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公开(公告)号:CN118805251A
公开(公告)日:2024-10-18
申请号:CN202380024630.X
申请日:2023-02-10
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 在基板(50)配置有半导体元件,漏极电极与表面金属体(52)电连接。主端子(91)在与表面金属体(52)之间形成有一个基于固相接合的接合部(120)。镀膜(130)以将接合部(120)覆盖的方式设在表面金属体(52)及主端子(91)上。主端子(91)作为与表面金属体(52)重叠的重叠区域(911)而具有提供接合部的接合区域(912)和在主端子(91)的至少宽度方向上与接合区域(912)邻接设置的非接合区域(913)。主端子(91)是重叠区域(911)的宽度比接合部(120)的宽度大的宽度较宽端子。
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公开(公告)号:CN111599796B
公开(公告)日:2023-09-08
申请号:CN202010103600.6
申请日:2020-02-20
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 本发明提供一种半导体模块,其具备多个半导体元件、以及与多个半导体元件电连接的第一电力端子、第二电力端子和第三电力端子。多个半导体元件具有在第一电力端子与第二电力端子之间电连接的至少一个上臂开关元件、以及在第二电力端子与第三电力端子之间电连接的至少一个下臂开关元件。而且,至少一个上臂开关元件的数量与至少一个下臂开关元件的数量不同。
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公开(公告)号:CN110858577B
公开(公告)日:2023-03-21
申请号:CN201910771192.9
申请日:2019-08-21
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/498 , H01L25/07 , H01L25/18
Abstract: 本说明书所公开的半导体装置具备半导体元件和配置有半导体元件的层压基板。层压基板具有:绝缘基板、位于该绝缘基板的一侧的第一导体层、以及位于该绝缘基板的另一侧并且体积比第一导体层小的第二导体层。相比第一导体层的材料和第二导体层的材料,绝缘基板的材料的线膨胀系数小、且刚性高。另外,在绝缘基板的一侧设置有沿第一导体层的侧面突出的突出部。
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公开(公告)号:CN117337491A
公开(公告)日:2024-01-02
申请号:CN202280037247.3
申请日:2022-04-21
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L25/07
Abstract: 半导体装置具备在两面具有主电极的半导体元件、在绝缘基材(51)的两面配置有金属体(52、53)的基板(50)、作为金属部件的输出端子(92)。输出端子(92)经由接合材料(104)而与连接着半导体元件的主电极的表面金属体(52)连接。输出端子(92)具有与表面金属体(52)的上表面(52a)对置的对置面(920)、以及与对置面(920)邻接设置的提供接合材料(104)的收容空间的收容部(921)。在对置面(920)与上表面(52a)接触的状态下,接合材料(104)被收容在收容部(921)内。
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公开(公告)号:CN110047807B
公开(公告)日:2023-04-21
申请号:CN201910042011.9
申请日:2019-01-17
Applicant: 株式会社电装
Inventor: 土持真悟
IPC: H01L23/12 , H01L23/367
Abstract: 本发明是一种半导体装置。半导体装置具备第一半导体元件、与第一半导体元件连接的第一散热板、一体地保持第一半导体元件和第一散热板的密封体、以及与第一半导体元件电连接并且从密封体突出的第一端子。第一散热板具有绝缘基板、内侧导体层和外侧导体层。所述外侧导体层在密封体的第一主表面露出。第一端子从密封体的与第一主表面相邻的第一侧面突出。在密封体的第一主表面,在位于外侧导体层与第一侧面之间的范围内,设置有在沿着第一侧面的方向上延伸的至少一个第一槽。
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公开(公告)号:CN109599384B
公开(公告)日:2022-11-15
申请号:CN201811134621.3
申请日:2018-09-28
Applicant: 株式会社电装
Inventor: 土持真悟
IPC: H01L23/498 , H01L23/31
Abstract: 半导体器件具备:绝缘基板,具有在两面分别设置有第1金属层及第2金属层的绝缘层;半导体元件,设置于所述第1金属层上;以及外部连接端子,与所述第1金属层接合,并且与所述第2金属层电绝缘。所述第1金属层具有:主部,与所述绝缘层接触,并设置有所述半导体元件;以及突出部,从所述主部突出,并且接合所述外部连接端子。所述突出部的至少一部分被设置成在俯视所述绝缘基板时,从所述绝缘层的外周缘突出。
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