公开(公告)号：CN1482599A

公开(公告)日：2004-03-17

申请号：CN03149441.2

申请日：2003-06-20

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 福井宏 ,  大友茂一 ,  小岛修一 ,  片冈宏治

IPC: G11B5/39

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3116 ,  G11B5/313 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3932 ,  G11B5/3967 ,  G11B2005/3996

Abstract: 在记录重放分离型磁头中，除了使磁阻效应元件的自由层的磁化方向一致沿规定方向的第一磁畴控制层，还具有产生其反方向磁场的第二磁畴控制层。利用该差动型偏磁结构，避免磁阻效应元件在道宽方向端部的固定磁场减少，同时减少因窄的道宽而过强的中心部分的纵向偏磁磁场。第一及第二磁畴控制层由硬磁性材料及软磁性材料的组合而构成。通过这样能够得到具有可实现窄道宽、高灵敏度及低噪声的磁阻传感器的记录重放分离型磁头。

公开(公告)号：CN1265357C

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200310102384.X

申请日：2003-10-23

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 淡河纪宏 ,  小岛修一 ,  冈崎幸司 ,  重松惠嗣 ,  田岛康成

IPC: G11B5/39 ,  H01F41/14

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3116 ,  G11B5/313 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3932 ,  G11B5/3967 ,  G11B2005/3996 ,  Y10T29/49052

Abstract: 本发明涉及磁阻效应磁头及其制造方法。在现有的磁阻效应磁头中，若不将磁畴控制所必须的偏置磁场控制得较大，就不能进行适当的磁畴控制。通过在磁阻效应多层膜的下部形成磁畴控制底层，使磁畴控制膜与自由层的两侧端接触，可使除磁畴控制膜外所多余的偏置磁场以最小化的状态实现适当的磁畴控制。

公开(公告)号：CN1534603A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN200310102384.X

申请日：2003-10-23

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 淡河纪宏 ,  小岛修一 ,  冈崎幸司 ,  重松惠嗣 ,  田岛康成

IPC: G11B5/39 ,  H01F41/14

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3116 ,  G11B5/313 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3932 ,  G11B5/3967 ,  G11B2005/3996 ,  Y10T29/49052

Abstract: 本发明涉及磁阻效应磁头及其制造方法。在现有的磁阻效应磁头中，若不将磁畴控制所必须的偏置磁场控制得较大，就不能进行适当的磁畴控制。通过在磁阻效应多层膜的下部形成磁畴控制底层，使磁畴控制膜与自由层的两侧端接触，可使除磁畴控制膜外所多余的偏置磁场以最小化的状态实现适当的磁畴控制。