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公开(公告)号：CN1034400A
公开(公告)日：1989-08-02
申请号：CN88108387
申请日：1988-12-08
Applicant: 日本钢管株式会社
IPC: C30B15/00
CPC classification number: C30B15/02 , C30B15/14 , Y10S117/90 , Y10T117/1052
Abstract: 按照本发明，用一个隔板环将放有熔化原料的坩埚的内部隔开，从而使被提拉的单晶被包围并且使熔化原料可以流动，颗粒状硅加到隔板环的外侧，从而使外侧的熔化液体成为一个颗粒状硅的可溶区域，以保持隔板环内侧的熔化液面几乎保持恒定，并且用一块保温板复盖隔板环及其外侧的熔化液面，使隔板环外侧的熔化液体温度至少比其内部的温度高出10℃，或更高些。
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公开(公告)号：CN1437704A
公开(公告)日：2003-08-20
申请号：CN01811397.4
申请日：2001-11-29
Applicant: 日本钢管株式会社
CPC classification number: G01N29/50 , B22D11/1206 , B22D11/16 , B22D11/163 , B22D11/20 , B22D11/225 , G01N29/2412 , G01N29/343 , G01N29/348 , G01N29/449 , G01N2291/0251 , G01N2291/0421 , G01N2291/0422 , G01N2291/048 , G01N2291/102
Abstract: 本发明涉及一种制造钢的连铸铸件的方法，该方法包括：测定工序，使用通过和铸件非接触地配置的传感器测定连铸铸件的凝固状态的方法，测定沿着铸件的铸造方向的凝固状态；检测工序，根据所测定的凝固状态检测环形坑端的位置；和控制工序，根据所检测的环形坑端的位置，控制从铸造速度和二次冷却水量条件中选择的至少一个条件；并且，测定铸件凝固状态的方法包括：冷却工序，把铸件的表层部分冷却到发生α相变；发送工序，把电磁超声波的横波发送给被冷却后的铸件；接收工序，接收透过铸件后的信号；和判定工序，根据所接收的信号，判定凝固状态。
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公开(公告)号：CN1020481C
公开(公告)日：1993-05-05
申请号：CN88108387
申请日：1988-12-08
Applicant: 日本钢管株式会社
CPC classification number: C30B15/02 , C30B15/14 , Y10S117/90 , Y10T117/1052
Abstract: 按照本发明，用一个隔板环将放有熔化原料的坩埚的内部隔开，从而使被提拉的单晶被包围并且使熔化原料可以流动，颗粒状硅加到隔板环的外侧，从而使外侧的熔化液体成为一个颗粒状硅的可溶区域，以保持隔板环内侧的熔化液面几乎保持恒定，并且用一块保温板覆盖隔板环及其外侧的熔化液面，使隔板环外侧的熔化液体温度至少比其内部的温度高出10℃，或更高些。
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公开(公告)号：CN1342110A
公开(公告)日：2002-03-27
申请号：CN00804398.1
申请日：2000-02-29
Applicant: 日本钢管株式会社
IPC: B22D11/16 , B22D11/115 , B22D11/18
Abstract: 控制连铸中钢水流动特性的方法,包括:(a)把从浸入式水口流出的钢水进行连铸的工序;(b)多点测量铸模长边宽度方向的铸模长边铜板温度的工序;(c)按各测量点的铜板温度随时间的变化检测铸模内钢水流动特性的工序;(d)以检测的结果为基础进行控制,使流动特性控制成规定的特性的工序。用埋设在连铸用铸模铜板背面的多个测温元件检测铸模铜板温度。测温元件设置在铸坯拉引方向距铸模内钢水液面10～135mm范围内。
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公开(公告)号：CN1016973B
公开(公告)日：1992-06-10
申请号：CN89102980.X
申请日：1989-04-28
Applicant: 日本钢管株式会社
Abstract: 本发明是关于用切克劳斯基法(Czochralskimethod)制备硅单晶的方法和设备，其中包括步骤：分隔盛熔融硅的坩埚为单晶生长区和外加料区以使熔融硅运动缓慢，以及一面给加料区连续地加入硅原料一面从单晶生长区拉出硅单晶，其中改进包括加料区和熔融硅的温度保持在高于硅的熔点至少12℃以上。
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公开(公告)号：CN1056136A
公开(公告)日：1991-11-13
申请号：CN91102923.0
申请日：1991-04-27
Applicant: 日本钢管株式会社
Abstract: 一种按照坩埚不旋转的切克劳斯基法高速提拉直径大、组成稳定的单晶硅的单晶硅生产设备。通过妥善维持单晶硅外周边与分隔件内侧熔融硅自由表面的热平衡，可以高速提拉大直径单晶硅。必须满足的条件如下：4＝18-24英寸，3/4＝0.75-0.84；2-1＝30-50毫米，α＝15-25度；及h＝10-30毫米，其中1为单晶硅直径，2为保温盖圆柱形侧面部分下端处的孔径，3为分隔件的直径，4为坩埚直径，h为熔融硅表面至2部分的距离。
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公开(公告)号：CN1055964A
公开(公告)日：1991-11-06
申请号：CN91102023.3
申请日：1991-04-02
Applicant: 日本钢管株式会社
Abstract: 一种制造硅单晶的设备，其中有一个隔离元件安装于旋转石英坩埚中，使它环绕着一边旋转一边拉制的大圆柱形硅单晶，该隔离元件至少有一个小孔通过其下部。隔离元件的全部或一部分由多孔石英玻璃制成，其孔含量(体积百分数)在0.01至15％之间。或者小于0.01％，但利用来熔化硅原料的热使其增加到0.01％至15％，这样就防止了与隔离元件内侧接触的熔融物料的温度降低，并防止了该部位的熔融物料发生凝固。
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