公开(公告)号：CN112701151A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN201911013564.8

申请日：2019-10-23

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 李诚瞻 ,  罗烨辉 ,  周正东 ,  刘芹 ,  王志成 ,  龚芷玉 ,  魏伟 ,  戴小平

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/265

Abstract: 本公开提供一种SiC MOSFET器件的制造方法及SiC MOSFET器件。该方法包括：提供SiC外延片，在所述SiC外延片表面沉积生长掩膜层；刻蚀所述掩膜层，在所述掩膜层上形成第一刻蚀槽；再次刻蚀所述掩膜层，在所述第一刻蚀槽内形成第二刻蚀槽；通过第一刻蚀槽和第二刻蚀槽构成的离子注入窗口，注入第一高能离子，形成阶梯状形貌的阱区；注入第二高能离子，形成源区。本公开通过阶梯状形貌的离子注入窗口，来实现自对准工艺，可以非常精确的实现对沟道长度和位置的控制，工艺简单稳定。同时，形成阶梯状形貌的P阱区，扩展了两个P阱区之间的JFET区，增大了JFET区电流横向输出路径，进一步提升器件大电流密度输出能力。

公开(公告)号：CN112701151B

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN201911013564.8

申请日：2019-10-23

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 李诚瞻 ,  罗烨辉 ,  周正东 ,  刘芹 ,  王志成 ,  龚芷玉 ,  魏伟 ,  戴小平

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/265

Abstract: 本公开提供一种SiC MOSFET器件的制造方法及SiC MOSFET器件。该方法包括：提供SiC外延片，在所述SiC外延片表面沉积生长掩膜层；刻蚀所述掩膜层，在所述掩膜层上形成第一刻蚀槽；再次刻蚀所述掩膜层，在所述第一刻蚀槽内形成第二刻蚀槽；通过第一刻蚀槽和第二刻蚀槽构成的离子注入窗口，注入第一高能离子，形成阶梯状形貌的阱区；注入第二高能离子，形成源区。本公开通过阶梯状形貌的离子注入窗口，来实现自对准工艺，可以非常精确的实现对沟道长度和位置的控制，工艺简单稳定。同时，形成阶梯状形貌的P阱区，扩展了两个P阱区之间的JFET区，增大了JFET区电流横向输出路径，进一步提升器件大电流密度输出能力。

公开(公告)号：CN211350608U

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN201921955406.X

申请日：2019-11-13

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 魏伟 ,  赵艳黎 ,  李诚瞻 ,  郑昌伟 ,  曾亮

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  G03F7/20

Abstract: 本实用新型提出了一种能够降低晶片吸附翘曲度的辅助装置及投影光刻机，本实用新型的辅助装置包括压紧基体及升降机构，所述压紧基体通过联结部与升降机构相连，所述压紧基体能够在升降机构的控制下沿竖直方向上下运动。本实用新型的能够降低晶片吸附翘曲度的辅助装置及投影光刻机，能够通过压环将翘曲片压在载片台上，可以使晶片和载片台之间形成密闭腔，完成真空吸附，同时可以保证其吸附后的平坦度达到正常晶片的水准。