Patent search ap:("株式会社东芝") AND inv:"久留井庆彦" Page 1

1.

发明公开
连接结构及其制造方法以及传感器无效

公开(公告)号：CN109502538A

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201810194325.6

申请日：2018-03-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 富泽英之 , 斋藤友博 , 藤本明 , 久留井庆彦 , 小岛章弘

IPC: B81B7/00 , B81C1/00 , G01D5/241

Abstract: 本发明涉及连接结构及其制造方法以及传感器。实施方式涉及插头与硅锗层的连接结构。提供能减小插头与硅锗层之间的接触电阻的连接结构。实施方式涉及的连接结构包含：具有导电性的插头(20)；将插头(20)的侧面覆盖的第1绝缘膜(21、22)；和在插头(20)的上表面上设置且包含多晶硅锗层(25)和非晶硅锗层(26)的电极(24)。多晶硅锗层(25)对于插头(20)的上表面的至少一部分没有经由非晶硅锗层(26)地接触。

Patent Agency Ranking