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公开(公告)号：CN100505266C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200680012006.4
申请日：2006-04-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/32 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 电元件具备第一端子(1)、第二端子(3)和可变电阻薄膜(2)。可变电阻薄膜(2)连接到第一端子(1)和第二端子(3)之间。并且，可变电阻薄膜(2)含Fe3O4结晶相和Fe2O3结晶相。
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公开(公告)号：CN101160660A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200680012006.4
申请日：2006-04-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/32 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 电元件具备第一端子(1)、第二端子(3)和可变电阻薄膜(2)。可变电阻薄膜(2)连接到第一端子(1)和第二端子(3)之间。并且，可变电阻薄膜(2)含Fe3O4结晶相和Fe2O3结晶相。
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公开(公告)号：CN1938781A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200480042767.5
申请日：2004-10-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2213/31 , G11C2213/78 , G11C2213/79 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/147 , Y10T428/1136 , Y10T428/115
Abstract: 薄膜存储器件包括第一电极(3)、第一可变电阻薄膜(2)和第二电极(1)，第一电极(3)形成在基板(4)的表面上，第一可变电阻薄膜(2)形成在第一电极(3)的表面上，第二电极(1)形成在第一可变电阻薄膜(2)的表面上，第一可变电阻薄膜(2)包括在块状态下其电阻根据晶格应变和电荷序变化的至少之一而变化的材料。
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公开(公告)号：CN1898749B
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN200480038984.7
申请日：2004-10-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/2436 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C13/0069 , G11C2013/0083 , G11C2213/31 , G11C2213/75 , G11C2213/78 , G11C2213/79 , H01L27/2463 , H01L27/2472 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147
Abstract: 第一可变电阻器(5)，连接在第一端子(7)与第三端子(9)之间，该第一可变电阻器(5)的电阻值根据被施加在第一端子(7)与第三端子(9)之间的脉冲电压的极性而增加或减少。第二可变电阻器(6)，连接在第三端子(9)与第二端子(8)之间，该第二可变电阻器(6)的电阻值根据被施加在第三端子(9)与第二端子(8)之间的脉冲电压的极性而增加或减少。在第一端子(7)与第三端子(9)之间和第三端子(9)与第二端子(8)之间施加规定脉冲电压，以让第一及第二可变电阻器(5、6)的电阻值可逆地变化，这样来记录一个位或多个位的信息。
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公开(公告)号：CN101351888B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200780001020.9
申请日：2007-01-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 电元件具备第一电极、第二电极、以及连接到第一电极和第二电极之间的可变电阻薄膜。可变电阻薄膜含Fe3O4作为构成元素，并且，结晶粒径在5nm以上150nm以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101164168B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200680013802.X
申请日：2006-10-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L21/822 , G11C13/00 , H01L27/04
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/5685 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/145
Abstract: 电气元件，具备第一电极(1)、第二电极(3)、以及在第一电极(1)和第二电极(3)之间被连接的可变电阻薄膜(2)。可变电阻薄膜(2)，含Fe(铁)及O(氧)作为构成元素，在薄膜厚度方向氧含有量被改变。
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公开(公告)号：CN101164167A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200680013537.5
申请日：2006-04-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/5685 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/15 , G11C2213/31 , G11C2213/72 , G11C2213/77 , H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/2463 , H01L29/8615 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147
Abstract: 第一电极层，包括互相平行地延伸的多条第一电极线(W1、W2)。状态变化层，形成在第一电极层上，并且包括具有二极管特性和可变电阻特性的多个状态变化物(60－11、60－12、60－21、60－22)。第二电极层，形成在状态变化层上，并且包括互相平行地延伸的多条第二电极线(B1、B2)。多条第一电极线和多条第二电极线，从叠层方向看时夹着状态变化层互相交叉。状态变化物(60－11)，形成在第一电极线(W1)和第二电极线(B1)交叉的位置的、该第一电极线与该第二电极线之间。
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公开(公告)号：CN1084907C
公开(公告)日：2002-05-15
申请号：CN97120643.0
申请日：1997-09-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B5/23
CPC classification number: G11B5/1878 , G11B5/314 , G11B5/40 , Y10T428/115
Abstract: 一种磁头，包括铁氧体制成的后芯和位于磁隙附近的磁合金膜，并具有一个由TxMyNz表示的均匀组分，其中T是Fe或Co；M是从由Nb、Zr、Ta、Hf、Cr、W和Mo组成的族中选出的至少一种金属；N是氮；x、y和z是原子百分比，保持在65≤x≤94，5≤y≤25，0≤z≤20和x+y+z＝100。磁头包括氮浓度高于整个磁合金膜中所含的氮浓度的氧扩散防止部分，氧扩散防止部分被提供在与铁氧体芯交界面部分的磁合金膜上。
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公开(公告)号：CN1147670A
公开(公告)日：1997-04-16
申请号：CN96108296.8
申请日：1996-07-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B5/31
Abstract: 一种磁头，包括基底磁芯以及在该基底磁芯的两对边形成的磁合金薄膜，其薄膜内具有磁隙，磁合金薄膜由内部和外部组成，该内部位于磁隙的附近，并由用以下平均组分作为整个合金薄膜的一种合金组成，即TxMyNz，其中，T为Fe或Mo，M表示从Nb，Zr，Ta，Hf，Cr，W和Mo中选择的至少一种成分，N为氮，x，y，和z分别为原子百分数的一个值，确定65＜＝x＜＝94，5＜＝y＜＝25，0＜z＜＝20，使x+y+z＝100，其外部的氮含量高于内部的氮含量。
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公开(公告)号：CN101542730B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200880000421.7
申请日：2008-03-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/32 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675 , Y10S438/90
Abstract: 本发明提供具有高速且可逆的稳定的改写特性、良好的电阻值的保持特性并用于信息家电等电子设备的非易失性存储元件及其制造方法，以及使用了该非易失性存储元件的非易失性半导体装置。该非易失性存储元件包括：第一电极(103)；第二电极(107)；和存在于第一电极(103)与第二电极(107)之间、且电阻值根据施加在两电极(103)、(107)间的电信号可逆地变化的电阻变化层(106)，该电阻变化层(106)具有叠层有具有由TaOx(其中，0≤x＜2.5)表示的组成的第一含钽层、和具有至少由TaOy(其中，x＜y)表示的组成的第二含钽层的叠层结构。
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