公开(公告)号：CN101587865A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200910145972.9

申请日：2004-07-19

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 福村达也 ,  池田良广 ,  鸣海俊一 ,  武末出美

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/28 ,  H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L27/11517 ,  G11C16/0433 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/768 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/42376

Abstract: 本发明涉及减小尺寸的具有非易失存储器的半导体器件。在具有AND型快闪存储器中，多个非易失存储单元具有有多个第一电极、与多个第一电极交叉的多个字线以及多个浮置栅极，所述浮置栅极设置在分别位于多个相邻第一电极之间的部分上且在平面图上与多个字线重叠，多个浮置栅极形成为横截面为凸起状，并且比第一电极高。结果是，即使减小非易失存储单元的尺寸，也可以很容易地处理浮置栅极。此外，可以提高字线的浮置栅极和控制栅极之间的耦合比而不增加由非易失存储单元所占据的面积。

公开(公告)号：CN1591904A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410069773.1

申请日：2004-07-19

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 福村达也 ,  池田良广 ,  鸣海俊一 ,  武末出美

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/115 ,  H01L27/105 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L27/11517 ,  G11C16/0433 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/768 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/42376

Abstract: 本发明涉及减小尺寸的具有非易失存储器的半导体器件。在具有AND型快闪存储器中，多个非易失存储单元具有有多个第一电极、与多个第一电极交叉的多个字线以及多个浮置栅极，所述浮置栅极设置在分别位于多个相邻第一电极之间的部分上且在平面图上与多个字线重叠，多个浮置栅极形成为横截面为凸起状，并且比第一电极高。结果是，即使减小非易失存储单元的尺寸，也可以很容易地处理浮置栅极。此外，可以提高字线的浮置栅极和控制栅极之间的耦合比而不增加由非易失存储单元所占据的面积。