公开(公告)号：CN1351384A

公开(公告)日：2002-05-29

申请号：CN01135998.6

申请日：2001-10-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐伯亮 ,  菅原秀人 ,  渡边幸雄 ,  地头所保

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/16 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/30

Abstract: 在使用GaP基板的半导体发光元件中,使GaP基板1和发光层7借助于p－InGaP构成的第一接合层2和由p－GaP构成的第二接合层3接合起来。由此,在用热处理使GaP基板1和发光层7接合时,可在500～700℃的温度下热处理,所以可减少发光层7的损坏,而且可避免工作电压的上升。

公开(公告)号：CN1367542A

公开(公告)日：2002-09-04

申请号：CN02105300.6

申请日：2002-01-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 菅原秀人 ,  新田康一 ,  佐伯亮 ,  近藤且章 ,  岩本昌伸

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L27/15

Abstract: 提供一种半导体发光元件,不需要复杂的制造工序和制造技术就可大幅度提高光取出效率。该半导体发光元件,具有:活性层(通过注入电流产生第一发光);吸收发光部(吸收所述第一发光的一部分、产生中心波长比所述第一发光的长的第二发光)。所述第一发光的中心波长和所述第二发光的中心波长之差,在其混合光的发光光谱不丧失单峰性的范围内或在第一发光L1的光谱的半值宽度的0.9倍以下的范围内。

公开(公告)号：CN1237628C

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN01135998.6

申请日：2001-10-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐伯亮 ,  菅原秀人 ,  渡边幸雄 ,  地头所保

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/16 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/30

Abstract: 提供一种半导体发光元件及其制造方法。在使用GaP基板的半导体发光元件中，使GaP基板(1)和发光层(7)借助于p-InGaP构成的第一接合层(2)和由p-GaP构成的第二接合层(3)接合起来。由此，在用热处理使GaP基板(1)和发光层(7)接合时，可在500～700℃的温度下热处理，所以可减少发光层(7)的损坏，而且可避免工作电压的上升。

公开(公告)号：CN1224113C

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN02105300.6

申请日：2002-01-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 菅原秀人 ,  新田康一 ,  佐伯亮 ,  近藤且章 ,  岩本昌伸

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L27/15

Abstract: 提供一种半导体发光元件，不需要复杂的制造工序和制造技术就可大幅度提高光取出效率。该半导体发光元件，包括：通过注入电流产生第一发光的有源层；以及吸收所述第一发光的一部分、产生中心波长比所述第一发光的长的第二发光的吸收发光部，且所述第一发光的中心波长和所述第二发光的中心波长之差，在其混合光的发光光谱不丧失单峰性的范围内。