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公开(公告)号：CN105845827B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201610198297.6
申请日：2016-04-01
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种无衬底PbS/CH3NH3PbX3核壳纳米材料的制备方法。以分散在CH3NH3PbX3前驱液中的PbS纳米颗粒为种子，由于CH3NH3PbX3在非极性溶剂中的溶解度不高，通过滴入非极性溶剂的方法改变前驱液的极性使CH3NH3PbX3在PbS纳米颗粒表面析出，从而得到独立的无衬底PbS/CH3NH3PbX3核壳纳米材料。本发明方法操作简单，能够通过改变前驱液的浓度和成分配比控制CH3NH3PbX3壳层的厚度和成分，从而调节材料的吸光度和吸光范围，所制备的PbS/CH3NH3PbX3核壳纳米材料能够用于太阳能电池等光电领域。
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公开(公告)号：CN108511541A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810112864.0
申请日：2018-02-05
Applicant: 桂林理工大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/18 , B82Y30/00
CPC classification number: H01L31/0336 , B82Y30/00 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种2D MoS2-2D PbS范德华异质结光电纳米材料的制备方法。以分散在溶剂中的MoS2超薄层为载体，醋酸铅和硫代乙酰胺分别为铅源和硫源，通过油酸、三辛基膦和三氯乙烷配体的作用使PbS在MoS2上定向生长成薄膜，从而得到2D MoS2-2D PbS范德华异质结纳米复合材料。本发明操作简单，能够通过改变醋酸铅和硫代乙酰胺的浓度控制2D PbS层在MoS2超薄层上的附着量，复合材料的光电性能优于单独的2D MoS2材料，并且光电流随着2D PbS在复合材料中的含量的改变而发生变化，所制备的二维2D MoS2-2D PbS范德华异质结材料在光电领域有良好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108283931A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201711498698.4
申请日：2017-12-29
Applicant: 桂林理工大学
IPC: B01J27/051 , B01J35/00 , B01J37/30
CPC classification number: B01J37/30 , B01J27/051 , B01J35/0033 , B01J35/004
Abstract: 本发明公开了一种离子交换制备PbS-MoSx光电复合材料的方法。在合成PbS纳米片的基础上，通过离子交换，采用Mo5+离子将PbS纳米片表层的Pb2+离子交换出来，使表面转化为MoSx,形成PbS-MoSx的复合异质结构。本发明操作简单，能够通过改变离子交换的反应时间控制PbS纳米片表面MoSx层的厚度，从而改变材料的光电性能。离子交换反应后得到的复合物材料的光电性能优于单独的PbS纳米片，所制备的PbS-MoSx复合材料在光电领域有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN105845827A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610198297.6
申请日：2016-04-01
Applicant: 桂林理工大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/0045 , C01G21/21 , C01P2002/82 , C01P2002/84 , C01P2004/04 , C01P2004/64 , H01L51/42 , H01L2251/301
Abstract: 本发明公开了一种无衬底PbS/CH3NH3PbX3核壳纳米材料的制备方法。以分散在CH3NH3PbX3前驱液中的PbS纳米颗粒为种子，由于CH3NH3PbX3在非极性溶剂中的溶解度不高，通过滴入非极性溶剂的方法改变前驱液的极性使CH3NH3PbX3在PbS纳米颗粒表面析出，从而得到独立的无衬底PbS/CH3NH3PbX3核壳纳米材料。本发明方法操作简单，能够通过改变前驱液的浓度和成分配比控制CH3NH3PbX3壳层的厚度和成分，从而调节材料的吸光度和吸光范围，所制备的PbS/CH3NH3PbX3核壳纳米材料能够用于太阳能电池等光电领域。
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公开(公告)号：CN106892458A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201710064680.7
申请日：2017-02-05
Applicant: 桂林理工大学
CPC classification number: C01G39/06 , B82Y30/00 , C01G21/21 , C01P2002/01 , C01P2002/72 , C01P2004/04 , C01P2004/24 , C01P2004/64 , C01P2004/82
Abstract: 本发明公开了一种二维MoS2‑PbS纳米颗粒复合材料的制备方法。以分散在PbS前驱液中的MoS2纳米片为载体，随着前驱液中的硫源在一定温度下缓慢释放出S2‑，PbS纳米颗粒在MoS2纳米片上析出生长，从而得到二维MoS2‑PbS纳米颗粒复合材料。本发明方法操作简单，能够通过改变前驱液的浓度控制PbS颗粒在MoS2纳米片上的附着含量，从而调节复合材料的光电性能，所制备的二维MoS2‑PbS纳米颗粒复合材料能够用于光电领域。
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公开(公告)号：CN106892458B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201710064680.7
申请日：2017-02-05
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种二维MoS2‑PbS纳米颗粒复合材料的制备方法。以分散在PbS前驱液中的MoS2纳米片为载体，随着前驱液中的硫源在一定温度下缓慢释放出S2‑，PbS纳米颗粒在MoS2纳米片上析出生长，从而得到二维MoS2‑PbS纳米颗粒复合材料。本发明方法操作简单，能够通过改变前驱液的浓度控制PbS颗粒在MoS2纳米片上的附着含量，从而调节复合材料的光电性能，所制备的二维MoS2‑PbS纳米颗粒复合材料能够用于光电领域。
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公开(公告)号：CN105552237A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610084608.6
申请日：2016-02-14
Applicant: 桂林理工大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/42 , H01L51/0032
Abstract: 本发明公开了一种有机无机杂化钙钛矿薄膜的制备方法。以导电玻璃作为基底，采用电沉积的方法制备硫化铅薄膜，并以硫化铅薄膜作为前驱体，碘单质作为碘化剂将硫化铅碘化为碘化铅，再与甲基卤化铵反应得到钙钛矿薄膜。本发明方法能够大面积操作，膜层的面积和形状可控，通过腐蚀导电面的方法可控制电沉积的面积和形状；膜层的厚度可控，通过调节电沉积的时间能够方便的控制膜层厚度；膜层的化学成分可控，通过改变CH3NH3X溶液中I和Br的比例能够得到成分不同的膜层，从而得到物理性质不同的钙钛矿薄膜，且得到的膜层较均匀，致密性好。
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