公开(公告)号：CN1383579A

公开(公告)日：2002-12-04

申请号：CN01801731.2

申请日：2001-06-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 能泽克弥 ,  斋藤彻 ,  久保实 ,  神泽好彦

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/365 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种结构评价方法、半导体装置的制造方法和记录媒体,是在设定工艺条件的初始推定值并利用工艺模拟器进行半导体器件的要素的结构的推定之后,计算物理量测定值的预想值。并且,将通过光学的评价方法得到的半导体器件的要素的物理量的实测值与理论计算值相互进行比较,利用例如急速下降法等,求出测定的半导体器件的要素的更正确的结构。利用该结果可以修改其他半导体器件的要素的工艺的工艺条件。

公开(公告)号：CN1365515A

公开(公告)日：2002-08-21

申请号：CN01800613.2

申请日：2001-03-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 神泽好彦 ,  能泽克弥 ,  斋藤彻 ,  久保实

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B29/36

CPC classification number: C23C16/22 ,  C30B25/02 ,  C30B29/52

Abstract: 一种半导体晶体的制造方法,它以Si作衬底、在将Si衬底1的表面进行前处理后,用超高真空化学气相生长装置(UHV－CVD装置)在Si衬底1上形成SiGeC层2。这时SiGeC层2的生长温度低于490℃,Si原料用的是Si2H6、Ge原料用的是GeH4、C原料用的是SiH3CH3,用这种方法能够形成具有良好结晶性的SiGeC层2。

公开(公告)号：CN1260594A

公开(公告)日：2000-07-19

申请号：CN00100243.0

申请日：2000-01-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 斋藤彻 ,  神泽好彦 ,  片山幸治 ,  能泽克弥 ,  菅原岳 ,  久保实

IPC: H01L29/02 ,  H01L27/04 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  C30B29/02

CPC classification number: H01L29/165 ,  C30B23/02 ,  C30B29/68 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/155

Abstract: 交替地将不产生离散的量化能级的厚度薄的Si1-xGex层(0

公开(公告)号：CN102272927A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201080003876.1

申请日：2010-07-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 能泽克弥

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L27/101 ,  H01L27/222 ,  H01L27/249 ,  H01L43/12 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16

Abstract: 本发明提供一种降低了耗电量、并抑制了元件特性偏差的半导体存储器装置的制造方法。该半导体存储器的制造方法包含通过对层叠在基板(500)的上方的反应性传导材料(504)及非反应性传导材料(505)的露出的侧面进行绝缘物形成处理，从反应性传导材料(504)的侧面使规定长度的反应性传导材料(504)变化成绝缘物(801)，使非反应性传导材料(505)的侧面相对于反应性传导材料(504)的侧面突出而形成突起(804)的工序，绝缘物形成处理是氧化处理或氮化处理，反应性传导材料(504)是通过氧化处理或氮化处理发生化学反应而变化成绝缘物(801)的材料，非反应性传导材料(505)是通过氧化处理或氮化处理不变化成绝缘物(801)的材料。

公开(公告)号：CN1168147C

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN00100243.0

申请日：2000-01-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 斋藤彻 ,  神泽好彦 ,  片山幸治 ,  能泽克弥 ,  菅原岳 ,  久保实

IPC: H01L29/02 ,  H01L27/04 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  C30B29/02

CPC classification number: H01L29/165 ,  C30B23/02 ,  C30B29/68 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/155

Abstract: 交替地将不产生离散的量化能级的厚度薄的Si1-xGex层(0＜x＜1)和Si1-yCy层(0＜y＜1)层叠成多层，以形成能起到单一的SiGeC层的作用的Si1-xGex/Si1-yCy短周期超晶格体。这样，可获得排除Ge-C键的SiGeC三元混晶体。在形成Si1-xGex/Si1-yCy短周期超晶格体的方法中，有交替地使Si1-xGex层和Si1-yCy层外延生长的方法以及在形成Si/Si1-xGex短周期超晶格体之后，注入C离子，再通过热处理，以使C原子移到Si层中的方法。

公开(公告)号：CN1277735A

公开(公告)日：2000-12-20

申请号：CN99801585.7

申请日：1999-09-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 能泽克弥 ,  久保实 ,  斋藤彻 ,  高木刚

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C30B29/06 ,  C23C16/481 ,  C23C16/52 ,  C30B25/14 ,  C30B25/165 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 晶体生长装置由真空容器(10)、加热灯(12)、对加热灯(12)进行控制的灯控制器(13)、气体通入口(14)、调节气体流量的流量调节器(15)、测量衬底温度的高温计(19)、将乙硅烷等气体供到真空容器(10)的供气单元(30)组成。椭圆偏振光谱测量装置由光源(20)、起偏器(21)、调制器(22)、分析器(24)、分光仪/检测单元(25)以及计算Ψ、△的分析控制装置(26)组成。在去除衬底上的化学氧化膜时,通过现场椭圆偏振光谱测量,来识别氧化膜覆盖衬底面的phase 1和衬底的一部分已经露出来的phase 2,从而向各phase适当地提供和停供气体。

公开(公告)号：CN1267916A

公开(公告)日：2000-09-27

申请号：CN00102992.4

申请日：2000-03-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 浅井明 ,  大西照人 ,  高木刚 ,  斋藤彻 ,  原义博 ,  幸康一郎 ,  能泽克弥 ,  神泽好彦 ,  片上幸治 ,  市川洋

IPC: H01L29/737 ,  H01L27/24 ,  H01L21/328 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L29/66242 ,  H01L21/763 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/7378

Abstract: 在硅基板100内,由浅沟槽103所夹的区域里形成集电极层102,在基板上沉积第一沉积氧化膜108并开一个跨越浅沟槽的一部分的集电极开口部110。在露出于该开口部的基板上,使Si/Si1-xGex层外延生长。在基板上沉积第二沉积氧化膜112,而在Si/Si1-xGex层的中央部上形成基极开口部118;在端部形成基极结用开口部114。从该开口部114往基板内注入杂质离子,以形成导电型与外部电极相同的结漏电流防止层113。这样,使集电极开口宽度W3大于活性区宽度W2。

公开(公告)号：CN100352061C

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN02157058.2

申请日：2002-12-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 青木成刚 ,  斋藤徹 ,  能泽克弥

IPC: H01L29/737 ,  H01L27/04 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/7371

Abstract: 本发明提供一种半导体器件以及其制造方法，该半导体器件在绝缘层上具有在外延生长的同时所制造的很厚的多结晶半导体层。在集电开口部(5)上，外延生长由Si缓冲层(7d)、SiGe隔离层、倾斜SiGe层以及Si覆盖层的Si/SiGe层(7)，同时在氮化膜(6)的上面上和氧化膜(5)以及氮化膜(6)的侧面上沉积多结晶层(8)。此时，通过制成Si缓冲层(7d)之后制成SiGe隔离层等膜，确实进行非选择外延生长，并在氮化膜(6)上又制成多结晶层(8)。

公开(公告)号：CN1158692C

公开(公告)日：2004-07-21

申请号：CN99801585.7

申请日：1999-09-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 能泽克弥 ,  久保实 ,  斋藤彻 ,  高木刚

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C30B29/06 ,  C23C16/481 ,  C23C16/52 ,  C30B25/14 ,  C30B25/165 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 晶体生长装置由真空容器(10)、加热灯(12)、对加热灯(12)进行控制的灯控制器(13)、气体通入口(14)、调节气体流量的流量调节器(15)、测量衬底温度的高温计(19)、将乙硅烷等气体供到真空容器(10)的供气单元(30)组成。椭圆偏振光谱测量装置由光源(20)、起偏器(21)、调制器(22)、分析器(24)、分光仪/检测单元(25)以及计算Ψ、Δ的分析控制装置(26)组成。在去除衬底上的化学氧化膜时，通过现场椭圆偏振光谱测量，来识别氧化膜覆盖衬底面的phase 1和衬底的一部分已经露出来的phase 2，从而向各phase适当地提供和停供气体。

公开(公告)号：CN1449056A

公开(公告)日：2003-10-15

申请号：CN02157058.2

申请日：2002-12-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 青木成刚 ,  斋藤徹 ,  能泽克弥

IPC: H01L29/737 ,  H01L27/04 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/7371

Abstract: 本发明提供一种半导体器件以及其制造方法，该半导体器件在绝缘层上具有在外延生长的同时所制造的很厚的多结晶半导体层。在集电开口部5上，外延生长由Si缓冲层7d、SiGe隔离层、倾斜SiGe层以及Si覆盖层的Si/SiGe层7，同时在氮化膜6的上面上和氧化膜5以及氮化膜6的侧面上沉积多结晶层8。此时，通过制成Si缓冲层7d之后制成SiGe隔离层等膜，确实进行非选择外延生长，并在氮化膜6上又制成多结晶层8。