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公开(公告)号：CN1812153A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200510135764.2
申请日：2005-12-29
Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社
CPC classification number: H01L51/0015
Abstract: 本发明的目的在于提高采用涂布法形成的有机半导体层的载流子迁移度，还在于抑制有机半导体层薄膜在反复测定(使用)时的特性波动、还有降低阈值、进而提高在基板上的有机半导体层薄膜的成膜性。本发明提供一种有机半导体层的形成方法，其特征在于，对在基板上形成的有机半导体材料薄膜的一部分进行了预处理后，进行热处理。
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