轴拉伸的测试方法精度更高，从而可以降低测试成本。
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公开(公告)号：CN119372455A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411496706.1
申请日：2024-10-25
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及电子封装与半导体制造技术领域，尤其涉及一种在甲酸气氛下阻止锡飘散的方法。现有技术中，甲酸还原锡的过程中容易生成甲酸锡，并且甲酸锡升华为气相后难以被完全消耗，导致锡元素的飘散和质量损失，进而影响产品质量和生产稳定性。现有的气吹等方法无法有效解决这一问题。本发明通过在反应体系中加入贵金属催化剂，改变化学反应路径，有效阻止甲酸锡的生成，从而减少锡的飘散，提高工艺的稳定性和产品质量，降低生产成本和环境污染。本发明具有简单有效、工艺稳定、环保友好和经济效益显著等优点。
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