公开(公告)号：CN1265357C

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200310102384.X

申请日：2003-10-23

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 淡河纪宏 ,  小岛修一 ,  冈崎幸司 ,  重松惠嗣 ,  田岛康成

IPC: G11B5/39 ,  H01F41/14

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3116 ,  G11B5/313 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3932 ,  G11B5/3967 ,  G11B2005/3996 ,  Y10T29/49052

Abstract: 本发明涉及磁阻效应磁头及其制造方法。在现有的磁阻效应磁头中，若不将磁畴控制所必须的偏置磁场控制得较大，就不能进行适当的磁畴控制。通过在磁阻效应多层膜的下部形成磁畴控制底层，使磁畴控制膜与自由层的两侧端接触，可使除磁畴控制膜外所多余的偏置磁场以最小化的状态实现适当的磁畴控制。

公开(公告)号：CN1534603A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN200310102384.X

申请日：2003-10-23

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 淡河纪宏 ,  小岛修一 ,  冈崎幸司 ,  重松惠嗣 ,  田岛康成

IPC: G11B5/39 ,  H01F41/14

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3116 ,  G11B5/313 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3932 ,  G11B5/3967 ,  G11B2005/3996 ,  Y10T29/49052

Abstract: 本发明涉及磁阻效应磁头及其制造方法。在现有的磁阻效应磁头中，若不将磁畴控制所必须的偏置磁场控制得较大，就不能进行适当的磁畴控制。通过在磁阻效应多层膜的下部形成磁畴控制底层，使磁畴控制膜与自由层的两侧端接触，可使除磁畴控制膜外所多余的偏置磁场以最小化的状态实现适当的磁畴控制。