公开(公告)号：CN106104735A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201580012693.9

申请日：2015-06-10

Applicant: 株式会社东海理化电机制作所

Inventor： 斋藤弘智 ,  片冈良一 ,  臼谷直士

IPC: H01H25/04

CPC classification number: H01H25/04 ,  B60Q1/1469 ,  G01D5/14 ,  G01D5/145

Abstract: 本发明提供一种抑制旋转构件的旋转的晃动而提升检测精度的旋转移动检测装置。杠杆开关装置(1)包括：磁体(50)，其具有从上表面(52)贯通到第1面的相反侧的下表面(53)的贯通孔(57)，该磁体能够以贯通孔(57)为中心进行旋转，且能在周围产生磁场；旋转检测传感器(80)，其用于检测磁体(50)的旋转角度；调光检测传感器(90)，其用于检测磁体(50)沿着第3旋转轴(L3)的移动；以及磁体保持件(70)，其由磁体支承轴(72)和安装部(74)一体化而成，该磁体支承轴(72)插入到贯通孔(57)来引导磁体(50)的旋转，并且保持磁体(50)，该安装部(74)与磁体(50)的侧面(510)相对，且配置有调光检测传感器(90)。

公开(公告)号：CN114556586A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202080073210.7

申请日：2020-10-27

Applicant: 株式会社东海理化电机制作所

Inventor： 岛健悟 ,  片冈良一 ,  足立和也 ,  袴田悠斗

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明涉及半导体集成电路。本发明提供一种半导体集成电路，其包括：第一导电型的基板；埋入绝缘膜，设置在基板上；第一导电型的活性层，设置在埋入绝缘膜上；第二导电型的第一杂质区域，形成在活性层内；第二导电型的电场缓和层，包围第一杂质区域并形成在活性层内；第一导电型的第二杂质区域，包围电场缓和层并形成在活性层内；以及槽，包围第二杂质区域地形成，并到达埋入绝缘膜。

公开(公告)号：CN106104735B

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201580012693.9

申请日：2015-06-10

Applicant: 株式会社东海理化电机制作所

Inventor： 斋藤弘智 ,  片冈良一 ,  臼谷直士

IPC: H01H25/04

CPC classification number: H01H25/04 ,  B60Q1/1469 ,  G01D5/14 ,  G01D5/145

Abstract: 本发明提供一种抑制旋转构件的旋转的晃动而提升检测精度的旋转移动检测装置。杠杆开关装置(1)包括：磁体(50)，其具有从上表面(52)贯通到第1面的相反侧的下表面(53)的贯通孔(57)，该磁体能够以贯通孔(57)为中心进行旋转，且能在周围产生磁场；旋转检测传感器(80)，其用于检测磁体(50)的旋转角度；调光检测传感器(90)，其用于检测磁体(50)沿着第3旋转轴(L3)的移动；以及磁体保持件(70)，其由磁体支承轴(72)和安装部(74)一体化而成，该磁体支承轴(72)插入到贯通孔(57)来引导磁体(50)的旋转，并且保持磁体(50)，该安装部(74)与磁体(50)的侧面(510)相对，且配置有调光检测传感器(90)。