公开(公告)号：CN100501945C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200480004225.9

申请日：2004-02-17

Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社

Inventor： 平井桂 ,  北弘志 ,  有田浩了

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00

CPC classification number: C23C16/30 ,  H01L51/0002 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/0533 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明提供显示出高载流子迁移率的有机薄膜晶体管元件及其制造方法。该有机薄膜晶体管元件的特征在于：采用使用了反应气体的CVD(化学气相沉积)形成，并且具有表面对于纯水的接触角为50度以上的薄膜，在该薄膜上形成有机半导体层。

公开(公告)号：CN1798865A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200480015446.6

申请日：2004-05-31

Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社

Inventor： 工藤一良 ,  齐藤笃志 ,  有田浩了

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/505 ,  G02B1/10

Abstract: 一种形成薄膜的方法，特征在于如下步骤：在大气压或约大气压下将放电气体引入放电空间受激发，然后将由此受激放电气体和含有带具有氟原子的有机基团的有机金属化合物的成膜气体在放电空间外彼此接触，由此形成间接受激气体，并将基材暴露于该间接受激气体下，由此在该基材上形成薄膜。还公开了具有通过这种方法形成的薄膜的制品。

公开(公告)号：CN1798865B

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN200480015446.6

申请日：2004-05-31

Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社

Inventor： 工藤一良 ,  齐藤笃志 ,  有田浩了

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/505 ,  G02B1/10

Abstract: 一种形成薄膜的方法，特征在于如下步骤：在大气压或约大气压下将放电气体引入放电空间受激发，然后将由此受激放电气体和含有带具有氟原子的有机基团的有机金属化合物的成膜气体在放电空间外彼此接触，由此形成间接受激气体，并将基材暴露于该间接受激气体下，由此在该基材上形成薄膜。还公开了具有通过这种方法形成的薄膜的制品。

公开(公告)号：CN1751385A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200480004225.9

申请日：2004-02-17

Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社

Inventor： 平井桂 ,  北弘志 ,  有田浩了

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00

CPC classification number: C23C16/30 ,  H01L51/0002 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/0533 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明提供显示出高载流子迁移率的有机薄膜晶体管元件及其制造方法。该有机薄膜晶体管元件的特征在于：采用使用了反应气体的CVD(化学气相沉积)形成，并且具有表面对于纯水的接触角为50度以上的薄膜，在该薄膜上形成有机半导体层。