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公开(公告)号：CN103021422B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201210353278.8
申请日：2012-09-19
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11B5/1278 , G11B5/3146 , G11B2005/0024
Abstract: 用于微波辅助记录的自旋力矩振荡器包括在垂直于膜表面的方向上具有磁各向异性轴线的垂直自由层，以及由在膜表面上有效地具有易磁化面的磁膜组成的面内自由层。当电流从面内自由层侧向垂直自由层侧流动时，两个自由层交换自旋信息，并且从而几乎反平行于彼此并且沿着边界面以高速旋转它们各自的磁化。优选地，垂直自由层比面内自由层更薄。还优选地，归因于材料的垂直自由层的磁各向异性场应当在相反的方向上与在垂直方向上的有效退磁场平衡。此外，垂直自由侧优选地放置在主磁极侧。
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公开(公告)号：CN103021422A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210353278.8
申请日：2012-09-19
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11B5/1278 , G11B5/3146 , G11B2005/0024
Abstract: 用于微波辅助记录的自旋力矩振荡器包括在垂直于膜表面的方向上具有磁各向异性轴线的垂直自由层，以及由在膜表面上有效地具有易磁化面的磁膜组成的面内自由层。当电流从面内自由层侧向垂直自由层侧流动时，两个自由层交换自旋信息，并且从而几乎反平行于彼此并且沿着边界面以高速旋转它们各自的磁化。优选地，垂直自由层比面内自由层更薄。还优选地，归因于材料的垂直自由层的磁各向异性场应当在相反的方向上与在垂直方向上的有效退磁场平衡。此外，垂直自由侧优选地放置在主磁极侧。
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公开(公告)号：CN101510427A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910005841.0
申请日：2009-02-05
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3912 , G11B5/3967 , G11B2005/3996
Abstract: 本发明提供一种磁记录再现头以及磁记录再现装置，即使线记录密度提高，也得到高的再现输出、分辨率以及SNR，得到充分的位误码率。磁记录再现头(10)具有差动型再现头(20)和记录头(25)。差动型再现头(20)具有层叠了具有第一自由层(210)的第一磁阻效应元件(200)、差动间隙层(100)、具有第二自由层(310)的第二磁阻效应元件(300)的层叠结构(400)，在层叠结构(400)的外侧具有一对电极(50、51)和一对磁屏蔽(30、31)。此处，将第一自由层(210)与第二自由层(310)的内侧的距离(G1)与位长度(b1)之比(G1/B1)设定成0.6以上1.6以下。
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公开(公告)号：CN101510427B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200910005841.0
申请日：2009-02-05
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3912 , G11B5/3967 , G11B2005/3996
Abstract: 本发明提供一种磁记录再现头以及磁记录再现装置，即使线记录密度提高，也得到高的再现输出、分辨率以及SNR，得到充分的位误码率。磁记录再现头(10)具有差动型再现头(20)和记录头(25)。差动型再现头(20)具有层叠了具有第一自由层(210)的第一磁阻效应元件(200)、差动间隙层(100)、具有第二自由层(310)的第二磁阻效应元件(300)的层叠结构(400)，在层叠结构(400)的外侧具有一对电极(50、51)和一对磁屏蔽(30、31)。此处，将第一自由层(210)与第二自由层(310)的内侧的距离(G1)与位长度(b1)之比(G1/B1)设定成0.6以上1.6以下。
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