公开(公告)号：CN1248197C

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN200310100337.1

申请日：2003-10-14

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 大友茂一 ,  福井宏 ,  米川直 ,  丸山洋治 ,  岩仓忠幸

IPC: G11B5/39

CPC classification number: G11B5/3916

Abstract: 本发明提供了相对于环境温度上升来说热突出较小的薄膜磁头。其中，下部屏蔽层或上部屏蔽层中的至少一方使用热膨胀系数在11.5×10-6/K以下的低热膨胀系数的磁性材料。另外，下部屏蔽层或上部屏蔽层中的至少一方使用具有11.5×10-6/K以下的低热膨胀系数的磁性材料与80%(重量)NiFe合金的叠层膜。这样，可以得到记录后噪声小、热突出降低的薄膜磁头。

公开(公告)号：CN1549245A

公开(公告)日：2004-11-24

申请号：CN200310100337.1

申请日：2003-10-14

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 大友茂一 ,  福井宏 ,  米川直 ,  丸山洋治 ,  岩仓忠幸

IPC: G11B5/39

CPC classification number: G11B5/3916

Abstract: 本发明提供了相对于环境温度上升来说热突出较小的薄膜磁头。其中，下部屏蔽层或上部屏蔽层中的至少一方使用热膨胀系数在11.5×10－6/K以下的低热膨胀系数的磁性材料。另外，下部屏蔽层或上部屏蔽层中的至少一方使用具有11.5×10－6/K以下的低热膨胀系数的磁性材料与80％(重量)NiFe合金的叠层膜。这样，可以得到记录后噪声小、热突出降低的薄膜磁头。