公开(公告)号：CN101828235A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200880112046.5

申请日：2008-10-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 永嵨宏行 ,  久保光一 ,  福田康之

IPC: G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C11/5678 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/0097 ,  G11C16/3413 ,  G11C16/3463 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/11 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72

Abstract: 一种非易失性半导体存储器件包括以矩阵形式设置的电可擦除可编程非易失性存储器基元的存储器基元阵列，每一个存储器基元使用可变电阻器。脉冲产生器基于写入数据而产生用于使所述可变电阻器的电阻变化的多个类型的写入脉冲。选择电路将由所述脉冲产生器产生的写入脉冲施加到所述存储器基元。感测放大器对所述存储器基元执行校验读取。状态判定电路基于所述感测放大器的输出而判定校验结果。控制电路基于所述状态判定电路的所述校验结果而对所述存储器基元执行附加的写入。

公开(公告)号：CN101828235B

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN200880112046.5

申请日：2008-10-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 永嵨宏行 ,  久保光一 ,  福田康之

IPC: G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C11/5678 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/0097 ,  G11C16/3413 ,  G11C16/3463 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/11 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72

Abstract: 一种非易失性半导体存储器件包括以矩阵形式设置的电可擦除可编程非易失性存储器基元的存储器基元阵列，每一个存储器基元使用可变电阻器。脉冲产生器基于写入数据而产生用于使所述可变电阻器的电阻变化的多个类型的写入脉冲。选择电路将由所述脉冲产生器产生的写入脉冲施加到所述存储器基元。感测放大器对所述存储器基元执行校验读取。状态判定电路基于所述感测放大器的输出而判定校验结果。控制电路基于所述状态判定电路的所述校验结果而对所述存储器基元执行附加的写入。