公开(公告)号：CN107263304A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710226920.9

申请日：2017-04-06

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 柏木诚 ,  山下道义

IPC: B24B37/34 ,  B24B49/16 ,  B24B47/26 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种可将研磨负荷维持在适当范围内的研磨装置。研磨装置具备：用于将研磨器具(7)按压于基板(W)的按压构件(11)；朝向基板保持部(1)上的基板(W)的规定的方向对按压构件(11)施力的致动器(25)；可与按压构件(11)一体地移动的定位构件(31)；限制按压构件(11)及定位构件(31)的移动的止动件(35)；使止动件(35)向规定的方向移动的止动件移动机构(37)；获得负荷反馈值的研磨负荷检测部(40、41)，该负荷反馈值根据被施加于按压构件(11)的研磨负荷而改变；以及决定止动件(35)的移动速度的止动件速度决定部(43)，该止动件(35)可使负荷反馈值在设定范围内。

公开(公告)号：CN103659534A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310444560.1

申请日：2013-09-23

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 户川哲二 ,  吉田笃史 ,  山下道义

IPC: B24B21/06

CPC classification number: B24B9/065 ,  B24B9/102 ,  B24B21/00 ,  B24B21/002 ,  B24B21/20

Abstract: 本发明提供一种研磨方法，能够在晶片的边缘部形成光滑的垂直面。本发明的研磨方法，使晶片（W）旋转，进行第一研磨工序：在使研磨带（38）的一部分从推压垫（51）朝晶片（W）的半径方向内侧突出的状态下，通过推压垫（51）将研磨带（38）相对于晶片（W）的边缘部推抵而对该晶片（W）的边缘部进行研磨，并且将研磨带（38）的一部分沿推压垫（51）折弯；将折弯的研磨带（38）的一部分通过推压垫（51）朝晶片（W）的半径方向内侧推压，由此进行以研磨带（38）对晶片（W）的边缘部进一步研磨的第二研磨工序。

公开(公告)号：CN115885367A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202180052111.5

申请日：2021-06-25

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 佐竹正行 ,  中西正行 ,  山下道义

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明关于一种抑制接合多个基板而制造的层叠基板的裂纹和碎裂的基板处理方法。进而，本发明关于一种能够实施这样的基板处理方法的基板处理装置。本方法使将第一基板(W1)与第二基板(W2)接合而制造的层叠基板(Ws)旋转，将具有热固化性的填充剂(F)涂敷至第一基板(W1)的周缘部与第二基板(W2)的周缘部之间的间隙，使该填充剂(F)固化，涂敷填充剂(F)的工序与使填充剂(F)固化的工序在同一个处理室(21)内连续进行。

公开(公告)号：CN107263304B

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201710226920.9

申请日：2017-04-06

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 柏木诚 ,  山下道义

IPC: B24B37/34 ,  B24B49/16 ,  B24B47/26 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种可将研磨负荷维持在适当范围内的研磨装置。研磨装置具备：用于将研磨器具(7)按压于基板(W)的按压构件(11)；朝向基板保持部(1)上的基板(W)的规定的方向对按压构件(11)施力的致动器(25)；可与按压构件(11)一体地移动的定位构件(31)；限制按压构件(11)及定位构件(31)的移动的止动件(35)；使止动件(35)向规定的方向移动的止动件移动机构(37)；获得负荷反馈值的研磨负荷检测部(40、41)，该负荷反馈值根据被施加于按压构件(11)的研磨负荷而改变；以及决定止动件(35)的移动速度的止动件速度决定部(43)，该止动件(35)可使负荷反馈值在设定范围内。

公开(公告)号：CN103659534B

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201310444560.1

申请日：2013-09-23

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 户川哲二 ,  吉田笃史 ,  山下道义

IPC: B24B21/06

Abstract: 本发明提供一种研磨方法，能够在晶片的边缘部形成光滑的垂直面。本发明的研磨方法，使晶片（W）旋转，进行第一研磨工序：在使研磨带（38）的一部分从推压垫（51）朝晶片（W）的半径方向内侧突出的状态下，通过推压垫（51）将研磨带（38）相对于晶片（W）的边缘部推抵而对该晶片（W）的边缘部进行研磨，并且将研磨带（38）的一部分沿推压垫（51）折弯；将折弯的研磨带（38）的一部分通过推压垫（51）朝晶片（W）的半径方向内侧推压，由此进行以研磨带（38）对晶片（W）的边缘部进一步研磨的第二研磨工序。