公开(公告)号：CN1143366C

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN95107166.1

申请日：1995-06-12

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 德永尚文 ,  奥平定之 ,  水谷巽 ,  田子一农 ,  数见秀之 ,  吉冈健

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/76802

Abstract: 为了在LSI制造中实现高选择比和高精度的刻蚀，在对半导体衬底上的薄膜进行干法刻蚀时，借助于使等离子体中激发到亚稳态的惰性气体与碳氟气体相互作用并选择性地获得所需的分解物的方法，精确地控制了反应气体分解物的组分。

公开(公告)号：CN1132407A

公开(公告)日：1996-10-02

申请号：CN95118750.3

申请日：1995-11-03

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 小藤直行 ,  新井真 ,  辻本和典 ,  水谷巽 ,  铃木敬三 ,  水石贤一

IPC: H01J37/305 ,  H01L21/3065 ,  C30B33/12

CPC classification number: H01J37/32623 ,  H01J37/32706

Abstract: 为了抑制由于电子遮蔽现象而引起的开槽、电荷聚集损伤、副沟和弯弓形，提供一种占空比等于或低于5％和重复频率等于或高于400KHz脉冲电压。因此，在衬底偏置中出现一个用于加速电子的周期，从而使电子遮蔽现象不出现。

公开(公告)号：CN1128899A

公开(公告)日：1996-08-14

申请号：CN95107166.1

申请日：1995-06-12

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 德永尚文 ,  奥平定之 ,  水谷巽 ,  田子一农 ,  数见秀之 ,  吉冈健

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/76802

Abstract: 为了在LSI制造中实现高选择比和高精度的刻蚀，在对半导体衬底上的薄膜进行干法刻蚀时，借助于使等离子体中激发到亚稳态的惰性气体与碳氟气体相互作用并选择性地获得所需的分解物的方法，精确地控制了反应气体分解物的组分。

公开(公告)号：CN1412824A

公开(公告)日：2003-04-23

申请号：CN01143387.6

申请日：1995-06-12

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 德永尚文 ,  奥平定之 ,  水谷巽 ,  田子一农 ,  数见秀之 ,  吉冈健

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/76802

Abstract: 为了在LSI制造中实现高选择比和高精度的刻蚀，在对半导体衬底上的薄膜进行干法刻蚀时，借助于使等离子体中激发到亚稳态的惰性气体与碳氟气体相互作用并选择性地获得所需的分解物的方法，精确地控制了反应气体分解物的组分。

公开(公告)号：CN1069439C

公开(公告)日：2001-08-08

申请号：CN95118750.3

申请日：1995-11-03

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 小藤直行 ,  新井真 ,  辻本和典 ,  水谷巽 ,  铃木敬三 ,  水石贤一

IPC: H01J37/305 ,  H01L21/3065 ,  C30B33/12

CPC classification number: H01J37/32623 ,  H01J37/32706

Abstract: 为了抑制由于电子遮蔽现象而引起的开槽、电荷聚集损伤、副沟和弯弓形，提供一种占空比等于或低于5%和重复频率等于或高于400KHz脉冲电压。因此，在衬底偏置中出现一个用于加速电子的周期，从而使电子遮蔽现象不出现。