公开(公告)号：CN114744066A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202210296219.5

申请日：2022-03-24

Applicant: 暨南大学

Inventor： 梁晓杨 ,  麦耀华 ,  刘聪

IPC: H01L31/0445 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种双面光伏器件及其制备方法，包括：衬底；位于所述衬底一侧的第一背电极、第一功能层以及第一顶电极以及依次位于所述衬底另一侧的第二背电极、第二功能层以及第二顶电极，所述第一功能层至少包括第一背接触层,所述第二功能层至少包括第二背接触层，其中，所述第一背接触层及第二背接触层的材质为p+型硒化铅。本申请提供的光伏装置由于背接触层是采用硒化铅材质，采用热蒸发工艺制备时衬底的温度采用常温，从而采用金属箔作为衬底时，不会造成金属箔衬底中的元素向器件扩散，采用聚合物衬底时，避免了聚合物衬底处于高温状态，所以，采用热蒸发工艺形成背接触层时对衬底的材质选择范围大。

公开(公告)号：CN114242819B

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202111548932.6

申请日：2021-12-17

Applicant: 暨南大学

Inventor： 麦耀华 ,  刘聪 ,  沈凯 ,  王晓青

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于新能源薄膜太阳电池器件领域，具体涉及一种Sb2(S1‑xSex)3薄膜太阳电池吸收层及其制备方法与应用。本发明采用硫化锑和硒化锑粉末作为双蒸发源，置于同一管式炉中，通过移动源位置以近空间升华的方式依次沉积。保持衬底位置不变和衬底温度恒定，通过组分扩散形成具有梯度带隙的Sb2(S1‑xSex)3吸收层薄膜。梯度带隙有利于光生载流子的提取和收集，具有开发高效Sb2(S1‑xSex)3太阳电池的潜力。此过程中无需通入载气，不受载气流速的影响。本发明制备工艺稳定，成本较低，可制备高质量、梯度带隙的Sb2(S1‑xSex)3吸收层薄膜，并用于制备高效的Sb2(S1‑xSex)3薄膜太阳电池。

公开(公告)号：CN114242819A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111548932.6

申请日：2021-12-17

Applicant: 暨南大学

Inventor： 麦耀华 ,  刘聪 ,  沈凯 ,  王晓青

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于新能源薄膜太阳电池器件领域，具体涉及一种Sb2(S1‑xSex)3薄膜太阳电池吸收层及其制备方法与应用。本发明采用硫化锑和硒化锑粉末作为双蒸发源，置于同一管式炉中，通过移动源位置以近空间升华的方式依次沉积。保持衬底位置不变和衬底温度恒定，通过组分扩散形成具有梯度带隙的Sb2(S1‑xSex)3吸收层薄膜。梯度带隙有利于光生载流子的提取和收集，具有开发高效Sb2(S1‑xSex)3太阳电池的潜力。此过程中无需通入载气，不受载气流速的影响。本发明制备工艺稳定，成本较低，可制备高质量、梯度带隙的Sb2(S1‑xSex)3吸收层薄膜，并用于制备高效的Sb2(S1‑xSex)3薄膜太阳电池。