公开(公告)号：CN103681882A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310070350.0

申请日：2013-03-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 末代知子 ,  小仓常雄 ,  押野雄一 ,  二宮英彰 ,  中村和敏

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0626 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/36 ,  H01L29/407 ,  H01L29/47 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明提供破坏耐受量较高的电力半导体装置。电力半导体装置具备第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第二半导体层、一对导电体、第二导电型的第三半导体层、第一导电型的第四半导体层、第一电极和第二电极。第一半导体层具有第一表面和第二表面，具有第一区域。第二半导体层在第一区域设在第一半导体层的第一表面。一对导电体设在一对第一沟槽内。第三半导体层在一对导电体之间设在第二半导体层的与第一半导体层相反侧的表面，具有第二导电型的杂质的浓度。第四半导体层在第一区域设在第一半导体层的第二表面上，且与其电连接，具有第一导电型的杂质的浓度。第一电极隔着层间绝缘膜设在一对导电体上。第二电极与第四半导体层电连接。

公开(公告)号：CN103367410A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310049014.8

申请日：2013-02-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小仓常雄 ,  末代知子 ,  押野雄一 ,  二宮英彰

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/07

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明提供单芯片化后的IGBT以及二极管的特性良好的半导体装置。其中，IGBT单元和二极管单元形成于一个第一导电型的半导体基板。该半导体装置具备：形成在半导体基板的下面侧表层部的IGBT单元区域中的第二导电型的第一半导体层；形成在半导体基板的下面侧表层部的与IGBT单元区域相邻接的区域中的第一导电型的第二半导体层；在半导体基板的上面侧表层部隔开规定间隔而形成的栅电极；形成在栅电极之间的第一导电型的第三半导体层以及第二导电型的第四半导体层；在IGBT单元区域中形成在第一半导体层上方的第一导电型的第五半导体层；形成在第三半导体层以及第四半导体层上的第一电极；以及设置在半导体基板的下面侧的第二电极。