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公开(公告)号：CN1020481C
公开(公告)日：1993-05-05
申请号：CN88108387
申请日：1988-12-08
Applicant: 日本钢管株式会社
CPC classification number: C30B15/02 , C30B15/14 , Y10S117/90 , Y10T117/1052
Abstract: 按照本发明，用一个隔板环将放有熔化原料的坩埚的内部隔开，从而使被提拉的单晶被包围并且使熔化原料可以流动，颗粒状硅加到隔板环的外侧，从而使外侧的熔化液体成为一个颗粒状硅的可溶区域，以保持隔板环内侧的熔化液面几乎保持恒定，并且用一块保温板覆盖隔板环及其外侧的熔化液面，使隔板环外侧的熔化液体温度至少比其内部的温度高出10℃，或更高些。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN1034400A
公开(公告)日：1989-08-02
申请号：CN88108387
申请日：1988-12-08
Applicant: 日本钢管株式会社
IPC: C30B15/00
CPC classification number: C30B15/02 , C30B15/14 , Y10S117/90 , Y10T117/1052
Abstract: 按照本发明，用一个隔板环将放有熔化原料的坩埚的内部隔开，从而使被提拉的单晶被包围并且使熔化原料可以流动，颗粒状硅加到隔板环的外侧，从而使外侧的熔化液体成为一个颗粒状硅的可溶区域，以保持隔板环内侧的熔化液面几乎保持恒定，并且用一块保温板复盖隔板环及其外侧的熔化液面，使隔板环外侧的熔化液体温度至少比其内部的温度高出10℃，或更高些。
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公开(公告)号：CN1016973B
公开(公告)日：1992-06-10
申请号：CN89102980.X
申请日：1989-04-28
Applicant: 日本钢管株式会社
Abstract: 本发明是关于用切克劳斯基法(Czochralskimethod)制备硅单晶的方法和设备，其中包括步骤：分隔盛熔融硅的坩埚为单晶生长区和外加料区以使熔融硅运动缓慢，以及一面给加料区连续地加入硅原料一面从单晶生长区拉出硅单晶，其中改进包括加料区和熔融硅的温度保持在高于硅的熔点至少12℃以上。
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公开(公告)号：CN1015649B
公开(公告)日：1992-02-26
申请号：CN87101952
申请日：1987-03-13
Applicant: 日本钢管株式会社
Abstract: 一种制造半导体单晶用的装置，制造时是在半导体材料转动的同时，逐步将熔融在坩埚中的半导体材料从熔融池中提拉，并使半导体材料凝固成圆形棒条，由此制出半导体单晶棒条。该装置至少包括一长条半导体原材料、加热装置、支撑装置和表面镇静装置。加热装置用以加热初始原料体以便在料下端形成熔体，支撑装置用以通过预定缝隙将料体支撑在熔融池上方，表面镇静装置则用以防止因料体滴入熔融池表面所引起的破坏及熔融池中心表面区的凝固。
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公开(公告)号：CN87101952A
公开(公告)日：1987-09-23
申请号：CN87101952
申请日：1987-03-13
Applicant: 日本钢管株式会社
IPC: C30B15/22
Abstract: 一种制造半导体单晶用的装置，制造时是在半导体材料转动的同时，逐步将熔融在坩埚中的半导体材料从熔融池中提拉，并使半导体材料凝固成圆形棒条，由此制出半导体单晶棒条。该装置至少包括一长条半导体原材料、加热装置、支撑装置和表面镇静装置。加热装置用以加热初始原料体以便在料下端形成熔体，支撑装置用以通过预定缝隙将料体支撑在熔融池上方，表面镇静装置则用以防止因料体滴入熔融池表面所引起的破坏及熔融池中心表面区的凝固。
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