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公开(公告)号：CN102033144A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010298497.1
申请日：2010-09-29
CPC classification number: H01B5/00 , G01R1/06738 , G01R1/06761 , H01R13/03
Abstract: 提供一种电接点构件，可极力降低至少具有角的这种电接点构件在使用时构成问题的这种碳皮膜的剥离，能够长期保持稳定的电接触。一种电接点构件，是在具有角的前端部与被测体反复接触的电接点构件，其特征在于，包括：基材；形成在所述前端部的基材表面上，含有Au、Au合金、Pd或Pd合金的衬底层；形成在该衬底层表面上的中间层；形成在该中间层的表面上，含有金属和该金属的碳化物中的至少一个的碳皮膜，并且，所述中间层为层叠构造，其具有：含有Ni或Ni合金的内侧层；和含有Cr、Cr合金、W、W合金中的至少一种的外侧层。
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公开(公告)号：CN102033144B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201010298497.1
申请日：2010-09-29
CPC classification number: H01B5/00 , G01R1/06738 , G01R1/06761 , H01R13/03
Abstract: 提供一种电接点构件，可极力降低至少具有角的这种电接点构件在使用时构成问题的这种碳皮膜的剥离，能够长期保持稳定的电接触。一种电接点构件，是在具有角的前端部与被测体反复接触的电接点构件，其特征在于，包括：基材；形成在所述前端部的基材表面上，含有Au、Au合金、Pd或Pd合金的衬底层；形成在该衬底层表面上的中间层；形成在该中间层的表面上，含有金属和该金属的碳化物中的至少一个的碳皮膜，并且，所述中间层为层叠构造，其具有：含有Ni或Ni合金的内侧层；和含有Cr、Cr合金、W、W合金中的至少一种的外侧层。
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公开(公告)号：CN102884437B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201180023166.X
申请日：2011-05-10
IPC: G01R1/067
CPC classification number: G01R1/06761 , G01R3/00 , G01R35/00
Abstract: 提供一种能够实现与被测器件(特别是被测器件中含有的Sn)的低附着性，并且能够长期保持稳定接触电阻的接触式探针和具有它的连接装置。本发明涉及一种与电极反复接触的接触式探针，其中，在与电极接触的所述接触式探针的表面，形成有含有金属元件的碳被膜，所述金属元素在碳被膜表面的浓度比碳被膜整体的平均浓度低。
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公开(公告)号：CN103210314B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180055264.1
申请日：2011-11-16
IPC: G01R1/067
CPC classification number: G01R1/06738 , G01R1/06761 , H01R13/03
Abstract: 本发明提供一种接触探针销，其对于前端分割的基材，形成兼备导电性和耐久性的碳皮膜，即使在使用环境达到高温这样的状况下，也能够极力减少Sn附着，长期保持稳定的电接触。本发明涉及一种接触探针销，其具有被分割成2相以上的突起的前端，由该突起反复与被测面接触的接触探针销，其中，至少在所述突起的表面，形成含有金属元素的碳皮膜，并且所述突起的顶部的曲率半径为30μm以上。
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公开(公告)号：CN103210314A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201180055264.1
申请日：2011-11-16
CPC classification number: G01R1/06738 , G01R1/06761 , H01R13/03
Abstract: 本发明提供一种接触探针销，其对于前端分割的基材，形成兼备导电性和耐久性的碳皮膜，即使在使用环境达到高温这样的状况下，也能够极力减少Sn附着，长期保持稳定的电接触。本发明涉及一种接触探针销，其具有被分割成2相以上的突起的前端，由该突起反复与被测面接触的接触探针销，其中，至少在所述突起的表面，形成含有金属元素的碳皮膜，并且所述突起的顶部的曲率半径为30μm以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101995496B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201010247383.4
申请日：2010-08-05
CPC classification number: H01R13/22 , G01R1/06738 , G01R1/06761 , H01R13/03 , Y10T428/30
Abstract: 本发明提供一种兼具导电性和耐久性并能够实现被检测体(特别是其所含的Sn)的低附着性和长期保持稳定的电接触的接触探针。本发明涉及的接触探针具有基材、和含有金属及其碳化物中的至少一种的碳被膜，该碳被膜连续地形成在接触探针的前端部到侧面部的表面上，碳被膜中的金属及其碳化物中的至少一种的含量从所述前端部朝向侧面部连续或者间断地减少。
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公开(公告)号：CN102884437A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201180023166.X
申请日：2011-05-10
IPC: G01R1/067
CPC classification number: G01R1/06761 , G01R3/00 , G01R35/00
Abstract: 提供一种能够实现与被测器件(特别是被测器件中含有的Sn)的低附着性，并且能够长期保持稳定接触电阻的接触式探针和具有它的连接装置。本发明涉及一种与电极反复接触的接触式探针，其中，在与电极接触的所述接触式探针的表面，形成有含有金属元件的碳被膜，所述金属元素在碳被膜表面的浓度比碳被膜整体的平均浓度低。
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公开(公告)号：CN101995496A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010247383.4
申请日：2010-08-05
CPC classification number: H01R13/22 , G01R1/06738 , G01R1/06761 , H01R13/03 , Y10T428/30
Abstract: 本发明提供一种兼具导电性和耐久性并能够实现被检测体(特别是其所含的Sn)的低附着性和长期保持稳定的电接触的接触探针。本发明涉及的接触探针具有基材、和含有金属及其碳化物中的至少一种的碳被膜，该碳被膜连续地形成在接触探针的前端部到侧面部的表面上，碳被膜中的金属及其碳化物中的至少一种的含量从所述前端部朝向侧面部连续或者间断地减少。
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公开(公告)号：CN101410999A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200780011552.0
申请日：2007-03-28
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: G01F1/692 , B81B2201/0278 , B81B2203/0127 , B81C1/00666 , B81C2201/0169 , B81C2201/0178 , C23C16/402 , C23C16/56 , Y10T428/24488 , Y10T428/24612
Abstract: 本发明提供一种可以容易地制造、具有优异的绝热性能和高质量的膜片结构元件。还提供一种用于制造这种膜片结构元件的方法。所述膜片结构元件配置有由氧化硅膜形成的膜片，以及基板，所述基板通过支持所述膜片的外围的一部分而以中空状态支持所述膜片。用于制造这种膜片的方法具有：膜形成步骤，即通过等离子体CVD法在硅基板(2)的表面侧上形成热收缩性氧化硅膜(13)；热处理步骤，即使用加热进行热处理以使形成在所述基板(1)上的所述氧化硅膜(13)收缩；以及去除步骤，即去除所述基板(2)的一部分，使得所述氧化硅膜(13)与所述膜片对应的部分作为膜片相对于所述基板(2)以中空状态被支持，并且形成凹部(4)。
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