公开(公告)号：CN1440517A

公开(公告)日：2003-09-03

申请号：CN01812451.8

申请日：2001-06-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 长谷川升雄 ,  冈田让二 ,  田中稔彦 ,  森和孝 ,  宫崎浩

IPC: G03F1/08 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/56 ,  G03F1/70 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/707 ,  H01L21/0274 ,  Y10S438/942 ,  Y10S438/945 ,  Y10S438/948 ,  Y10S438/95

Abstract: 为了缩短半导体集成电路器件的开发和制造周期，在用曝光工艺将集成电路图形转移到晶片上时，采用了一种光掩模PM1，除了由金属组成的遮光图形之外，它还部分地配备有由抗蚀剂膜组成的遮光图形3a。

公开(公告)号：CN100334687C

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN01812451.8

申请日：2001-06-28

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 长谷川升雄 ,  冈田让二 ,  田中稔彦 ,  森和孝 ,  宫崎浩

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/08

CPC classification number: G03F1/56 ,  G03F1/70 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/707 ,  H01L21/0274 ,  Y10S438/942 ,  Y10S438/945 ,  Y10S438/948 ,  Y10S438/95

Abstract: 为了缩短半导体集成电路器件的开发和制造周期，在用曝光工艺将集成电路图形转移到晶片上时，采用了一种光掩模PM1，除了由金属组成的遮光图形之外，它还部分地配备有由抗蚀剂膜组成的遮光图形3a。