公开(公告)号：CN100578744C

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200680022565.3

申请日：2006-06-23

Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社

Inventor： 小渕礼子 ,  竹村千代子 ,  平井桂

IPC: H01L21/368 ,  H01L51/05 ,  H01L21/336 ,  H01L51/40 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L51/0003 ,  H01L51/0007 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明提供在将含有有机半导体材料和非卤类溶剂的涂布液涂布于基板上时，通过使干燥时的溶剂的平均挥发速度在所规定的范围内，形成载体迁移率较高的有机半导体膜的方法。此外，根据该形成方法，可以得到有机半导体膜在重复使用时的特性变动得到抑制，即使在栅极电压的阈值降低的绝缘体上成膜性也优异的有机薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN100568471C

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200680021905.0

申请日：2006-05-23

Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社

Inventor： 小渕礼子 ,  竹村千代子 ,  平井桂

IPC: H01L21/368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0096 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种在基板上形成迁移率提高的有机半导体材料膜的方法，以及由此呈现高性能的有机薄膜晶体管的制造方法。该有机薄膜晶体管的制造方法是在基板表面上涂布含有有机半导体材料的液体，形成半导体材料薄膜的有机半导体材料膜的形成方法，上述基板表面的表面自由能由γS＝γSd+γSp+γSh以及上述液体中溶剂的表面自由能由γL＝γLd+γLp+γLh(这里，γSd、γSp、γSh和γLd、γLp、γLh分别表示基于Young-Fowkes式的固体表面和液体表面的自由能的非极性、极性分量、或氢键分量)。表示时，γSh-γLh的值在-5mN/m～20mN/m的范围，且上述基板表面的表面自由能的氢键分量γSh满足0＜γSh＜20(mN/m)。

公开(公告)号：CN101203950A

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200680022565.3

申请日：2006-06-23

Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社

Inventor： 小渕礼子 ,  竹村千代子 ,  平井桂

IPC: H01L21/368 ,  H01L51/05 ,  H01L21/336 ,  H01L51/40 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L51/0003 ,  H01L51/0007 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明提供在将含有有机半导体材料和非卤类溶剂的涂布液涂布于基板上时，通过使干燥时的溶剂的平均挥发速度在所规定的范围内，形成载体迁移率较高的有机半导体膜的方法。此外，根据该形成方法，可以得到有机半导体膜在重复使用时的特性变动得到抑制，即使在栅极电压的阈值降低的绝缘体上成膜性也优异的有机薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN101203949A

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200680021905.0

申请日：2006-05-23

Applicant: 柯尼卡美能达控股株式会社

Inventor： 小渕礼子 ,  竹村千代子 ,  平井桂

IPC: H01L21/368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0096 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种在基板上形成迁移率提高的有机半导体材料膜的方法，以及由此呈现高性能的有机薄膜晶体管的制造方法。该有机薄膜晶体管的制造方法是在基板表面上涂布含有有机半导体材料的液体，形成半导体材料薄膜的有机半导体材料膜的形成方法，上述基板表面的表面自由能由γS＝γSd+γSp+γSh以及上述液体中溶剂的表面自由能由γL＝γLd+γLp+γLh(这里，γSd、γSp、γSh和γLd、γLp、γLh分别表示基于Young－Fowkes式的固体表面和液体表面的自由能的非极性、极性分量、或氢键分量。)表示时，γSh－γLh的值在－5mN/m～20mN/m的范围，且上述基板表面的表面自由能的氢键分量γSh满足0＜γSh＜20(mN/m)。