公开(公告)号：CN1294396A

公开(公告)日：2001-05-09

申请号：CN00133003.9

申请日：2000-10-26

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 桝井干生 ,  东启二 ,  北村启明 ,  池川直人

IPC: H01H9/00 ,  H01H11/00

Abstract: 提高接触于能量照射部的触感,同时能量照射部具备明了又光泽感。借着雷射等能量照射加工文字或花样等的合成树脂所构成的开关构件。包含近旁路的能量照射部1的面粗糙,系对于周边部2的面粗糙在30倍以下。

公开(公告)号：CN100562971C

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200480034906.X

申请日：2004-10-27

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 栎原勉 ,  滨田长生 ,  明渡甲志 ,  北村启明 ,  福岛博司 ,  菰田卓哉 ,  幡井崇

IPC: H01K1/04 ,  H05B3/10 ,  G01N21/01

Abstract: 在红外辐射元件(A)中，绝热层(2)沿厚度方向形成于半导体衬底(1)的表面上，其比半导体衬底(1)具有充分小的热导率，加热层(3)形成于绝热层(2)上，其为薄层(平面)形式且比绝热层(2)具有更大的热导率和更大的电导率，用于通电的成对的焊盘(4)形成于发热层(3)上。半导体衬底(1)由硅衬底制成。绝热层(2)和加热层(3)由孔隙率彼此不同的多孔硅层形成，且加热层(3)具有小于绝热层(2)的孔隙率。通过将该红外辐射元件(A)作为气敏传感器的红外辐射源，有可能延长红外辐射源的寿命。

公开(公告)号：CN100393182C

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN00121396.2

申请日：2000-07-27

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 中村康辅 ,  泽田康志 ,  北村启明 ,  井上吉民

IPC: H05H1/24 ,  C23F4/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32009 ,  H01J37/32559

Abstract: 等离子体处理设备包括用于产生等离子体的多对电极、用于在其中容纳电极的处理室、用于将例如惰性气体的等离子体生成气体供给室的气体供给装置和电源。在电极之间施加脉冲或AC电压，以便在大气压附近产生气体的介质阻挡层放电等离子体，从而利用等离子体处理放置在电极之间的物体。至少一个电极备有管状结构的电极基底和在暴露给电极基底的等离子体的至少一个表面上的通过热熔涂覆玻璃基材料而形成的保护层。

公开(公告)号：CN1283076A

公开(公告)日：2001-02-07

申请号：CN00121396.2

申请日：2000-07-27

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 中村康辅 ,  泽田康志 ,  北村启明 ,  井上吉民

IPC: H05H1/24 ,  C23F4/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32009 ,  H01J37/32559

Abstract: 等离子体处理设备包括用于产生等离于体的多对电极、用于在其中容纳电极的处理室、用于将例如惰性气体的产生等离子体气体供给室的气体供给装置和电源。在电极之间施加脉冲或AC电压,以便在大气压附近产生气体的介质阻挡层放电等离子体,从而利用等离子体处理放置在电极之间的物体。至少一个电极备有管状结构的电极基底和在曝露给电极基底的等离于体的至少一个表面上的通过热熔涂覆玻璃基材料而形成的保护层。

公开(公告)号：CN102326104A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201080008666.1

申请日：2010-02-04

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 平井孝彦 ,  北村启明 ,  稻叶雄一 ,  渡部祥文 ,  西川尚之 ,  园孝浩

IPC: G02B5/28 ,  C23C14/06 ,  G02B5/22

CPC classification number: G02B5/281 ,  C23C14/081 ,  C23C14/083 ,  C23C14/10

Abstract: 本发明的红外滤光器包括由红外透射材料形成的衬底和在衬底的一个表面侧上并排排列的多个过滤部件。各过滤部件包括：第一λ/4多层膜，其中将两种具有相互不同的折射率但相同的光学膜厚度的薄膜交替堆叠；第二λ/4多层膜，其中将两种薄膜交替堆叠，所述第二λ/4多层膜在第一λ/4多层膜的与衬底侧的相反侧上形成；和置于第一λ/4多层膜和第二λ/4多层膜之间的波长选择层，其中根据所需选择波长，所述波长选择层具有与其他薄膜的光学膜厚度不同的光学膜厚度。第一λ/4多层膜和第二λ/4多层膜的低折射率材料由氧化物构成，且其高折射率材料由Ge所形成的半导体材料构成。波长选择层的材料与第一λ/4多层膜的次顶层薄膜的材料相同。

公开(公告)号：CN1141009C

公开(公告)日：2004-03-03

申请号：CN99122005.6

申请日：1999-10-25

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 泽田康志 ,  中村康辅 ,  北村启明 ,  井上吉民

IPC: H05H1/24 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32009 ,  H01J37/32348 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32559 ,  H01J37/32724 ,  H05H1/2406

Abstract: 一种等离子体处理装置，利用该装置可以对目标物进行有效地等离子体处理而不出现弧光放电。该装置包括至少一对电极，一个气体供应单元，一个供电部分；在上述电极中，至少有一个电极在其外表面具有介电层。并且至少有一个电极具有向上述放电间隙伸进的弯曲表面。最好上述电极对中至少有一个电极具有管状结构。等离子体处理装置进一步包括一个提供冷却剂的单元，利用该单元可以向电极内部提供冷却剂以降低在等离子体处理过程中的电极温度。

公开(公告)号：CN1886820A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200480034906.X

申请日：2004-10-27

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 栎原勉 ,  滨田长生 ,  明渡甲志 ,  北村启明 ,  福岛博司 ,  菰田卓哉 ,  幡井崇

IPC: H01K1/04 ,  H05B3/10 ,  G01N21/01

Abstract: 在红外辐射元件(A)中，绝热层(2)沿厚度方向形成于半导体衬底(1)的表面上，其比半导体衬底(1)具有充分小的热导率，加热层(3)形成于绝热层(2)上，其为薄层(平面)形式且比绝热层(2)具有更大的热导率和更大的电导率，用于通电的成对的焊盘(4)形成于发热层(3)上。半导体衬底(1)由硅衬底制成。绝热层(2)和加热层(3)由孔隙率彼此不同的多孔硅层形成，且加热层(3)具有小于绝热层(2)的孔隙率。通过将该红外辐射元件(A)作为气敏传感器的红外辐射源，有可能延长红外辐射源的寿命。

公开(公告)号：CN1254250A

公开(公告)日：2000-05-24

申请号：CN99122005.6

申请日：1999-10-25

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 泽田康志 ,  中村康辅 ,  北村启明 ,  井上吉民

IPC: H05H1/24 ,  C23F4/00 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01J37/32009 ,  H01J37/32348 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32559 ,  H01J37/32724 ,  H05H1/2406

Abstract: 一种等离子体处理装置,利用该装置可以对目标物进行有效地等离子体处理而不出现弧光放电。该装置包括至少一对电极,一个气体供应单元,一个供电部分;在上述电极中,至少有一个电极在其外表面具有介电层。并且至少有一个电极具有向上述放电间隙伸进的弯曲表面。最好上述电极对中至少有一个电极具有管状结构。等离子体处理装置进一步包括一个提供冷却剂的单元,利用该单元可以向电极内部提供冷却剂以降低在等离子体处理过程中的电极温度。