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公开(公告)号：CN101022092B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200710005589.4
申请日：2007-02-13
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: H01L21/84 , H01L21/768 , H01L21/3213 , G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/136227
Abstract: 本发明提供一种显示装置的制造方法，在具有反射区域和透射区域的液晶显示装置中，抑制工序数增加地制造反射电极和透射电极。对具有透射区域和反射区域的像素，连续层叠形成反射电极的金属膜和形成透射电极的透明导电膜。将抗蚀剂膜曝光显影，形成第1图案，同时蚀刻金属层和透明导电膜。然后通过灰化在抗蚀剂膜形成第2图案，蚀刻金属层。另外，利用有机树脂层作为形成接触孔的掩模。
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公开(公告)号：CN100555654C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200410080784.X
申请日：2004-10-15
Applicant: 株式会社日立显示器
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G3/3208 , G09G2300/0819 , G09G2300/0852 , G09G2300/0861 , G09G2320/043 , H01L27/3244 , H01L27/3297 , H01L51/52 , H01L2227/326 , H01L2251/5338
Abstract: 本发明公开了一种柔性显示装置，包括：柔性基片，构成所述柔性显示装置的包封的至少一部分；多个象素，布置在柔性基片上；一组终端，形成在柔性基片的一个表面上的第一部分处，并且把信号供给到所述多个象素；及加强件，固定到在柔性基片的另一个表面上的至少一个第二部分上，该第二部分跨过所述柔性基片的厚度面对着第一部分。
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公开(公告)号：CN1610458A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN200410080784.X
申请日：2004-10-15
Applicant: 株式会社日立显示器
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G3/3208 , G09G2300/0819 , G09G2300/0852 , G09G2300/0861 , G09G2320/043 , H01L27/3244 , H01L27/3297 , H01L51/52 , H01L2227/326 , H01L2251/5338
Abstract: 本发明公开了一种柔性显示装置，包括：柔性基片，构成所述柔性显示装置的包封的至少一部分；多个象素，布置在柔性基片上；一组终端，形成在柔性基片的一个表面上的第一部分处，并且把信号供给到所述多个象素；及加强件，固定到在柔性基片的另一个表面上的至少一个第二部分上，该第二部分跨过所述柔性基片的厚度面对着第一部分。
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公开(公告)号：CN1460979A
公开(公告)日：2003-12-10
申请号：CN03121106.2
申请日：2003-03-21
Applicant: 株式会社日立显示器
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/13454 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L27/3244
Abstract: 提供一种显示装置，在驱动电路等中具备用减小P－MOS TFT和N－MOS TFT的办法进行高集成化的C－MOS p－Si TFT。采用作为用来制作在显示装置中具备的C－MOS p－Si TFT的暴光掩模使用半色调掩模的自对准C－MOS工艺。由于使用半色调掩模，在P－MOS部分25和N－MOS部分26的结合部分处就不再需要位置对准，减少了光工艺次数，可以高集成化。
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公开(公告)号：CN101025536B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200710085846.X
申请日：2007-02-25
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1343 , G02F1/133 , G09G3/36
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/133555 , G02F1/136227 , G02F2001/136295 , G02F2201/123
Abstract: 本发明提供一种半透射式液晶显示装置，即使采用在反射区域(17)配置铝(28)并在其上层配置ITO等透明导电膜这种结构的情况下，也能减少余像的发生。为此，该液晶显示装置，在一个像素内具有透射区域(18)和反射区域(17)，用第一透明导电膜(291)构成透射区域(17)的像素电极，反射区域(17)的像素电极是在高熔点金属(27)上层叠铝(28)，并在该铝(28)上配置第二透明导电膜(292)而构成的，反射区域(17)中的第二透明导电膜(292)和高熔点金属(27)在高熔点金属(27)的端部(32)相接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1272858C
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN03121106.2
申请日：2003-03-21
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: H01L29/786 , G09G3/00 , G09G3/32 , G02F1/136
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/13454 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L27/3244
Abstract: 提供一种显示装置，在驱动电路等中具备用减小P-MOS TFT和N-MOS TFT的办法进行高集成化的C-MOS p-Si TFT。采用作为用来制作在显示装置中具备的C-MOS p-Si TFT的暴光掩模使用半色调掩模的自对准C-MOS工艺。由于使用半色调掩模，在P-MOS部分25和N-MOS部分26的结合部分处就不再需要位置对准，减少了光工艺次数，可以高集成化。
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公开(公告)号：CN102654691A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201210053126.6
申请日：2012-03-02
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G02F1/1339 , G02F1/1337 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/1337 , G02F1/1333 , G02F1/133345 , G02F1/133723 , G02F1/13378 , G02F1/133788 , G02F1/1339 , G02F1/13394 , G02F1/136286 , G02F1/1368
Abstract: 本发明涉及液晶显示装置及其制造方法，具体涉及在使用光取向的IPS方式的液晶显示装置中，防止取向膜被柱状衬垫刮削。在形成于对置基板(200)上的柱状衬垫(204)与TFT基板(100)接触的部分形成比像素电极(108)高的底座(114)。在像素电极(108)及底座(114)上涂布二层结构的取向膜(113)时，由于流平效果，从而底座(114)上的取向膜(113)变薄。在该状态下进行光取向时，底座上的光分解的上配向膜(112)消失，机械强度大的下取向膜(111)残留。因此，能够防止取向膜的刮削。另一方面，由于在像素电极(108)上，上取向膜(112)原本就厚，所以能够确保用于使液晶取向的规定的膜厚。
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公开(公告)号：CN102445806A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110303719.9
申请日：2011-09-29
Applicant: 株式会社日立显示器 , 松下液晶显示器株式会社
IPC: G02F1/167
CPC classification number: G02F1/167 , G02F2001/1676
Abstract: 本发明提供一种电泳方式显示装置。在电泳方式显示装置中，即使在增大平面电极的面积从而提高像素的亮度的情况下，也能够使隔壁电极的面积增大到与平面电极的面积为同等程度，维持存储效果，并维持图像的对比度。形成有像素，该像素在由第一基板、第二基板和隔壁所形成的区域中封入有绝缘性液体和泳动粒子。为了增大平面电极(130)从而提高像素的亮度，需要减小隔壁(110)的宽度，但该情况下，从机械强度的要求出发，需要减小隔壁(110)的高度。若减小隔壁(110)的高度，则隔壁电极的面积缩小，不能维持存储效果。为了增大隔壁电极的面积，使隔壁(110)的平面形状为锯齿状。
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公开(公告)号：CN101025536A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710085846.X
申请日：2007-02-25
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1343 , G02F1/133 , G09G3/36
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/133555 , G02F1/136227 , G02F2001/136295 , G02F2201/123
Abstract: 本发明提供一种半透射式液晶显示装置，即使采用在反射区域(17)配置铝(28)并在其上层配置ITO等透明导电膜这种结构的情况下，也能减少余像的发生。为此，该液晶显示装置，在一个像素内具有透射区域(18)和反射区域(17)，用第一透明导电膜(291)构成透射区域(17)的像素电极，反射区域(17)的像素电极是在高熔点金属(27)上层叠铝(28)，并在该铝(28)上配置第二透明导电膜(292)而构成的，反射区域(17)中的第二透明导电膜(292)和高熔点金属(27)在高熔点金属(27)的端部(32)相接触。
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公开(公告)号：CN1295549C
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200410000160.2
申请日：2004-01-08
Applicant: 株式会社日立显示器
IPC: G02F1/133 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/28568 , G03G15/0131 , G03G15/1685 , G03G2215/0141 , H01L21/76843 , H01L21/76849 , H01L21/76856 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/66757 , H01L29/78603
Abstract: 本发明提供一种显示装置，目的在于防止在把铝系导电层用做与低温多晶硅接触的源极·漏极电极时的加热工序中铝元素向多晶硅层的扩散，并避免显示不良的发生。在本发明的显示装置中，把铝系导电层用做源极·漏极电极，在该铝系导电层和多晶硅层之间设置钼或钼合金层的阻挡层。在构成阻挡层的钼或钼合金层的表面上，设置在氮气氛下进行高速热处理(高速热退火)所形成的氮氧化钼膜。
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