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公开(公告)号：CN102778622A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210261562.2
申请日：2012-07-26
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于无饱和随机共振数学模型的含噪声微弱信号检出电路。本发明中的前置求和放大电路包括前置求和放大器U1、第一反向器F1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第一可变电阻Rv1、第一接地电阻R201、第二接地电阻R202。求和积分电路包括求和运算放大器U2、积分运算放大器U3、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9、第三接地电阻R203、第四接地电阻R204、积分器电容C_INTE。三通道选择反馈电路包括比较电路和反馈电路。本发明可以将淹没在强噪声中的有用信号增强，使噪声显著减弱，实现从强噪声背景中提取出微弱信号的目的。
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公开(公告)号：CN106685928A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201611108354.3
申请日：2016-12-06
Applicant: 国网浙江省电力公司绍兴供电公司 , 国家电网公司 , 国网浙江省电力公司 , 杭州电子科技大学
IPC: H04L29/06
CPC classification number: H04L63/1416 , H04L63/1425 , H04L63/1441
Abstract: 本发明公开一种适用于数字化变电站间隔层SMV网络攻击分级检测方法，包括包解密步骤、包过滤步骤、包解析步骤、MAC地址异常检测步骤、基于规范的入侵检测步骤、基于历史事件的数据检测步骤，最后的检测结果分类写入正常事件日志、告警日志，对异常进行取证后保存；根据入侵数据进行异常评估指标计算；告警及入侵数据、异常评估指标将上送主站；或者进行就地告警显示。本发明所述的适用于数字化变电站间隔层SMV网络攻击分级检测方法，设有MAC 地址异常、SMV 不良数据、数据包逻辑检测、数据流量阀值异常、一次故障相似、网络攻击相似、上送SMV 伪造、上送SMV 篡改等多种异常状态指示器，可方便快速定位攻击形式以及可能的攻击位置，以便快速告知调度侧运行监控人员。
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公开(公告)号：CN106444589A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201611108353.9
申请日：2016-12-06
Applicant: 国网浙江省电力公司绍兴供电公司 , 国家电网公司 , 国网浙江省电力公司 , 杭州电子科技大学 , 绍兴电力设备成套公司
IPC: G05B19/048
CPC classification number: G05B19/048
Abstract: 本发明公开一种30度相角差配电线路合解环操作系统，包括配电网合解环运行计算及管理模块、变电站远方操作票管理模块、变电站远方操作票执行模块、远方操作前置机和变电站合解环装置。采用本发明所述的30度相角差配电线路合解环操作系统，基于通用变电站远方操作票执行模块和变电站合解环装置的信息及自动化系统，可有效地对数据收集、采集的集成，并对不停电转供决策建模、决策优化、决策执行实现全过程的有效监管和监控。
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公开(公告)号：CN106787123A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611108622.1
申请日：2016-12-06
Applicant: 国网浙江省电力公司绍兴供电公司 , 国家电网公司 , 国网浙江省电力公司 , 杭州电子科技大学 , 国网浙江绍兴市上虞区供电公司 , 绍兴电力设备成套公司
IPC: H02J9/02
CPC classification number: H02J9/02
Abstract: 本发明公开一种30度相角差配电线路不停电转供断路器组顺控方法，通过 “后备断路器”的选择，实现合、解环断路器出现拒动场合下的补救措施；通过各个断路器顺序控制方法，具有确定性强，适用于具备高速通信的场景下的30度相角差配电线路合解环场合。
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公开(公告)号：CN101872771A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010197471.8
申请日：2010-06-08
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L27/12
Abstract: 本发明涉及一种逆导型SOI LIGBT器件单元。常规的SOI LIGBT由于没有集成反向续流器件，不具备逆向导通功能。本发明包括半导体衬底、隐埋氧化层、缓冲区、漂移区、阱区、阱接触区、源区、栅氧化层；其中隐埋氧化层将半导体衬底和顶层器件层完全隔离，顶层器件层分为缓冲区和漂移区，内部沟槽隔离氧化层将顶层器件层隔离成主器件部分和续流二极管部分；主器件部分上设置有主器件阳极接触区、主器件阳极短路点区，续流二极管部分设置有续流二极管阴极接触区。本发明由于将反向续流二极管集成在SOI LIGBT器件单元结构之中，无需外接任何器件就具有逆向导通能力，有利于节省资源、降低能耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101872771B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201010197471.8
申请日：2010-06-08
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L27/12
Abstract: 本发明涉及一种逆导型SOI LIGBT器件单元。常规的SOI LIGBT由于没有集成反向续流器件，不具备逆向导通功能。本发明包括半导体衬底、隐埋氧化层、缓冲区、漂移区、阱区、阱接触区、源区、栅氧化层；其中隐埋氧化层将半导体衬底和顶层器件层完全隔离，顶层器件层分为缓冲区和漂移区，内部沟槽隔离氧化层将顶层器件层隔离成主器件部分和续流二极管部分；主器件部分上设置有主器件阳极接触区、主器件阳极短路点区，续流二极管部分设置有续流二极管阴极接触区。本发明由于将反向续流二极管集成在SOI LIGBT器件单元结构之中，无需外接任何器件就具有逆向导通能力，有利于节省资源、降低能耗。
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公开(公告)号：CN101819948A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010136068.4
申请日：2010-03-30
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L21/8238 , H01L21/8234 , H01L21/84
Abstract: 本发明涉及纵向沟道SOI LDMOS的CMOS VLSI集成制作方法。现有方法制作的SOI LDMOS器件没有纵向沟道结构及与之对应的优异性能。本发明通过采用沟槽刻蚀技术实现纵向栅和栅场板结构、台阶式沟槽漏极结构，阱掺杂调整为逆向掺杂分布的离子注入阱和阱欧姆接触掺杂工艺，在源区掺杂的同时进行栅极和漏极掺杂的方法来实现。本发明采用现有SOI CMOS VLSI工艺技术，在稍微增加工艺复杂度与工艺成本条件下使集成功率与射频SOILDMOS器件的电学与热学性能得到显著改善。
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公开(公告)号：CN106787123B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201611108622.1
申请日：2016-12-06
Applicant: 国网浙江省电力公司绍兴供电公司 , 国家电网公司 , 国网浙江省电力公司 , 杭州电子科技大学 , 国网浙江绍兴市上虞区供电公司 , 绍兴电力设备成套公司
IPC: H02J9/02
Abstract: 本发明公开一种30度相角差配电线路不停电转供断路器组顺控方法，通过“后备断路器”的选择，实现合、解环断路器出现拒动场合下的补救措施；通过各个断路器顺序控制方法，具有确定性强，适用于具备高速通信的场景下的30度相角差配电线路合解环场合。
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公开(公告)号：CN101819948B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201010136068.4
申请日：2010-03-30
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L21/8238 , H01L21/8234 , H01L21/84
Abstract: 本发明涉及纵向沟道SOI LDMOS的CMOS VLSI集成制作方法。现有方法制作的SOI LDMOS器件没有纵向沟道结构及与之对应的优异性能。本发明通过采用沟槽刻蚀技术实现纵向栅和栅场板结构、台阶式沟槽漏极结构，阱掺杂调整为逆向掺杂分布的离子注入阱和阱欧姆接触掺杂工艺，在源区掺杂的同时进行栅极和漏极掺杂的方法来实现。本发明采用现有SOI CMOS VLSI工艺技术，在稍微增加工艺复杂度与工艺成本条件下使集成功率与射频SOILDMOS器件的电学与热学性能得到显著改善。
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公开(公告)号：CN201804866U
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201020221047.8
申请日：2010-06-08
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L27/12
Abstract: 本实用新型涉及一种逆导型SOI LIGBT器件单元。常规的SOI LIGBT由于没有集成反向续流器件，不具备逆向导通功能。本实用新型包括半导体衬底、隐埋氧化层、缓冲区、漂移区、阱区、阱接触区、源区、栅氧化层；其中隐埋氧化层将半导体衬底和顶层器件层完全隔离，顶层器件层分为缓冲区和漂移区，内部沟槽隔离氧化层将顶层器件层隔离成主器件部分和续流二极管部分；主器件部分上设置有主器件阳极接触区、主器件阳极短路点区，续流二极管部分设置有续流二极管阴极接触区。本实用新型由于将反向续流二极管集成在SOI LIGBT器件单元结构之中，无需外接任何器件就具有逆向导通能力，有利于节省资源、降低能耗。
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