公开(公告)号：CN101023499A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200580031729.4

申请日：2005-09-14

Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社

Inventor： 清村贵利 ,  间宫周雄 ,  工藤一良 ,  辻稔夫 ,  齐藤笃志

IPC: H01B5/14 ,  C23C16/40 ,  H01B13/00

CPC classification number: C23C16/403 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/405 ,  C23C16/407 ,  Y10T428/24992

Abstract: 本发明的目的在于提供在保持高透明性和导电性的同时具有与基材紧密附着性和耐龟裂性优异的透明导电膜。其特征在于，交替叠层由金属氧化物构成的低密度金属氧化物层和高密度金属氧化物层、且将所述低密度金属氧化物层的密度作为M1，将高密度金属氧化物层的密度作为M2时，满足下述式(1)所规定的条件，式(1)：1.01≤M2/M1≤1.400。

公开(公告)号：CN1798865A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200480015446.6

申请日：2004-05-31

Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社

Inventor： 工藤一良 ,  齐藤笃志 ,  有田浩了

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/505 ,  G02B1/10

Abstract: 一种形成薄膜的方法，特征在于如下步骤：在大气压或约大气压下将放电气体引入放电空间受激发，然后将由此受激放电气体和含有带具有氟原子的有机基团的有机金属化合物的成膜气体在放电空间外彼此接触，由此形成间接受激气体，并将基材暴露于该间接受激气体下，由此在该基材上形成薄膜。还公开了具有通过这种方法形成的薄膜的制品。

公开(公告)号：CN1798865B

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN200480015446.6

申请日：2004-05-31

Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社

Inventor： 工藤一良 ,  齐藤笃志 ,  有田浩了

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/505 ,  G02B1/10

Abstract: 一种形成薄膜的方法，特征在于如下步骤：在大气压或约大气压下将放电气体引入放电空间受激发，然后将由此受激放电气体和含有带具有氟原子的有机基团的有机金属化合物的成膜气体在放电空间外彼此接触，由此形成间接受激气体，并将基材暴露于该间接受激气体下，由此在该基材上形成薄膜。还公开了具有通过这种方法形成的薄膜的制品。

公开(公告)号：CN100559513C

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200580031729.4

申请日：2005-09-14

Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社

Inventor： 清村贵利 ,  间宫周雄 ,  工藤一良 ,  辻稔夫 ,  齐藤笃志

IPC: H01B5/14 ,  C23C16/40 ,  H01B13/00

CPC classification number: C23C16/403 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/405 ,  C23C16/407 ,  Y10T428/24992

Abstract: 本发明的目的在于提供在保持高透明性和导电性的同时具有与基材紧密附着性和耐龟裂性优异的透明导电膜。其特征在于，交替叠层由金属氧化物构成的低密度金属氧化物层和高密度金属氧化物层、且将所述低密度金属氧化物层的密度作为M1，将高密度金属氧化物层的密度作为M2时，满足下述式(1)所规定的条件，式(1)：1.01≤M2/M1≤1.400。