公开(公告)号：CN117242546A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202280030580.1

申请日：2022-04-26

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 柴田秀一 ,  石津岳明 ,  西出基 ,  小林健司

IPC: H01L21/027

Abstract: 本发明的基板处理方法具有：将基板保持为水平姿势的工序；向基板的上表面供给处理液，并且使基板以铅垂轴为中心旋转，从而在基板的上表面形成处理液的液膜的工序(S103)；检测液膜的膜厚的工序(S104)；以及在膜厚的检测结果为规定的目标值的情况下，使等离子体产生源与基板的上表面相对地配置，并从等离子体产生源对液膜进行等离子体照射的工序(S106、S107)。根据本发明，能够抑制处理液的消耗量，并且能够良好地处理基板。

公开(公告)号：CN120072641A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202411729639.3

申请日：2024-11-28

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 林宗儒 ,  柴田秀一 ,  山口佑

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及一种衬底处理方法及衬底处理装置。衬底处理方法包含如下工序：臭氧气体蚀刻工序，一边对衬底(W)进行加热一边将作为蚀刻气体的臭氧气体供给到形成在衬底(W)的表面的非晶形碳膜(AC)，由此在衬底(W)的表面干燥的状态下对非晶形碳膜(AC)进行蚀刻；以及硫酸臭氧蚀刻工序，在将臭氧气体供给到非晶形碳膜(AC)后，将溶解有作为溶解气体的臭氧气体的硫酸即含臭氧硫酸供给到非晶形碳膜(AC)，由此对非晶形碳膜(AC)进行蚀刻。

公开(公告)号：CN117916861A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202280059831.9

申请日：2022-05-19

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 柴田秀一 ,  石津岳明 ,  藤田直人

IPC: H01L21/306 ,  G03F7/42 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供使抗蚀剂的剥离能力提高的技术。基板处理方法具有：保持工序(S1)，使保持部(1)保持设置有抗蚀剂的基板(W)；第一等离子体处理工序(S2)，对被保持部(1)保持的基板(W)照射等离子体；液膜形成工序(S3)，在进行第一等离子体处理工序后，在被保持部(1)保持的基板(W)形成处理液的液膜；第二等离子体处理工序(S5)，在进行液膜形成工序后，对被保持部(1)保持的基板(W)照射等离子体；以及冲洗工序(S6)，在进行第二等离子体处理工序后，从被保持部(1)保持的基板(W)冲洗掉液膜。