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公开(公告)号：CN101693354A
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200910211501.3
申请日：2003-12-26
CPC classification number: B24B37/015 , B24B41/061 , B24B55/02
Abstract: 公开了一种基片抛光方法，用于抛光基片，所述方法包括：提供用于保持基片的基片保持机构、具有抛光面的抛光台、用于将抛光液供应到抛光面上的抛光液供应嘴、用于被气体从中流经的气体流道、用于控制气体在气体流道中的流速的开度可调型定流量控制阀；抛光基片，其中将要被抛光的基片被基片保持机构保持并推压，从而基片被推压在抛光台的抛光面上，在抛光液被供应到抛光面上的同时，基片与抛光面相对运动，从而利用相对运动将基片抛光；其中，通过调节开度可调型定流量控制阀的开度来控制气体在气体流道中的流速，以便在抛光时连续地将气体直接供应到基片上，从而在基片的抛光过程中，基片的温度被维持在从40℃至65℃的范围内。
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公开(公告)号：CN101306512A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810125500.2
申请日：2003-12-26
IPC: B24B29/00 , H01L21/304
Abstract: 一种基片抛光设备包括：基片保持机构；具有抛光面的抛光台；其中，由所述基片保持机构保持着的将要被抛光的基片被推压在所述抛光台的抛光面上，通过由所述基片保持机构保持着的所述基片和所述抛光台的抛光面之间的相对运动，所述基片被抛光；其中，设有冷却装置，用于冷却所述抛光台的抛光面和所述基片保持机构的基片保持部分；所述冷却装置包括具有引入口和排出口的拱顶，所述拱顶覆盖所述抛光台的抛光面和所述基片保持机构的基片保持部分，以便利用通过对所述拱顶的内侧部分地抽真空而产生的气流来冷却所述抛光台的抛光面和所述基片保持机构的基片保持部分。
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公开(公告)号：CN100566938C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200380107815.X
申请日：2003-12-26
Abstract: 一种基片抛光方法，其中，由基片保持机构保持着的将要被抛光的基片被推压在抛光台的抛光面上，同时抛光液被供应到所述抛光面上，所述基片通过基片和抛光面之间的相对运动而被抛光。在所述基片的抛光过程中，所述基片的温度被维持在从40℃至65℃的范围内。
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公开(公告)号：CN1732068A
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200380107815.X
申请日：2003-12-26
Abstract: 公开了基片保持机构、基片抛光设备和基片抛光方法，能够使得在对被抛光基片进行抛光的过程中产生的热量最小化，有效地冷却基片保持机构的基片保持部分，并且有效地防止抛光液和抛光碎屑粘着并干燥于基片保持部分的外周部。基片保持机构(顶环(1))具有安装凸缘(2)、支承件(6)和限位环(3)。将要被抛光的基片(W)被保持在由限位环包围的支承件的下侧，基片被推压在抛光面上。安装凸缘设有至少与限位环连接的流道(26)。温度受控的气体通过流道供应，以冷却安装凸缘、支承件和限位环。限位环设有与流道相通的多个通孔(3a)，用于将流经流道的喷射气体喷射在抛光台的抛光面上。
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公开(公告)号：CN112706002B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202011147586.6
申请日：2020-10-23
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明提供能够正确确定基板的研磨终点的研磨方法及研磨装置。本方法为，使支承研磨垫(2)的研磨台(3)旋转，由研磨头(10)将基板(W)向研磨垫(2)的研磨面(2a)按压而对基板(W)进行研磨，对基板(W)进行研磨的工序包括一面使研磨头(10)沿着研磨面(2a)摆动一面对基板(W)进行研磨的摆动研磨工序，和在使研磨头(10)的摆动停止的状态下对基板(W)进行研磨的静止研磨工序，静止研磨工序在摆动研磨工序后进行，静止研磨工序包括确定静止研磨终点的工序，该静止研磨终点是用来使研磨台(3)旋转的转矩的变化的比例达到变化比例阈值的时间点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108515447B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201810348607.7
申请日：2009-08-07
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明涉及抛光衬底的方法和装置，尤其是提出一种抛光方法，用于将诸如半导体晶片的衬底抛光至平坦镜面光洁度。通过抛光装置实施抛光衬底的方法，该抛光装置包括具有抛光表面的抛光台(100)、用于保持衬底并将衬底压抵抛光表面的顶圈(1)以及用于沿垂直方向移动顶圈(1)的可垂直移动机构(24)。在衬底压抵抛光表面之前，顶圈(1)移动至第一高度，且接着在衬底压抵抛光表面之后，顶圈(1)移动至第二高度。
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公开(公告)号：CN103962941B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201410039682.7
申请日：2014-01-27
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10
CPC classification number: B24B7/228 , B24B21/004 , B24B21/06 , B24B37/04 , B24B37/042 , B24B37/30
Abstract: 一种研磨方法，用基板保持部(17、42)对基板(W)进行保持，一边使基板(W)旋转，一边使研磨件(22、44)与基板(W)的整个背面滑动接触，由此研磨整个背面。背面研磨工序包括：一边用基板保持部(17)对基板(W)的中心侧区域进行保持，一边对背面的外周侧区域进行研磨；一边用第2基板保持部(42)对基板(W)的伞形部进行保持，一边对背面的中心侧区域进行研磨。采用本发明，能以较高的去除率去除附着在晶片等基板整个背面上的杂质。
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公开(公告)号：CN104044057A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410104150.7
申请日：2005-10-31
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: B24B37/20 , B24B37/005 , B24B37/10 , B24B37/105 , B24B37/30 , B24B37/32 , B24B47/22 , B24B49/00 , B24B49/16
Abstract: 抛光设备（1）具有抛光垫（22）、用于夹持半导体晶片（W）的顶环（20）、可操作地沿垂直方向移动顶环（20）的垂直运动机构（24）、当顶环（20）的下表面接触抛光垫（22）时可操作地检测顶环（20）的距离测量传感器（46）、可操作地基于距离测量传感器（46）检测到的位置计算顶环（20）抛光半导体晶片（W）的最佳位置的控制器（47）。垂直运动机构（24）包括可操作地将顶环（20）移动到最佳位置的滚珠丝杆机构（30，32，38，42）。
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公开(公告)号：CN103962918A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410043731.4
申请日：2014-01-29
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: B24B9/065 , B24B21/002 , B24B21/004 , B24B21/008 , B24B21/06 , B24B27/0076 , H01L21/02035 , H01L21/463
Abstract: 一种研磨方法，使基板(W)旋转，按压第1研磨件(3A)使其与基板(W)的边缘部接触而对该边缘部进行研磨，按压第2研磨件(3B)使其与边缘部接触而对该边缘部进行研磨，所述第2研磨件在基板(W)的径向配置在第1研磨件(3A)的内侧，第1研磨件(3A)具有比第2研磨件(3B)粗的研磨面。采用本发明，可提高研磨速率，且可在基板的边缘部上形成平滑的垂直面。
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公开(公告)号：CN103659534A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310444560.1
申请日：2013-09-23
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B21/06
CPC classification number: B24B9/065 , B24B9/102 , B24B21/00 , B24B21/002 , B24B21/20
Abstract: 本发明提供一种研磨方法，能够在晶片的边缘部形成光滑的垂直面。本发明的研磨方法，使晶片（W）旋转，进行第一研磨工序：在使研磨带（38）的一部分从推压垫（51）朝晶片（W）的半径方向内侧突出的状态下，通过推压垫（51）将研磨带（38）相对于晶片（W）的边缘部推抵而对该晶片（W）的边缘部进行研磨，并且将研磨带（38）的一部分沿推压垫（51）折弯；将折弯的研磨带（38）的一部分通过推压垫（51）朝晶片（W）的半径方向内侧推压，由此进行以研磨带（38）对晶片（W）的边缘部进一步研磨的第二研磨工序。
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