公开(公告)号：CN1259765A

公开(公告)日：2000-07-12

申请号：CN99124794.9

申请日：1999-12-10

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 汤之上隆 ,  野尻一男 ,  大路让 ,  恒川助芳 ,  平谷正彦 ,  松井裕一

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/105 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/11509 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60

Abstract: 本发明提供一种集成电路制造方法,用诸如铂或BST之类的薄膜作为对钌等构图用的硬掩模,从而可以在不去掉硬掩模的情况下形成器件。此外,本发明方法使得可以插入例如铂等保护膜,从而防止去除用于构图硬掩模用的抗蚀剂时,底层钌膜等受损伤。