公开(公告)号：CN113003534A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202110205710.8

申请日：2021-02-24

Applicant: 昆山微电子技术研究院

Inventor： 赵雪龙 ,  尹振 ,  孟莹 ,  李俊龙 ,  徐杨 ,  王盛凯 ,  王英辉

IPC: B81C1/00 ,  B81C3/00 ,  G01L1/18 ,  G01L9/06

Abstract: 本申请公开了一种压力传感器及其制备方法，该方法包括：获得表面沉积有金属层的第一片体；获得表面沉积有金属层的第二片体；第二片体具有凹槽；将金属层对准的第一片体和第二片体置于键合腔室中，并对键合腔室抽真空；向键合腔室中通入还原气体，并在还原气体的气氛下对第一片体和第二片体进行热压键合，得到压力传感器半成品；对压力传感器半成品进行图形化处理和电极制备，得到压力传感器。本申请向键合腔室中通入还原气体，还原气体对金属层表面的氧化物进行还原，有效去除氧化物对键合强度的影响，从而提升键合强度，并提升空腔的气密性；同时还原气体还可以活化金属层的表面，加快金属层之间的键合速度，并降低键合所需的温度。

公开(公告)号：CN111584378B

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN201910124164.8

申请日：2019-02-19

Applicant: 昆山微电子技术研究院

Inventor： 孟莹 ,  王英辉

IPC: H01L21/603

Abstract: 本申请公开了一种插入式热压键合方法，通过在铜基板的第一表面形成铜圆锥体，且所述铜圆锥体按照由所述铜圆锥体的顶点到底面的方向形成，以得到预处理铜基板，其中第一表面为所述铜基板的上表面或者下表面；利用所述预处理铜基板对器件进行热压键合。本申请中在铜基板的第一表面形成铜圆锥体时，按照从铜圆锥体的顶点到底面的方向形成铜圆锥体，从而得到第一表面具有铜圆锥体的预处理铜基板，然后利用该预处理铜基板对器件进行压合，避免使用化学镀方法，按照从圆锥体的底面到顶点的方向在铜基板的表面制备出铜圆锥体，对pH值和温度没有特定要求，简化铜圆锥体的制备过程，从而使插入式热压键合方法变得简单。