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公开(公告)号：CN104561913A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410775474.3
申请日：2014-12-15
Applicant: 昆明贵金属研究所
CPC classification number: C23C14/3407 , B22F3/14 , C23C14/3414
Abstract: 本发明公开了一种低电阻率铜铟镓硒四元合金溅射靶材及其制备方法，所述靶材包括的物相有Cu(In0.7Ga0.3)Se2，CuInSe2及Cu2Se相,所述靶材的物相中Cu(In0.7Ga0.3)Se2物相占物相总和的95％以上，CuInSe2和Cu2Se相占总物相的1～5％。本发明的溅射靶材的制备方法包括：粉末制备，粉末混合，粉末冶金烧结等工序，所述粉末制备包括CuIn0.7Ga0.3Se2单相合金粉末的制备，所述CuIn0.7Ga0.3Se2单相合金粉末通过真空反应合成的方法制备，真空度≥10-1Pa，反应温度在500～700℃，升温速率不大于5℃/min。本发明的溅射靶，电阻率低，致密度高，晶粒尺寸细小均匀，能够进行中频或直流溅射，可大大提高铜铟镓硒薄膜的溅射速度，同时节约设备投入成本。
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公开(公告)号：CN104458370A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410674371.8
申请日：2014-11-23
Applicant: 昆明贵金属研究所
Abstract: 本发明公开了一种辉光放电质谱仪分析试样的制备方法，其包括如下步骤：a)将需要分析的难熔金属粉末放置于内部涂有脱模剂的石墨模具中；b)使用加压烧结的方法对粉末进行成型；c)对成型的坯料进行车削。使用本发明的分析方法：在尽可能保持本身杂质含量的同时，具有较高的致密度，同时表面洁净，从而保证辉光放电质谱分析结果的准确性和精确度，同时本制备方法制备的样品还有分析速度快，效率高的优点。
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公开(公告)号：CN107779814B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201710776785.5
申请日：2017-08-31
Applicant: 昆明贵金属研究所
Abstract: 本发明公开了一种含Ag纳米粒子梯度耐磨涂层的制备方法，为Ti材料表面上含Ag纳米粒子梯度耐磨涂层的制备方法。该方法主要包括Ti材料的再结晶退火、表面机械研磨处理、磁控共溅射、热氧化。本发明通过具有良好润滑和韧性的Ag纳米粒子和高硬度的TiO2的结合获得具有高韧性和高硬度的耐磨表层，同时通过设计并获得的梯度涂层有效改善涂层与金属基体之间界面应力、提高了涂层与基体的结合，从而使Ti材料的摩擦磨损性能得到明显提高。
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公开(公告)号：CN106467960B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201610873939.8
申请日：2016-09-30
Abstract: 一种强磁场热压制备金属靶材的装置及方法，属于粉末冶金技术领域。其制备装置，包括压头、模具、上下移动压杆、超导磁体、加热器、冷却水管道和支座；采用上述装置，制备方法包括如下步骤：(1)备料：称量金属粉；(2)装填；(3)磁场热压：磁场强度为0.5～6T；温度为200～1600℃，压力为10～80MPa，热压20～200min，空冷至室温，制得金属靶材；(4)机械加工：将金属靶材进行机械加工，制得表面光滑、平整的金属靶材。本方法将强磁场取向引入到热压工艺制备金属靶材工艺中，利用热压获得高密度；利用强磁场使金属粉的易磁化轴，朝磁场方向转动，从而获得具有良好取向。通过热压和强磁场的复合效应获得具有高密度、强织构的高质量磁控溅射靶材。
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公开(公告)号：CN107760923A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710776781.7
申请日：2017-08-31
Applicant: 昆明贵金属研究所
CPC classification number: C22C14/00 , A61L27/06 , C22C1/0458
Abstract: 本发明公开了一种低弹性模量Ti-Ta-Ag生物材料及其制备方法。所述Ti-Ta-Ag生物材料合金成分为Ti含量70.5～74wt％，Ta含量25wt％，Ag含量1～4.5wt％。该合金的弹性模量在57～108GPa间，腐蚀电流密度在0.352～4.194μA/cm-2间。且合金由Ti的α相、马氏体α＂相、β相，及Ag组成，其中Ag作为析出相存在。通过采用球磨混合获得具有不同粒度的混合粉末以及具有低弹性模量的Ti-Ta-Ag合金。该钛合金弹性模量低、硬度高。为生物医用领域Ti合金体系的微观结构与力学性能关系的研究提供参考数据，也为生物金属材料的发展提供新思路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102703870A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210141181.0
申请日：2012-05-09
Applicant: 昆明贵金属研究所
Abstract: 本发明公开了一种Ru非磁性薄膜及其制备方法，包括基片1和钌非磁性薄膜层2。钌非磁性薄膜层2是由具有（002）晶面的X射线衍射峰强度比用式（1）表示为30%以上的Ru靶溅射得到，钌非磁性薄膜层2呈（002）晶面的择优取向生长，用式（1）表示的（002）晶面的X射线衍射峰强度比为60%~85%，…式（1），本发明用磁控溅射的方法制备出了(002)晶面择优取向生长、表面颗粒均匀，表面粗糙度小的Ru非磁性薄膜。以该薄膜为磁记录介质的中间层，有利于减小中间层与磁记录层的晶格失配度，降低界面间的应力，为磁记录层提供易于垂直生长的晶面取向，最终改善垂直磁记录介质的磁学性能。
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公开(公告)号：CN101643902A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200910168837.6
申请日：2009-08-22
Applicant: 昆明贵金属研究所
IPC: C23C28/00
Abstract: 本发明公开了一种铱铝涂层的制备方法。其制备方法是，首先对高温合金或难熔金属基体进行表面清洗及化学处理；其次在处理后的合金表面通过电镀或者化学气相沉积手段得到一层厚度约为0.5～10微米的纯铱；最后在一定温度下进行粉末包埋渗铝得到铱铝涂层。该涂层与基体结合强度高，可广泛用于各种高温合金或难熔金属，有效提高其使用寿命，使高温合金或难熔金属具有优越的耐冷、热冲击性能及高温抗氧化能力。
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公开(公告)号：CN104561913B
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201410775474.3
申请日：2014-12-15
Applicant: 昆明贵金属研究所
Abstract: 本发明公开了一种低电阻率铜铟镓硒四元合金溅射靶材及其制备方法，所述靶材包括的物相有Cu(In0.7Ga0.3)Se2，CuInSe2及Cu2Se相,所述靶材的物相中Cu(In0.7Ga0.3)Se2物相占物相总和的95％以上，CuInSe2和Cu2Se相占总物相的1～5％。本发明的溅射靶材的制备方法包括：粉末制备，粉末混合，粉末冶金烧结等工序，所述粉末制备包括CuIn0.7Ga0.3Se2单相合金粉末的制备，所述CuIn0.7Ga0.3Se2单相合金粉末通过真空反应合成的方法制备，真空度≥10‑1Pa，反应温度在500～700℃，升温速率不大于5℃/min。本发明的溅射靶，电阻率低，致密度高，晶粒尺寸细小均匀，能够进行中频或直流溅射，可大大提高铜铟镓硒薄膜的溅射速度，同时节约设备投入成本。
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公开(公告)号：CN101869725B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201010209318.2
申请日：2010-06-25
Applicant: 昆明贵金属研究所
Abstract: 本发明公开了一种含有纳米Ag粒子的抗菌型生物活性复合涂层及制备方法。本制备方法首先采取磁控共溅射技术在Ti或Ti合金基材上制备一层Ag/Ti复合涂层，随后采用H2O2或NaOH溶液对基材进行化学处理，最后对基材进行热处理获得多孔复合涂层。涂层表面为Ag和锐钛矿型TiO2或金红石型TiO2或Na2Ti5O11，纳米Ag粒子均匀分布于多孔生物活性层中，涂层厚度为5～42μm，Ag粒子的平均尺寸为8～50nm。还可通过工艺参数调整对纳米Ag粒子尺寸及涂层厚度进行有效调控。本发明获得的复合涂层中纳米Ag与生物活性层结合良好，同时复合涂层与Ti或Ti合金基材结合牢固。本涂层显示出良好的抗菌性，在近体液环境下可诱导羟基磷灰石的形成，可直接用作生物医用Ti或Ti合金的功能性表层。
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公开(公告)号：CN102922231A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210411249.2
申请日：2012-10-25
Applicant: 昆明贵金属研究所
IPC: B23P15/00
Abstract: 本发明公开了一种钌及钌合金靶材的加工方法，包括：提供钌及钌合金靶材坯料；对所述的钌及钌合金靶材坯料进行车削，所述车削采用HRC大于70的刀具，所述车削时加工的转速为50-200转/分钟，所述车削时的进刀量为0.1-0.5mm；对车削后的钌及钌合金靶材进行磨削，所述磨削时的进刀量0.005-0.02mm，所述磨削加工时砂轮的线速度为20-45米/秒；对磨削后的靶材进行超声清洗。本发明提供的钌及钌合金靶材的加工方法，减少了崩边、掉块等现象的发生，减少了应力层、避免了微裂纹的产生，使靶材的表面粗糙度较低，同时具有较高的加工效率。
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