公开(公告)号：CN116344515A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202211655190.1

申请日：2022-12-21

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 神谷真行

IPC: H01L23/60 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

Abstract: 一种半导体模块(1)，包括绝缘板(10)、石墨板和半导体元件(40)。石墨板由石墨烯层的堆叠提供。石墨板具有接合到绝缘板的第一表面和与第一表面相反的第二表面。半导体元件邻近石墨板的第二表面设置。绝缘板在沿垂直于石墨板的方向的平面图中从石墨板延伸。

公开(公告)号：CN118588665A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410233606.3

申请日：2024-03-01

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社 ,  太阳金网株式会社 ,  四国计测工业株式会社 ,  莫纳技术株式会社

Inventor： 伊藤槙哉 ,  岩重朝仁 ,  神谷真行 ,  横山弘树

IPC: H01L23/473 ,  H01L23/467 ,  H01L23/427 ,  H01L23/367 ,  F25B21/02

Abstract: 提供热输送装置和半导体模组。热输送装置具备壳体(4)、芯(5)及蒸气流路(6)。壳体在内侧具有被封入工作流体的密闭空间。芯在壳体4的内侧形成供液相的工作流体流动的毛细管流路。蒸气流路是在壳体的内侧供气相的工作流体流动的部位。将壳体的外壁中的配置发热体的部位称作发热体配置部(44)。将壳体的外壁中的除了发热体配置部以外的部位称作发热体非配置部(45)。将在壳体的内侧相对于发热体配置部位于壳体的厚度方向的部位称作受热部(46)。将在壳体的内侧相对于发热体非配置部位于壳体的厚度方向的部位称作散热部(47)。芯和蒸气流路都设置在受热部和散热部中。

公开(公告)号：CN119133117A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202410669421.7

申请日：2024-05-28

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 神谷真行

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373

Abstract: 半导体模块(1)具备散热板(20)与半导体元件(10)。散热板(20)具有包含导热率具有各向异性的材料而形成的第1散热部(21)以及第2散热部(22)。第1散热部(21)包含在散热板(20)的厚度方向上与半导体元件(10)对置的位置而设置，在与散热板(20)的厚度方向平行的任意的第1虚拟面的面内方向上具有高导热性。第2散热部(22)在与第1虚拟面的面内方向平行且与散热板(20)的厚度方向垂直的方向上连接于第1散热部(21)，在与散热板(20)的厚度方向垂直的第2虚拟面的面内方向上具有高导热性。

公开(公告)号：CN119108361A

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202410720132.5

申请日：2024-06-05

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 浦本幸治 ,  神谷真行 ,  青岛正贵

IPC: H01L23/373

Abstract: 半导体装置具备：芯片状的半导体元件(10)；以及各向异性石墨(30)，具有配置半导体元件的一面(31)，将沿着该一面的一个方向作为c轴方向；经由第1接合层(20)在各向异性石墨的一面上接合半导体元件。此外，隔着各向异性石墨而在半导体元件的相反侧配置陶瓷基板(70)。并且，在各向异性石墨与陶瓷基板之间配置由金属制的板状部件构成的金属板(50)。

公开(公告)号：CN108417500A

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201810122775.4

申请日：2018-02-07

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 神谷真行

IPC: H01L21/52

Abstract: 提供一种半导体装置及其制造方法，抑制金属块的下部的焊料层变薄。半导体装置具有配线构件、配置在配线构件的上部的半导体芯片及配置在半导体基板的上部的金属块。半导体芯片具有半导体基板、下部电极、上部大电极及上部小电极。半导体芯片具有相对于其重心位于上部小电极侧的第一部分和位于相反侧的第二部分。金属块的重心配置在第二部分的上部。下部电极通过下部焊料层与配线构件连接。下部焊料层具有焊料母材和金属颗粒。金属颗粒在位于第二部分的下部的下部焊料层中所占的体积比率比金属颗粒在位于第一部分的下部的下部焊料层中所占的体积比率高。

公开(公告)号：CN108417500B

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201810122775.4

申请日：2018-02-07

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 神谷真行

IPC: H01L21/52

Abstract: 提供一种半导体装置及其制造方法，抑制金属块的下部的焊料层变薄。半导体装置具有配线构件、配置在配线构件的上部的半导体芯片及配置在半导体基板的上部的金属块。半导体芯片具有半导体基板、下部电极、上部大电极及上部小电极。半导体芯片具有相对于其重心位于上部小电极侧的第一部分和位于相反侧的第二部分。金属块的重心配置在第二部分的上部。下部电极通过下部焊料层与配线构件连接。下部焊料层具有焊料母材和金属颗粒。金属颗粒在位于第二部分的下部的下部焊料层中所占的体积比率比金属颗粒在位于第一部分的下部的下部焊料层中所占的体积比率高。

公开(公告)号：CN112151598A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202010592346.0

申请日：2020-06-24

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 神谷真行 ,  川岛崇功

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明的技术课题是让高的电流流过在端子的外侧的范围设置有有源区的半导体装置。一种半导体装置，具有：半导体基板；上部电极，设置于所述半导体基板的上表面；下部电极，其设置于所述半导体基板的下表面；以及端子，其与所述上部电极连接。所述半导体基板具有形成有开关元件的有源区，所述开关元件能够让电流流过所述上部电极与所述下部电极之间。所述有源区具有位于所述端子的正下方的主要区域、和位于所述主要区域的外部的外部区域。所述外部区域具有低电流区域。在所述低电流区域内的所述开关元件以及所述主要区域内的所述开关元件接通了时，所述低电流区域内的电流密度比所述主要区域内的电流密度低。