分波装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105850038B

    公开(公告)日:2019-01-08

    申请号:CN201480070895.4

    申请日:2014-12-22

    Inventor: 筏克弘

    Abstract: 分波装置(10)包括开关(SW1)、固定滤波电路(11)及可调滤波器(TF1)。开关(SW1)具有公共端子(Ps11)、独立端子(Ps12、Ps13)。固定滤波电路(11)与独立端子(Ps12)相连接,通频带被固定。可调滤波器(TF1)与独立端子(Ps13)相连接,通频带为可调。固定滤波电路(11)包含有通频带不同的滤波器(FIL1、FIL2)。滤波器(FIL1、FIL2)的通频带对应于载波聚合所使用的频段。

    表面声波滤波器和使用它的通信装置

    公开(公告)号:CN1267132A

    公开(公告)日:2000-09-20

    申请号:CN00103787.0

    申请日:2000-03-10

    Inventor: 筏克弘

    CPC classification number: H03H9/1071 H03H9/6483

    Abstract: 本发明提供了一种表面声波滤波器,它包括表面声波元件,该表面声波元件包含压电基片,所述压电基片具有设置在其上的IDT、输入/输出端子和基准电位端子,以及封壳,所述封壳封装了表面声波元件,并具有电极接合区和外部端子。谐振器的谐振频率(由封壳的外部端子的基准电位端子产生的电感确定)位于超外差系统中进行频率变换时产生的镜像频率附近。

    声表面波器件
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1219003A

    公开(公告)日:1999-06-09

    申请号:CN98118642.4

    申请日:1998-08-21

    Inventor: 筏克弘

    CPC classification number: H03H9/72 H03H9/0576 H03H2250/00

    Abstract: 一种声表面波器件,其中第一和第二SAW滤波器并联在连接到输入终端或输出终端的连接点处。声表面波器件包括在第二SAW滤波器的通带中具有容性阻抗,并且具有比第二SAW滤波器的通带更高的通带的第一SAW滤波器,和在第一SAW滤波器的通带中具有容性阻抗,并具有比第一SAW滤波器的通带更低的通带的第二SAW滤波器。第二SAW滤波器并联在第一SAW滤波器输入端或输出端侧的连接点。

    表面声波滤波器和使用它的通信装置

    公开(公告)号:CN1315256C

    公开(公告)日:2007-05-09

    申请号:CN200410004044.8

    申请日:2000-03-10

    Inventor: 筏克弘

    CPC classification number: H03H9/1071 H03H9/6483

    Abstract: 本发明提供了一种表面声波滤波器,它包括表面声波元件,该表面声波元件包含压电基片,所述压电基片具有设置在其上的IDT、输入/输出端子和基准电位端子,以及封壳,所述封壳封装了表面声波元件,并具有电极接合区和外部端子。谐振器的谐振频率(由封壳的外部端子的基准电位端子产生的电感确定)位于超外差系统中进行频率变换时产生的镜像频率附近。

    表面声波滤波器和使用它的通信装置

    公开(公告)号:CN1523757A

    公开(公告)日:2004-08-25

    申请号:CN200410004044.8

    申请日:2000-03-10

    Inventor: 筏克弘

    CPC classification number: H03H9/1071 H03H9/6483

    Abstract: 本发明提供了一种表面声波滤波器,它包括表面声波元件,该表面声波元件包含压电基片,所述压电基片具有设置在其上的IDT、输入/输出端子和基准电位端子,以及封壳,所述封壳封装了表面声波元件,并具有电极接合区和外部端子。谐振器的谐振频率(由封壳的外部端子的基准电位端子产生的电感确定)位于超外差系统中进行频率变换时产生的镜像频率附近。

    声表面波设备的制造方法

    公开(公告)号:CN1516339A

    公开(公告)日:2004-07-28

    申请号:CN200310124482.3

    申请日:2001-03-15

    CPC classification number: H03H3/08 Y10T29/42

    Abstract: 本发明提供了一种在单个压电基片上包含第一和第二声表面波装置的声表面波设备的制造方法,包含以下步骤:设置压电基片;沉淀第一抗蚀膜;去掉第一抗蚀膜;形成第一导电薄膜,所述第一导电薄膜的薄膜厚度与第二声表面波装置的电极薄膜厚度基本上相同;沉淀第二抗蚀膜;去掉第二抗蚀膜,所述区域不包括设置有第二声表面波装置的部分;沉淀第二导电薄膜,其薄膜厚度与第一声表面波装置的电极薄膜厚度基本上相同;和同时剥离第一抗蚀膜,第二抗蚀膜和层叠在它们上面的导电薄膜。

    声表面波器件
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1144362C

    公开(公告)日:2004-03-31

    申请号:CN98118642.4

    申请日:1998-08-21

    Inventor: 筏克弘

    CPC classification number: H03H9/72 H03H9/0576 H03H2250/00

    Abstract: 一种声表面波器件,其中第一和第二SAW滤波器并联在连接到输入终端或输出终端的连接点处。声表面波器件包括在第二SAW滤波器的通带中具有容性阻抗,并且具有比第二SAW滤波器的通带更高的通带的第一SAW滤波器,和在第一SAW滤波器的通带中具有容性阻抗,并具有比第一SAW滤波器的通带更低的通带的第二SAW滤波器。第二SAW滤波器并联在第一SAW滤波器输入端或输出端侧的连接点。

    弹性表面波装置
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1084550C

    公开(公告)日:2002-05-08

    申请号:CN95104447.8

    申请日:1995-05-10

    CPC classification number: H03H9/6436

    Abstract: 串联臂谐振器与SAW谐振滤波器的外IDT串联连接,从而使串联臂谐振器的谐振频率在串联臂谐振器的通带内。并联臂谐振器与SAW谐振滤波器的中心IDT并联连接,从而使并联臂谐振器的并联谐振频率处在串联臂谐振器的通带内。这样就减小了通带中的VSWR,增加了阻带中的衰减量。

    压电器件
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101911485B

    公开(公告)日:2014-07-09

    申请号:CN200980101968.0

    申请日:2009-01-06

    Abstract: 本发明提供一种不改变IDT电极和支撑层之间的距离就能改善温度特性的压电器件。一种压电器件包括:(a)压电基板,(b)形成在压电基板的一个主表面(11a)上、含IDT电极(12)的导电图案,(c)在压电基板的一个主表面(11a)上,围绕在形成有IDT电极(12)的IDT形成区域的周围、且具有比IDT电极(12)的厚度更大厚度的支撑层(20),以及(d)在支撑层之上配置的、覆盖IDT形成区域的覆盖层。在支撑层(20)中,至少在靠近IDT形成区域的区域的多个部位,形成部分地去除了与压电基板的一个主表面(11a)粘合的部分的去除部(24)。

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