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公开(公告)号：CN113937219B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202111065600.2
申请日：2021-09-10
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于三元溶剂制备Dion‑Jacobson型准二维钙钛矿薄膜的方法。本发明以N，N‑二甲基酰胺，二甲基亚砜和第三种具有高沸点、低饱和蒸气压的溶剂组成三元溶剂，将钙钛矿前驱体材料及添加剂加入该三元溶剂中，并经过液相沉积法制成湿膜，再经溶剂淬灭工艺预结晶；最后经退火处理后得到DJ型准二维钙钛矿薄膜。与单一溶剂体系或二元溶剂体系相比，三元溶剂体系有利于缓解钙钛矿薄膜的结晶速度，基于该体系制得的DJ型准二维钙钛矿薄膜，具有结晶度更高、晶体取向垂直于衬底以及梯度相分布的特点，使得钙钛矿薄膜具有较高的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN113937219A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111065600.2
申请日：2021-09-10
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于三元溶剂制备Dion‑Jacobson型准二维钙钛矿薄膜的方法。本发明以N，N‑二甲基酰胺，二甲基亚砜和第三种具有高沸点、低饱和蒸气压的溶剂组成三元溶剂，将钙钛矿前驱体材料及添加剂加入该三元溶剂中，并经过液相沉积法制成湿膜，再经溶剂淬灭工艺预结晶；最后经退火处理后得到DJ型准二维钙钛矿薄膜。与单一溶剂体系或二元溶剂体系相比，三元溶剂体系有利于缓解钙钛矿薄膜的结晶速度，基于该体系制得的DJ型准二维钙钛矿薄膜，具有结晶度更高、晶体取向垂直于衬底以及梯度相分布的特点，使得钙钛矿薄膜具有较高的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN214830780U
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202120886350.8
申请日：2021-04-27
Applicant: 暨南大学
Abstract: 一种集成涂布和真空辅助结晶的薄膜制备装置，包括操作台、密封圈、真空罩、涂膜器固定架、真空泵、抽气管、涂膜器；操作台上设有操作台面，操作台面位于操作台的上表面；密封圈固定地贴合于操作台面上，涂膜区位于密封圈内，密封圈的形状与真空罩的开口形状相同；涂膜器固定架与操作台滑动连接；操作台上开有第一气孔和第二气孔，第一气孔位于操作台面的密封圈内，第二气孔位于操作台后侧，第一气孔与第二气孔通过操作台内部管道连通，真空泵通过抽气管连接第二气孔。本实用新型在制备薄膜时，将涂布工艺和真空辅助结晶工艺置于同一设备中完成，可省去转移过程，提高制备效率与薄膜质量，属于薄膜制备领域。
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