公开(公告)号：CN108417549A

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201710659413.4

申请日：2017-08-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大田刚志 ,  野中裕子 ,  五郎丸麻美 ,  仲敏行 ,  安原纪夫

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L29/41 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L27/0635 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/083 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/8611

Abstract: 实施方式的半导体装置具有第1电极、第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的多个第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、第1导电型的第4半导体区域、第2导电型的第5半导体区域、栅极电极和第2电极。上述第1半导体区域具有多个第1部分和多个第1突出部。多个第1部分沿着第1方向和与第1方向垂直的第2方向排列。多个第1突出部分别从多个第1部分突出。第1半导体区域设在第1电极之上。多个第2半导体区域相互隔开间隔而设在除了多个第1部分及多个第1突出部以外的第1半导体区域中。

公开(公告)号：CN108417549B

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN201710659413.4

申请日：2017-08-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大田刚志 ,  野中裕子 ,  五郎丸麻美 ,  仲敏行 ,  安原纪夫

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L29/41 ,  H01L29/739

Abstract: 实施方式的半导体装置具有第1电极、第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的多个第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、第1导电型的第4半导体区域、第2导电型的第5半导体区域、栅极电极和第2电极。上述第1半导体区域具有多个第1部分和多个第1突出部。多个第1部分沿着第1方向和与第1方向垂直的第2方向排列。多个第1突出部分别从多个第1部分突出。第1半导体区域设在第1电极之上。多个第2半导体区域相互隔开间隔而设在除了多个第1部分及多个第1突出部以外的第1半导体区域中。