公开(公告)号：CN112820794A

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN202010944839.6

申请日：2020-09-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 藤原郁夫 ,  权镐楠 ,  野房勇希 ,  佐佐木启太 ,  铃木和拓 ,  熟田昌己

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18 ,  H01L27/144 ,  G01S17/931 ,  G01S17/894 ,  G01S7/4865

Abstract: 提供一种能够提高性能的光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车。根据实施方式，光检测器包括：包括光电二极管的多个元件。所述多个元件的至少一部分分别包括结构体，该结构体包围所述光电二极管且具有与所述光电二极管不同的折射率。各个所述结构体的至少一部分相互分离。

公开(公告)号：CN113488551A

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202010893551.0

申请日：2020-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 熟田昌己 ,  铃木和拓 ,  藤原郁夫 ,  权镐楠 ,  野房勇希

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/107 ,  H01L27/144 ,  G01S7/481 ,  G01S17/02

Abstract: 本发明提供一种能够抑制噪声的光检测元件、光检测系统、激光雷达装置以及移动体。光检测元件具备第一半导体层，该第一半导体层具有光检测区域和周边区域，该光检测区域是在光入射的第一面上排列有多个光检测部的区域，该周边区域是设于光检测区域的周围且不包含光检测部的半导体区域。周边区域的厚度方向上的至少一部分的第一层区域的晶格缺陷的密度或者第一层区域所含的杂质的浓度比所述光检测区域中的在与所述厚度方向交叉的方向上与该第一层区域邻接的第二层区域的晶格缺陷的密度或者第二层区域所含的杂质的浓度高。