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1.

发明授权
半导体装置有权

公开(公告)号：CN110858577B

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN201910771192.9

申请日：2019-08-21

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 椎崎良辅 , 榊原明徳 , 土持真悟

IPC: H01L23/498 , H01L25/07 , H01L25/18

Abstract: 本说明书所公开的半导体装置具备半导体元件和配置有半导体元件的层压基板。层压基板具有：绝缘基板、位于该绝缘基板的一侧的第一导体层、以及位于该绝缘基板的另一侧并且体积比第一导体层小的第二导体层。相比第一导体层的材料和第二导体层的材料，绝缘基板的材料的线膨胀系数小、且刚性高。另外，在绝缘基板的一侧设置有沿第一导体层的侧面突出的突出部。

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